Halbleiter-Fabriken: Samsung investiert mehr als Intel und TSMC zusammen

Unter Berufung auf Zahlen der Marktforscher von IC Insights berichtet Business Korea, dass Samsung in diesem Jahr mehr in Halbleiter-Fabriken investieren wird als Intel und TSMC zusammen. Mit umgerechnet 26 Milliarden US-Dollar soll Samsungs Anteil allein 28,6 Prozent an den Investitionen der Branche ausmachen.

Rund 14 Milliarden US-Dollar wird Samsung demnach in Anlagen für den begehrten 3D-NAND investieren, der in Smartphones, SSDs und Speicherkarten sowie diversen anderen Produkten als nichtflüchtiger Massenspeicher in immer größerer Menge eingesetzt wird. Den zweitgrößten Posten soll der flüchtige DRAM-Speicher ausmachen, hier werde Samsung in diesem Jahr sieben Milliarden US-Dollar investieren. Beide Speichertypen sind aufgrund hoher Nachfrage und begrenzten Produktionskapazitäten derzeit knapp und teuer. Weitere fünf Milliarden US-Dollar sollen schließlich in den Bereich „Foundry/Other“ fließen, womit unter anderem der Ausbau der 10-nm-Auftragsfertigung finanziert werde.

In meinen 37 Jahren, in denen ich die Halbleiterindustrie verfolge, habe ich noch nie so einen aggressiven Anstieg der Investitionen in Halbleiter gesehen. Die schiere Größe von Samsungs Ausgaben in diesem Jahr ist beispiellos in der Geschichte der Halbleiterindustrie!

Bill McClean, Präsident von IC Insights

Branche sorgt sich um Überversorgung

Während Speicherhersteller wie Samsung, Micron und SK Hynix derzeit von der Marktsituation profitieren und hohe Umsätze generieren, könnte sich das Blatt bald wenden. IC Insights befürchtet, dass Samsungs Investitionen bald zu einer Überversorgung bei 3D-NAND sorgen werden. Getrieben von Samsungs Vorstoß ist die Konkurrenz praktisch dazu gezwungen, ebenfalls weiter aufzustocken, um keine Marktanteile zu verlieren.

Auch bei DRAM ist Samsung Marktführer und auch hier könnten die Investitionen dem aktuellen Engpass ein Ende bereiten, wie die Marktforscher von TrendForce bereits Ende Oktober erklärten. Die Prognosen für die Herstellungskapazitäten von DRAM im Jahr 2018 wurden sowohl für Samsung als demzufolge auch den globalen Markt deutlich nach oben korrigiert.

Sinkende Preise für Kunden in Sicht?

Des einen Leid ist des anderen Freud, so lässt sich das Sprichwort an dieser Stelle umkehren. Denn während die Speicherhersteller bei einer Überversorgung aufgrund sinkender Preise weniger Umsatz pro Chip generieren, profitieren Kunden potentiell von sinkenden Speicherpreisen bei den Endprodukten. Doch noch ist es nicht soweit und so soll sich zum Beispiel DRAM im vierten Quartal 2017 zunächst weiter verteuern.

Laut Business Korea geht die Branche davon aus, dass der „Speicher-Boom“ noch bis in die erste Jahreshälfte 2018 andauern wird. Erst im zweiten Halbjahr 2018 sei mit einem Absinken zu rechnen. Ein Analyst von SK Securities habe allerdings Zweifel an der von IC Insights prognostizierten Entwicklung geäußert.

Vorsorglicher Konter gegen Chinas Speicherambitionen

In der Zukunft könnte es noch mehr Bewegung am Markt mit 3D-NAND und DRAM geben, denn China schickt sich an, in den kommenden Jahren kräftig mitzumischen und hat in Form der Tsinghua Unigroup Investitionen von umgerechnet 70 Milliarden US-Dollar für drei Halbleiter-Werke in Aussicht gestellt. 3D-NAND von YMTC soll bereits im kommenden Jahr produziert werden.

Die Investitionen von Samsung sind vor diesem Hintergrund auch als Konter zum Markteintritt Chinas zu werten. IC Insights erklärte, dass die chinesischen Start-Ups in Anbetracht der Ausgaben von Samsung „nicht in der Lage sein werden, auf derselben Basis mit Samsung zu konkurrieren“, es sei denn, sie tun sich mit anderen etablierten Speicherherstellern in einem Joint-Venture zusammen.