Samsung Z-SSD SZ985: Mehr Details und Benchmarks vom Hersteller

Samsung hat weitere Details zur Enterprise SSD SZ985 alias Z-SSD verraten. Erstmals werden die Latenzen, bei denen die Stärke der Z-NAND-Technik liegen soll, genauer aufgeschlüsselt. Zudem liefert Samsung einen Leistungsvergleich mit dem bisherigen Flaggschiff PM1725a.

Niedrigste Latenzen für eine NAND-Flash-SSD

Die SZ985 ist eine PCIe-SSD im Steckkartenformat (HHHL) und soll über PCIe 3.0 x4 lesend wie schreibend sequenzielle Übertragungsraten von 3.200 MB/s erreichen. Der Anschluss der gezeigten SZ985 entspricht aber augenscheinlich PCIe 3.0 x8, dennoch spricht Samsung nur von der kleineren Schnittstelle. So weit, so gewöhnlich: An diese Werte kommen auch bisherige High-End-SSDs heran. Doch bei den Latenzen will Samsung punkten. Beim wahlfreien Lesen sollen diese nur 12 bis 20 Mikrosekunden betragen, beim Schreiben seien 16 µs Latenz ein typischer Wert für die Z-SSD. Damit werden bisherige Enterprise-SSDs der Oberklasse deutlich geschlagen: für die PM1725a gibt Samsung zum Beispiel 90 µs lesend und 20 µs schreibend an.

Die Z-SSD mit dem Fokus auf niedrige Latenz gilt als Samsungs Antwort auf Intels Optane-SSDs, die statt NAND-Flash neuartigen 3D-XPoint-Speicher nutzen. Bei der SZ985 kommt NAND-Flash zum Einsatz, den Samsung Z-NAND nennt. Weiterhin liegen keine offiziellen Details zu der Technik vor. Jedoch wird davon ausgegangen, dass es sich um SLC-NAND-Flash handelt, der im Zusammenspiel mit einem optimierten Controller sehr niedrige Antwortzeiten ermöglicht. An die < 10 µs, die Intel lesend wie schreibend für die Optane SSD P4800X (Test) angibt, reicht die Z-SSD zumindest auf dem Papier allerdings nicht ganz heran. Dafür fallen die sequenziellen Transferraten deutlich höher aus als beim Intel-Neuling.

Die 750.000 IOPS beim wahlfreien Lesen und 170.000 IOPS beim wahlfreien Schreiben sind hohe Werte aber kein Alleinstellungsmerkmal für die SZ985. Die anhand der Drive Writes Per Day (DWPD) spezifizierte Haltbarkeit fällt mit 30 DWPD sehr hoch aus und liegt auf Augenhöhe mit der Optane P4800X. Anhand des 800 GByte umfassenden Speichervolumens lässt sich bei in diesem Segment typischer Garantiezeit von fünf Jahren ein Mindestschreibvolumen (TBW) von 43,8 Petabyte errechnen. Pro Tag sind im Rahmen der Spezifikationen 24 TByte geschriebene Daten erlaubt, pro Jahr wären es 8.760 TByte respektive 8,76 PByte.

Samsung SZ985 vs. Samsung PM1725a in Benchmarks

Anhand eigener Benchmarks verspricht Samsung deutlich mehr Leistung. So soll die Z-SSD in RocksDB bei halbierter Latenz den doppelten Durchsatz im Vergleich zur PM1725a erzielen. Dies sieht der Hersteller als Indikator für die Vorteile bei Datenbankanwendungen. Als weitere Disziplinen, in denen die Z-SSD herkömmlichen SSDs überlegen sei, werden Caching und Auslagern (Paging) genannt. Beim Caching mit der Anwendung Fatcache verspricht Samsung 60 Prozent mehr Leistung. Beim Paging sollen sich die IOPS sogar verdreifachen, analog wird die Latenz auf ein Drittel reduziert.

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Als Einsatzgebiete für die Z-SSD nennt Samsung High Capacity Caching, NoSQL-Datenbanken, Data Stores und Business Analytics.

Erster Eindruck

Die vorliegenden Informationen lassen erahnen, dass Samsungs Z-SSD alle herkömmlichen SSDs bei der Latenz und somit auch davon profitierenden Anwendungen schlagen wird. Um die niedrigen Latenzen der Optane-SSDs von Intel einzuholen, reicht es jedoch voraussichtlich nicht. Damit ist wahrscheinlich, dass Intel die Leistungskrone behalten wird.

Allerdings könnte Samsung beim Preis punkten. Denn der Z-NAND dürfte zwar deutlich teurer als herkömmlicher 3D-NAND ausfallen. Dass die Z-SSD aber pro Gigabyte gut viermal so teuer ist wie herkömmliche SSDs, wie es bei den Optane-SSDs der Fall ist, ist aber unwahrscheinlich. Samsung plant zudem die zweite Generation der Z-SSD mit MLC- statt SLC-Flash zu bestücken. Dadurch soll der Preis deutlich gesenkt werden, allerdings nimmt auch die Leistung zumindest etwas ab.