Samsung Foundry: DRAM-Chips aus kleinerer 1y-nm-Fertigung sind schneller

Samsung hat für DRAM-Speicherchips eine aktualisierte Fertigung im Programm. Offiziell läuft sie unter dem Titel „2nd-generation of 10-nanometer class“ und soll leichte Vorteile bei der Effizienz und Leistung bieten.

Während Samsung für den SoC-Foundry-Prozess mit Abkürzungen und Beschreibungen für die Fertigung beispielsweise von 10LPP, 8LPP bis zu 4LPP ins Detail geht, hüllt sich der Hersteller bei Speicherchips in Schweigen. In der Branche als offenes Geheimnis gilt aber, dass die erste Generation der 10-nanometer class bei DRAM-Chips auf einer 18-nm-Fertigung basierte – offiziell sagt Samsung nur, dass sie zwischen 10 und 19 nm liege. Für die Neuauflage respektive zweite Generation verspricht Samsung eine gesteigerte Leistung von 10 Prozent und eine verbesserte Energieeffizienz von bis zu 15 Prozent gegenüber dem bisherigen Prozess, was auf eine Fertigung rund um 16 nm schließen lässt. Im Marketing wird der Prozess so aber nicht offiziell genannt.

Der zweite, aktualisierte Fertigungsprozess soll Samsung helfen, die steigende Nachfrage nach Speicherchips zu befriedigen. Deshalb soll auch die bisherige erste Generation weiter produziert werden, sie wird nun mehr zu einem Mainstream-Produkt, während die Neuauflage zu Beginn das High-End-Segment adressiert. So liefern die neuen Chips nun Datenraten von bis zu 3.600 Mbit/s, bei den bisherigen war offiziell bei 3.200 Mbit/s Schluss – vor der Selektierung durch die Abnehmer. Unterm Strich wird dies für die Zukunft (noch) schnelleren DDR4-Speicher bedeuten.

Die Zukunft: DDR5, HBM3 und GDDR6

Südkoreanische Medien berichteten kürzlich, dass Samsung den Einsatz der neuen Fertigungstechnologien auch bei DRAM-Chips anstrebe. Angesichts der hohen Preise sollen zudem die Produktionskapazitäten weiter ausgebaut werden. BusinessKorea schrieb in diesem Zusammenhang, dass Samsung den Einsatz von EUV-Lithografie für DRAM-Chips plane. Doch vor 2019 sei damit nicht zu rechnen. Im Fall der neuen DRAM-Chips betonte Samsung heute explizit, dass diese noch ohne EUV gefertigt werden, die Fortschritte in den Bereichen aber den Weg für die Speicher der Zukunft ebnen würden, die nun im Fokus liegen: DDR5 und LPDDR5 sowie HBM3 und GDDR6.