Samsung: GDDR6 mit 2 GB und 18 Gbps für GPUs geht in Serie

Vor einigen Monaten hat Samsung davon gesprochen, GDDR6-Speicher mit einer Kapazität von zwei Gigabyte pro Modul und einer Geschwindigkeit von 16 Gbps zur CES 2018 zeigen zu wollen. Doch der Hersteller ist schon weiter und kündigt bereits die Massenproduktion an – mit einer noch höheren Geschwindigkeit von 18 Gbps.

Samsung fertigt GDDR6-Speicher ab sofort also mit einer Dichte von 16 Gbit (2.048 MB) pro Chip und einer Geschwindigkeit 18 Gbps in Serie – am 32 Bit breiten Interface des Chips ergeben sich so 72 GB/s Speicherbandbreite pro Chip. Die Spannung des Speichers liegt bei 1,35 Volt. Damit fallen sowohl Kapazität, Geschwindigkeit und Spannung gegenüber dem schnellsten GDDR5 besser aus. Gegenüber dem schnellsten GDDR5X gilt das noch für die Kapazität und die Geschwindigkeit, die Spannung ist dagegen identisch.

Standard	max. Kapazität pro Chip	max. Bandbreite pro Chip	Spannung
GDDR6	2.048 MB	72 GB/s	1,35 Volt
GDDR5X	1.024 MB	48 GB/s	1,35 Volt
GDDR5	1.024 MB	36 GB/s	1,50 Volt

Als Einsatzzweck nennt Samsung unter anderem Grafikkarten, Automotive, sowie KI-Systeme. Es ist davon auszugehen, dass mindestens die Top-Modelle von Nvidias kommenden Ampere-Grafikkarten mit GDDR6 ausgerüstet sein werden. Ampere ist die für Spiele optimierte Version von Volta. Diese werden im Laufe des ersten Halbjahrs erwartet, GDDR6 gilt als gesetzt – es könnte vorerst aber auch nur die Ausbaustufe mit 16 Gbps sein. Ob auch AMDs Navi nächstes Jahr auf GDDR6 und nicht wie der Vega-Vorgänger auf HBM2 setzen wird, ist noch unklar.

Grafikkarten mit bis zu 24 Gigabyte sind denkbar

Eine Grafikkarte, die mit Samsungs GDDR6-Speicher ausgerüstet ist, könnte eine Speicherkapazität von maximal 16 Gigabyte an einem 256 Bit Interface und von maximal 24 Gigabyte an einem 384 Bit Interface aufweisen. Die Geschwindigkeit würde bis zu 576 Gigabyte pro Sekunde (256-Bit-Interface) beziehungsweise bis zu 864 Gigabyte pro Sekunde (384-Bit-Interface) betragen.

Dual-Channel- statt Single-Channel-Interface

GDDR6 sieht wie GDDR5X im Vergleich zu GDDR5 eine Verdoppelung der Datenrate vor. Das Prefetching bleibt gegenüber GDDR5 verdoppelt, statt acht werden 16 Datenbits genutzt, pro Zugriff werden damit 64 statt 32 Bit übertragen. Intern wird beim kommenden Speicher ein Dual-Channel-Interface statt des bisherigen einfachen Interfaces genutzt. Das hebt die Bandbreite weiter an.

Micron entwickelt weiterhin auch GDDR5X mit 16 Gbps, bisher sind 6.000 MHz mit 12 Gbps aber das Maximum. Hynix hat laut EE Times wiederum ebenfalls GDDR6 mit 18 Gbps in Aussicht gestellt. Micron startet mit 16 Gbps.