Enterprise-SSDs: SK Hynix greift mit 72‑Layer‑3D‑NAND an

Eine hohe Nachfrage und lukrative Einnahmen verspricht das Geschäft mit hochpreisigen Enterprise-SSDs (eSSD). Dieses will SK Hynix mit dem neuen 72-Layer-3D-NAND nun gezielt bedienen. Auf Basis des neuen Speichers erscheinen Enterprise-SSDs mit SATA- und PCIe-Schnittstelle.

SK Hynix will mit 72-Layer-Flash bei eSSDs Gas geben

Bisher waren die Ambitionen von SK Hynix im eSSD-Markt überschaubar, genauso wie die entsprechenden Produktseiten des Herstellers. Mit dem 72-Layer-3D-NAND soll sich das ändern: „Mit seinen 72-Layer 512Gb (Gigabits) 3D NAND Flash-Chips ebnet das Unternehmen den Weg für den vollwertigen Einstieg in den Markt für hochverfügbare eSSDs“, lautet es in der jüngsten Ankündigung von SK Hynix.

SATA-SSD mit bis zu 4 TByte und allem aus einer Hand

Ohne ins Detail zu gehen oder Produktnamen zu nennen, hat der fünftgrößte NAND-Flash-Hersteller die neuen eSSDs angekündigt. Zunächst wird eine SATA-SSD-Serie erscheinen, die mit Hilfe der neuen Speicherchips bis zu 4 TByte Speicherplatz bieten soll. Die Transferraten sollen 560 MB/s lesend und 515 MB/s schreibend erreichen. Ferner werden 98.000 IOPS lesend und 32.000 IOPS schreibend für wahlfreie (random) Datentransfers mit hoher Befehlswarteschlange genannt. Speicherchips, Controller und Firmware sollen aus eigenem Haus stammen. Da SK Hynix auch DRAM herstellt, ist ebenso für Cache-Bausteine gesorgt.

Der neue 72-Layer-3D-NAND (3D-V4)

Bei dem Speicher handelt es sich um 3D-NAND mit 72 übereinander liegenden Lagen von Speicherzellen. Die Hersteller erhöhen die Zahl der Layer immer weiter, um mehr Speicherplatz pro Chipfläche zu ermöglichen. Samsung und IMFT (Intel/Micron) fertigen 64-Layer-3D-NAND in Serie, Toshiba und Western Digital sind bereits bei 96 Layer angekommen.

Bei SK Hynix bedeuten 72 Layer die inzwischen vierte 3D-NAND-Generation (3D-V4), die im Gegensatz zu den vorherigen nun groß in Fahrt kommen soll. Anfangs bot 3D-V4 nur 256 Gigabit pro Die, für die Enterprise-SSDs stehen jetzt auch größere Speicherchips mit 512 Gigabit zur Verfügung. Das TLC-Design speichert drei Bit pro Speicherzelle.

Gegenüber der dritten Generation (3D-V3) mit 48 Layern soll die Produktivität bei der Herstellung um 30 Prozent gesteigert worden sein – das Verfahren verspricht niedrigere Kosten. Zudem soll das „high-speed circuit design“ gleichzeitig für mehr Leistung sorgen. Intern sollen die Chips doppelt so schnell arbeiten. Am Ende seien dadurch lesend wie schreibend 20 Prozent höhere Transferraten als beim 48-Layer-3D-NAND möglich, versprach der Hersteller bei der Vorstellung vor knapp einem Jahr.

PCIe-SSD für Server folgt

SK Hynix hat außerdem die abgeschlossene Entwicklung einer neuen PCIe-Enterprise-SSD mit 72-Layer-NAND verkündet. Dank der schnelleren Schnittstelle soll die PCIe-SSD 2.700 MB/s lesend und 1.100 MB/s schreibend bei sequenziellen Übertragungen erzielen. 230.000 und 35.000 IOPS sollen es bei Random Read/Write sein. Die IOPS beim wahlfreien Schreiben erscheinen zunächst niedrig, es könnte sich aber auch um eine Angabe für den Steady State handeln. Die PCIe-SSD soll eine Speicherkapazität von „mehr als 1 TB“ besitzen.