LTE-Modem: Snapdragon X24 aus 7-nm-Fertigung schafft 2 Gbit/s
Qualcomm zündet zum MWC 2018 die nächste Stufe der LTE-Modem-Entwicklung und präsentiert mit dem Snapdragon X24 die erste Lösung für 2 Gbit/s im Downlink. Es ist zudem Qualcomms erster Chip, der in 7 Nanometer FinFET vom Band läuft.
Nach 1 Gbit/s mit dem Snapdragon X16 und 1,2 Gbit/s mit dem Snapdragon X20 erreicht das neue Snapdragon X24 nun bis zu 2 Gbit/s im Downstream. Dies wird erreicht, indem insgesamt bis zu sieben Carrier aggregiert (Carrier Aggregation) werden können. Die maximale Geschwindigkeit von 2 Gbit/s lässt sich aber auch schon mit fünffacher Carrier Aggregation bei der Nutzung von 4×4 MIMO erzielen. Bei vier Antennen ergeben sich aus fünf Frequenzblöcken 20 sogenannter Spatial Streams mit einer Bandbreite von insgesamt 100 MHz und somit 2 Gbit/s im LTE-Netz.
Die Modulation liegt wie zuletzt beim Snapdragon X20 bei 256-QAM, sodass der Durchsatz pro Stream bei 100 Mbit/s liegt (20 × 100 Mbit/s = 2 Gbit/s). Beim Snapdragon X20 konnten auf allen vier Antennen drei Carrier aggregiert werden, sodass zwölf Streams zu 1,2 Gbit/s führten. Beim Snapdragon X16 war dies nur mit zwei der vier Antennen möglich, die anderen beiden waren auf zwei Carrier beschränkt, sodass „nur“ 1 Gbit/s möglich war. Wie beim Snapdragon X20 ist der Mischbetrieb aus Frequenzblöcken im lizenzierten und unlizenzierten Spektrum möglich, eine genaue Aufschlüsselung der möglichen Kombinationen fehlt derzeit aber noch.
Maximaler Upstream verdoppelt
Auch im Upstream vollzieht das Snapdragon X24 einen deutlichen Schub, da erstmals auch hier eine Modulation von 256-QAM verwendet wird. In Verbindung mit der MIMO-Technik Full Dimension Multi-Input Multi-Output (FD-MIMO) können drei Frequenzblöcke zu je 20 MHz zusammengelegt werden, sodass ein Uplink-Verdoppelung auf jetzt 316 Mbit/s zur Verfügung steht. Downlink und Uplink können in diesem Maße natürlich nur voll ausgeschöpft werden, sofern der Netzanbieter dies unterstützt, was in Deutschland derzeit nicht der Fall ist.
Der höhere Upstream wird über den neuen QET5100 Envelope Tracker realisiert, der beim RF-Verstärker statt einer fixen eine variable Spannung anlegen kann. Außerdem wird simultan High Power User Equipment (HPUE) auf Band 41 mit bis zu 31 statt 23 dBm unterstützt. Der RF-Transceiver wird in 14 nm gefertigt, das Modem in 7 nm.
TSMC übernimmt die 7-nm-Fertigung
Die Fertigung des Snapdragon X24 findet in 7 Nanometer FinFET statt. Basierend auf der aktuellen Entwicklung auf dem Foundry-Markt kommt dafür derzeit nur TSMC infrage. Dass Qualcomm nach zwei Generationen der 10-nm-Fertigung (10LPE und 10LPP) von Samsung zu TSMC wechseln wird, wird seit längerer Zeit aus dem asiatischen Raum kolportiert und scheint sich hiermit zu bestätigen.
Dazu passt auch, dass der Snapdragon 855 in 7 Nanometer bei TSMC vom Band laufen soll. Die Sample-Produktion des Snapdragon X24 ist bereits angelaufen, mit entsprechend ausgestatteten Endgeräten rechnet Qualcomm bis Ende des Jahres. Das wiederum würde bedeuten, dass Qualcomm die Snapdragon-Roadmap beschleunigt hat und den Snapdragon 855 früher als gedacht auf den Markt bringen wird. Üblicherweise erfolgt bei Qualcomm die High-End-Chip-Vorstellung zum Ende des Jahres, bevor erste Produkte dann im Frühjahr des darauffolgenden Jahres auf den Markt kommt.
Snapdragon 855 kommt mit Snapdragon X24
Da Qualcomm 2019 aber auch eine erste 5G-Lösung auf Basis des Snapdragon X50 anbieten möchte, könnte das kommende Jahr zweigleisig gefahren werden: ein Snapdragon-SoC (855) mit Snapdragon X24 und ein weiteres Flaggschiff mit Snapdragon X50 für 5G. Auf Nachfrage von ComputerBase hat Qualcomm bestätigt, dass das Snapdragon X24 im nächsten Top-Snapdragon-SoC stecken wird.