Automotive: Samsung fertigt LPDDR4X für Autos in der 10-nm-Klasse

Nachschub von Samsung für den auch im Automobil steigenden Speicherbedarf: Ab sofort fertigt das Unternehmen LPDDR4X DRAM auch als Modul mit 16 Gigabit im aktuellen Produktionsverfahren der 10-nm-Klasse. Der neue Speicher ist für höhere Temperaturen als das bisher von Samsung verfügbare Produkt ausgelegt.

Die 10-nm-Klasse beschreibt bei Samsung ein Fertigungsverfahren, das zwischen 10 und 19 Nanometer liegt. Der bisher von Samsung für das Automobilsegment gefertigte Speicher entstammte noch der 20-nm-Klasse mit einer Größe zwischen 20 und 29 Nanometer. Abnehmer der vorherigen Generation LPDDR4 ist zum Beispiel Audi. Der Automobilkonzern kauft bei Samsung nicht nur DRAM ein, sondern im Rahmen des Progressive SemiConductor Program (PSCP) auch eMMC-Speicher.

Neuer Speicher für 125°C spezifiziert

Samsungs neuer LPDDR4X DRAM entspricht dem „Automotive Grade 1“ und soll im Temperaturbereich zwischen -40°C und +125°C zuverlässig arbeiten. Bisher entsprach der Arbeitsspeicher von Samsung noch dem „Automotive Grade 2“ und war für maximal +105°C spezifiziert. Samsung sieht sich durch die Einhaltung der noch strengeren Spezifikationen besser für den anspruchsvollen globalen Automobilmarkt aufgestellt.

Gegenüber den früheren 20-nm-Speichermodulen mit maximal 8 Gigabit Kapazität sei die Leistung um 14 Prozent auf 4.266 Mbit/s angestiegen. Gleichzeitig soll die Energieeffizienz um 30 Prozent verbessert worden sein. Samsungs neuer LPDDR4X-Speicher folgt auf den erst im Februar angekündigten Universal Flash Storage für Autos mit 256 GByte. Dieser entspricht allerdings noch dem „Automotive Grade 2“. Seit der Übernahme des Autozulieferers Harman ist Samsung deutlich aktiver in diesem Segment unterwegs.