Flash-Speicher: Neue Fabrik von Toshiba für erhöhte SSD-Nachfrage

Die Nachfrage an SSDs und Flash-Speicher im Allgemeinen ist ungebrochen hoch und soll auch in Zukunft kaum abflauen. Toshiba will auch in den nächsten Jahren gegen Samsung, Micron & Co bestehen und baut eine neue Fabrik speziell für ihre BiCS-Flash-Familie.

Im japanischen Kitakami in der Präfektur Iwate will die Toshiba Memory Corporation (TMC) das neue Werk errichten. Nördlich der Stadt wurde dafür eine Fläche in einem Industriegebiet ausgewählt, in dem Toshiba bereits vertreten ist und unter anderem auch unter der Marke Japan Semiconductor als Auftragsfertiger arbeitet. Die neue Fabrik wird in eine separate Firma ausgegliedert, die sich Toshiba Memory Iwate Corporation (TMI) nennt, eine 100-prozentige Tochter der Toshiba Memory Corporation (TMC) ist und den Betrieb offiziell am 25. Dezember 2017 aufnahm.

Bereits zuvor begannen aber die Planungen für eine Kapazitätserweiterung. Im September 2017 wurde bereits der Standort ausgewählt, seit Februar 2018 die Vorbereitungen dort getroffen, sodass der Baubeginn im Juli dieses Jahres starten kann. Western Digital hatte bereits im März verlauten lassen, dass sie 4,68 Milliarden US-Dollar in Flash Ventures investieren werden. Darin enthalten sind unter anderem neue Produktionslinien in der Chipfabrik in Yokkaichi (Fab 6) sowie Finanzierung und Mittel für die Anlage in Kitakami, dessen Details nun bekannt wurden. Wie groß der finanzielle Anteil von Toshiba an der neuen Fabrik ist, wurde nicht bekannt. Gemeinsam fertigen und entwickeln Toshiba und Western Digital aber auch in Zukunft den BICS-Flash genannten 3D-NAND, die drei Flash-Venture-Vereinbarungen laufen mindestens bis 2027.

Alles auf BiCS-Flash für SSDs

BiCS3 ist der jetzige aktuelle Standard bei Toshiba, die ersten beiden Generationen waren nur in geringer Auflage hergestellt worden. Angekündigt und mittlerweile in erste kleineren Chargen ausgeliefert ist auch bereits BiCS4, bei der die Zahl der übereinander liegenden Zellschichten von 64 (BiCS3) auf 96 Layer steigt. Geplant sind TLC-Varianten mit 3 Bit sowie erstmals QLC-Flash mit 4 Bit pro Zelle, um die erhöhte Nachfrage nach größerer Kapazität zu befriedigen. Diese sieht Toshiba in erster Linie auch aus dem professionellen Umfeld, weshalb die Pressemitteilung explizit von der wachsenden Nachfrage im Bereich Data Center und Enterprise Server spricht. Zusätzlich zum Fabrikbau sollen gezielte Investitionen, Weiterentwicklungen des BiCS-Flash sowie neuer Speichergenerationen auch zukünftig das Unternehmen wettbewerbsfähig halten – BiCS5 war bereits auf den Roadmaps vertreten.