Samsung: 32-GByte-SO-DIMM für Gaming-Notebooks möglich

Samsung hat die neuesten Techniken in der Fertigung von Speicherchips nun auch auf das SO-DIMM-Format gebracht. Mit 16-Gigabit-Chips aus der 10-nm-Fertigungsklasse werden fortan 32-GByte-Module möglich, die eine Bestückung in professionellen und Gaming-Laptops bis zum Maximum der Spezifikation zulassen.

Mit DDR4-2666 entsprechen die neuen SO-DIMM-Riegel dem heute gängigen Standard. Die neuen Speicherchips sollen gegenüber dem im Jahre 2014 eingeführten Vorgänger mit 8 Gigabit nicht nur die doppelte Kapazität bieten, sondern auch elf Prozent schneller (2400 auf 2666 MHz) und 39 Prozent effizienter sein. Die Leistungsaufnahme zwei dieser Speicherriegel soll unter Last 4,6 Watt betragen, im Leerlauf sollen die 64 GByte RAM lediglich 1,4 Watt benötigen.

Zu Preisen gibt es aktuell keine Angaben. Im Handel kostet ein 32-GByte-Kit mit DDR4-2666-SO-DIMM über 300 Euro. Da die Preise für DRAM aktuell sehr hoch sind, werden die neuen Module mit neuer Fertigung und komplexerer Packdichte anfangs noch teurer sein. 64 GByte in zwei Speicherbänken im Notebook sind nun zwar möglich, aber auch ein hoher Kostenfaktor.

Die Fertigung bleibt ein Mysterium

Welchen Schritt in der 10-nm-Fertigung Samsung einsetzt, ist auch heute unklar. Die 10-nm-Klasse beschreibt bei Samsung ein Fertigungsverfahren, das zwischen 10 und 19 Nanometer liegt. Dies ist in der Speicherbranche üblich und mitunter dem Marketing geschuldet. Micron erklärte vor einigen Jahren, dass es auch bei Arbeitsspeicher mit jedem Schritt nicht nur komplizierter wird, sondern auch die benötigte Fläche an Reinraum und das Arbeitsmaterial deutlich steigt, selbst um nur den gleichen Ausstoß an Wafern wie zuvor beizubehalten. Die 1y getaufte Fertigung bei Speicher werde beispielsweise nicht einmal ansatzweise 15 nm erreichen; und dies nur auf der Logic-Seite, erklärte Micron bereits 2016.

1y als Produktionslösung für DRAM-Chips hatte Samsung im Dezember 2017 eingeführt. Diese ist der erste optimierte Schritt in der 10-nm-Klasse, die mit 1x begann. Darauf folgend wird 1z kommen, der weitere Optimierungen enthalten wird. Später folgen 1α und 1β, dann wird auch bei DRAM die EUV-Lithografie zum Einsatz kommen (müssen). Bis es soweit ist, werden aber noch Jahre vergehen.

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