GDDR6: Micron startet Massenproduktion mit 14 Gb/s

Micron hat den Start der Massenfertigung von GDDR6-Speicherchips mit einer Kapazität von 8 Gigabit (1 GB) bekannt gegeben. Im Produktkatalog sind Varianten mit Durchsatzraten von 10 bis 14 Gb/s für die Bereiche Graphics/AI, Network und Automotive aufgelistet. Die Durchsatzrate steigt gegenüber GDDR5X um bis zu 17 Prozent.

Microns GDDR6 ist 17 Prozent schneller als GDDR5X

Für Redaktion und Leser ist der Bereich Graphics von besonderem Interesse, denn diese Chips sind für den Einsatz in der neuen Generation von Grafikkarten zu erwarten. Die höhere Datenübertragungsrate ermöglicht eine größere Speicherbandbreite, was die Grafikleistung auch in Spielen steigern kann. Im Falle der zunächst schnellsten Variante mit 14 Gb/s wird bei einem Speicherinterface von 384 Bit eine Speicherbandbreite von 672 GB/s möglich. Gegenüber den bis zu 12 Gb/s und 576 GB/s bei GDDR5X bedeutet dies ein Plus von rund 17 Prozent.

	Durchsatz*	Speicherbus	Speicherbandbreite
GDDR6	14 Gb/s	384 Bit	672 GB/s
GDDR5X	12 Gb/s		576 GB/s
GDDR5	9 Gb/s		432 GB/s
*aktuelles Maximum

Noch weitaus größer fällt der Vorsprung gegenüber dem weitaus verbreiteteren eigentlichen Vorgänger GDDR5 aus: Dieser erreicht maximal 9 Gb/s und bei gleicher 384-Bit-Anbindung entsprechend nur 432 GB/s – hier ist GDDR6 rund 56 Prozent schneller. Weitere Beispiele für den Bandbreitenvergleich liefert eine Grafik von Micron. Im Hinterkopf sollte dabei behalten werden, dass 14 Gb/s nicht das Ende der Fahnenstange sind, denn 16 Gb/s sind bereits fest eingeplant – laut AnandTech sollen schon Teilenummern existieren. Für später plant Micron mit 18 und 20 Gb/s.

GDDR6 für vier Bereiche

Nicht nur für Grafikkarten, sondern auch GPU-Beschleuniger für den Bereich Künstliche Intelligenz (AI) sieht Micron GDDR6-Speicher vor. Außerdem sollen Netzwerklösungen vom hohen Speicherdurchsatz und der niedrigen Leistungsaufnahme profitieren. Folgende Varianten hat Micron nun vorgestellt. Die Modelle für Automotive sind für einen größeren Temperaturbereich spezifiziert und durchlaufen erst noch die Bemusterung (Sampling).

Marktsegment	Teilenummer	Kapazität	Durchsatz	Spannung	Package	Temperaturspanne	Status
Graphics/AI	MT61K256M32JE-14	8 Gigabit	14 Gb/s	1,35 V	FBGA (180 Pins)	0 – 95 °C	Produktion
	MT61K256M32JE-13		13 Gb/s
	MT61K256M32JE-12		12 Gb/s
Network	MT61M256M32JE-12 N			1,25 V
	MT61M256M32JE-10 N		10 Gb/s
Automotive	MT61M256M32JE-12 AAT		12 Gb/s			-40 – +105 °C	Sampling
	MT61M256M32JE-10 AAT		10 Gb/s

Samsung ist schon weiter

Sowohl bei Durchsatz als auch Speicherkapazität ist die Konkurrenz schon weiter. Samsung hatte bereits im Januar den Start der Massenproduktion von GDDR6 mit 16 Gigabit pro Chip und 18 Gb/s verkündet. Etwa im gleichen Zeitraum hatte SK Hynix 8-Gb-Chips mit bis zu 14 Gb/s als verfügbar deklariert; mit diesem Niveau zieht Micron nun gleich.