Spezial-Flash vs. 3D XPoint: Samsungs Z-SSD hat gegen Intels Optane keine Chance

Auf niedrige Latenzen getrimmte SSDs mit NAND-Flash-Speicher gelten als Antwort zu Intels Optane-SSDs mit schnellem 3D-XPoint-Speicher. In einem ersten Test ist Samsungs „Z-SSD“ vom Typ 983 ZET gegen Intels Optane DC P4800X angetreten. Dabei geht 3D XPoint als klarer Sieger hervor, NAND-Flash punktet beim Preis.

Samsung 983 ZET versus Intel Optane DC P4800X

Der Test von PC Perspective konstatiert der Samsung 983 ZET alias Z-SSD zunächst eine deutlich höhere Leistung als herkömmlichen SSDs, was vor allem auf die niedrigen Latenzen zurückzuführen ist. Samsung nennt je nach Disziplin 15 bis 20 µs, doch SSDs mit 3D XPoint liegen noch unter 10 µs. Dieser Vorteil zeigt sich im Vergleich mit der Intel Optane P4800X (Test), die bei wahlfreien Zugriffen und entgegen der Angaben im Datenblatt auch bei manchem sequenziellem Transfer die Z-SSD hinter sich lässt.

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Zu bemerken ist, dass weder die Produkte noch die Tests für Privatanwender von Relevanz sind. Denn bei beiden handelt es sich um teure Enterprise-SSDs für Server und bedienen selbst hier nur Nischen mit Anwendungen mit besonders hohem Leistungsbedarf. Doch in diesem Revier sind die Optane-SSDs klar der Platzhirsch, denn auch stark optimierter NAND-Flash kann dem Phasenwechselspeicher 3D XPoint nicht das Wasser reichen.

PC Perspective: Z-SSD müsste günstiger sein

Am Ende muss aber auch der Preis in Relation zur Leistung berücksichtigt werden. Die Optane P4800X kostet im günstigsten Fall bereits knapp 3 USD pro Gigabyte. Die 983 ZET gibt es dagegen für knapp 2,5 USD pro GB. Angesichts der Benchmarks erachtet PC Perspective das Preisniveau der Z-SSD allerdings für etwas zu hoch, um konkurrenzfähig zu Optane zu sein.

		Samsung 983 ZET (Z-SSD)	Intel Optane DC P4800X
Formfaktor		AIC	AIC/U.2
Schnittstelle		PCIe 3.0 x4 (NVMe)
Kapazität		480/960 GB	375/750/1500 GB
Speichertyp		3D-NAND (SLC)	3D XPoint (SLC)
Latenz Random (Lesen/Schreiben)		20 / 16 µs	< 10 µs
Latenz Sequenziell (Lesen/Schreiben)		15 / 15 µs
4K Random Read		750.000 IOPS	550.000 IOPS
4K Random Write		750.000 IOPS	500.000 IOPS
Seq. Read		3.400 MB/s	2.400 MB/s
Seq. Write		3.000 MB/s	2.000 MB/s
Garantie	Zeitraum	5 Jahre
	Schreibmenge (DWPD)	8,5/10	30/30/60
	Schreibmenge (TBW)	7,4/17,5 PB	20,5/41/164 PB
Preis		1.190/2.380 USD	1.100/2.300/6.500 USD
Preis/GB		2,48/2,48 USD	2,93/3,07/4,33 USD

Toshiba XL-Flash will auch mitspielen

Mit dem sogenannten XL-Flash verfolgt Toshiba einen ähnlichen Ansatz wie Samsung mit Z-SSD und Z-NAND. Ziel ist ein SLC-NAND-Speicher mit besonders niedriger Latenz für SSDs mit hoher Leistung. Bisher ist nicht bekannt, wann Produkte mit XL-Flash erscheinen werden.