Samsung: UFS-Speicher mit 1 TB für Smartphones geht in Serie

Samsung will die „nächste Generation Mobilgeräte“ mit reichlich Speicherplatz versorgen. Der Hersteller hat mit der Massenfertigung von Universal Flash Storage (UFS) mit rund einem Terabyte Speicherplatz im 11,5 mm × 13,0 mm (L×B) kleinen Chip-Gehäuse begonnen. Daten sollen mit bis zu 1.000 MB/s übertragen werden.

In puncto Speicherkapazität von UFS setzt Samsung damit die Messlatte weiter nach oben. Die Konkurrenz bietet bei diesem Speicherformat maximal 512 GByte. Samsung stapelt dafür 16 NAND-Chips á 512 Gbit (64 GB) sowie den Controller in einem Package übereinander. Dabei kommt die aktuelle Generation 3D-NAND mit 96-Layer-Technik zum Einsatz.

Künftig sollen Smartphones somit so viel Speicherplatz wie ein Notebook bieten. Zumindest in absehbarer Zeit wird dies aber wohl nur bei wenigen High-End-Geräten der Fall sein – 16 NAND-Chips haben auch ihren Preis. Derzeit sind Speicherkapazitäten von 32 GB bis 256 GB im Smartphone üblich, selten auch 512 GB. Gerüchten zufolge soll Ende Februar ein Sondermodell des Galaxy S10+ mit 1 TB Speicherplatz und Rückseite aus Keramik vorgestellt werden.

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Die neuen Speicherbausteine arbeiten nach UFS 2.1 und sollen Daten sequenziell mit bis zu 1.000 MB/s lesen. Geschrieben wird hingegen nur mit bis zu 260 MB/s. Die Leistung beim zufälligen Lesen will Samsung gegenüber der 512-GB-Version um 38 Prozent auf nun 58.000 IOPS gesteigert haben, schreibend sollen noch 50.000 IOPS möglich sein.

UFS 3.0 kann doppelt so schnell

In puncto Leistung geht es aber noch schneller: Toshiba hat bereits erste Speicherlösungen auf Basis von UFS 3.0 angekündigt. Im gleichen Format ist die Datenrate bei UFS 3.0 gegenüber UFS 2.1 verdoppelt. Damit wären theoretisch bis zu 2.900 MB/s brutto respektive 2.400 MB/s an nutzbarer Datenrate möglich. Toshibas Angaben lassen aber Geschwindigkeiten von zunächst knapp 2.000 MB/s vermuten.