Galaxy S10e, S10 und S10+ im Test: Samsungs teures Smartphone-Trio nähert sich der Perfektion

Exynos 9820 im Benchmark-Test

Mit jeder neuen Galaxy-S-Generation feiert ein neues High-End-SoC von Samsung Semiconductor-Sparte Premiere. Dieses Jahr ist es der in 8 nm LPP (Low Power Plus) FinFET gefertigte Exynos 9820, dessen Herstellungsprozess im Vergleich zum 10-nm-LPP-Prozess des Exynos 9810 den Energiebedarf um bis zu 10 Prozent reduzieren soll.

Der Exynos 9820 macht sich für die CPU drei unterschiedliche Typen von Kernen zunutze. Zwei selbst entwickelte Exynos M4 (Mongoose 4) mit einem von ComputerBase ermittelten Maximaltakt von 2,73 GHz bilden die Speerspitze der CPU. Darauf folgen zwei bei ARM eingekaufte Kerne des Typs Cortex-A75 mit bis zu 2,31 GHz sowie vier Cortex-A55 mit bis zu 1,95 GHz. Samsung selbst nennt einen Leistungszuwachs von bis zu 15 Prozent in Multi-Core-Anwendungen gegenüber dem Exynos 9810 des Galaxy S9, S9+ und Galaxy Note 9.

Exynos M4 kommt Vortex näher

In den Multi-Core-Messungen des Geekbench 4 liegt der Exynos 9820 beim Gesamtergebnis zwischen 13 und 18 Prozent vor dem Exynos 9810. Eine Ausnahme bildet der Speicher-Benchmark, in dem die Galaxy S10 rund 50 Prozent besser als die Galaxy S9 abschneiden. Als Arbeitsspeicher kommen 6 GB (S10e) sowie 8 GB (S10, S10+) LPDDR4X-4266 zum Einsatz. Das Quad-Channel-Interface ist bisherigen Erkenntnissen zufolge allerdings das gleiche wie letztes Jahr. Samsung nannte zur Ankündigung jedoch explizit auch Optimierungen für Speicherzugriffe.

Für Single-Core-Anwendungen gibt Samsung einen Leistungszuwachs von bis zu 20 Prozent vom Exynos M3 zum neuen Exynos M4 an. Laut Geekbench kommt der Exynos M4 auf ein Plus von 19 bis 21 Prozent. Erneut bildet der Speicher-Benchmark die Ausnahme, da der Leistungszuwachs hier bei 43 bis 50 Prozent liegt. Der Exynos M4 kommt mit seiner Leistung sogar den Vortex-Kernen des Apple A12 Bionic gefährlich nahe. Apples Vorsprung beträgt nur noch 6 Prozent, nachdem zwischen dem Exynos M3 des Exynos 9810 und den Monsoon-Kernen des A11 Bionic noch 11 Prozent lagen.

Mali-G76 MP12 klar Apple unterlegen

Beinahe chancenlos ist Samsung allerdings gegen Apples eigens entwickelte Quad-Core-GPU des A12 Bionic, und das obwohl Samsung mit der Mali-G76 MP12 auf eine der stärksten derzeit erhältlichen GPUs von ARM setzt. Im neuen GFXBench Aztec Ruins in 1440p-Auflösung unter Verwendung der neuen APIs Vulkan (Android) und Metal (iOS) liegt Apples Vorsprung sechs Monate nach der Vorstellung bei 39 Prozent. Wird die Auflösung auf 1080p reduziert, steigt Apples Vorsprung auf 53 Prozent.

Im nicht ganz so stark fordernden Benchmark Car Chase in 1080p-Auflösung bei Nutzung von OpenGL ES 3.1 (Android) und Metal (iOS) sieht es für Samsung nicht besser aus. Zwar wird die Adreno-630-GPU des Snapdragon 845 ebenso klar geschlagen wie die Mali-G72 MP18 des Exynos 9810, der Maßstab bleibt allerdings Apple mit einem Vorsprung zwischen 39 und 50 Prozent. Dieser Eindruck setzt sich in den weiteren Messungen des GFXBench fort. Die GPU des Exynos 9820 ist durchaus sehr leistungsstark und ein guter Fortschritt im Vergleich zum Vorjahr, Apple hat mit der GPU-Eigenentwicklung im A12 Bionic aber klar die Nase vorn. Nach wie vor können zum Beispiel Grafik-Kracher wie Asphalt 9: Legends nur auf den aktuellen iPhones mit 60 FPS gespielt werden. Unter Android beschränkt der Entwickler Gameloft das Spiel selbst bei High-End-Smartphones auf 30 FPS.

Spannend dürfte in den GPU-Tests das Duell mit der Adreno 640 des Snapdragon 855 werden. ComputerBase wartet derzeit auf ein Sample des Galaxy S10 aus den USA, das mit Qualcomms Prozessor ausgestattet ist. Hierzulande und in Europa sowie in Samsungs Heimatmarkt Südkorea werden die Galaxy S10 mit Exynos 9820 angeboten.

Schneller Speicher und microSD-Slot

Der Exynos 9820 ist Samsungs erstes SoC, das Universal Flash Storage 3.0 unterstützt. Der neue Standard verdoppelt die Datenrate pro Lane von 5,8 Gbit/s auf 11,6 Gbit/s. Effektiv wird bei UFS 3.0 von Datenraten von 1.200 MB/s pro Lane gesprochen, bei zwei Lanes steigt die Datenrate auf 2.400 MB/s. In keinem der neuen Galaxy S10 ist allerdings bereits UFS 3.0 verbaut, stattdessen kommt UFS 2.1 mit Größen von 128 GB (S10e), 128 GB und 512 GB (S10) sowie 128 GB, 512 GB und 1 TB (S10+) zum Einsatz, der aber nach wie vor sehr gute Werte beim Lesen und Schreiben liefert. Erst das faltbare Galaxy Fold ist mit dem neuen UFS 3.0 ausgestattet.

Erfreulich ist, dass die 128-GB-Version des Galaxy S10e und S10 zumindest beim Lesen genauso schnell arbeitet wie die 512-GB-Version des Galaxy S10+. Beim sequentiellen Lesen sind Werte über 800 MB/s üblich, während beim sequentiellen Schreiben das Galaxy S10e und S10 auf knapp 200 MB/s kommen und das Galaxy S10+ mit größerem Speicher an den 250 MB/s kratzt. Beim wahlfreien Lesen liegen unabhängig vom S10-Modell rund 135 MB/s an, beim wahlfreien Schreiben sind es noch rund 24 MB/s.

Alle drei Galaxy S10 erlauben eine Speichererweiterung via microSD-Karte, die bis zu 1 TB groß sein darf. Das Galaxy S10+ lässt sich somit auf bis zu 2 TB Speicherkapazität bringen. Der Steckplatz für die Speicherkarte ist ein Hybrid-Slot, bei dem entweder die Option der Speichererweiterung oder die einer zweiten SIM besteht – beides ist nicht möglich. Der Cardreader der Galaxy S10 erreicht mit 74 MB/s beim Lesen und 65 MB/s beim Schreiben gute bis sehr gute Werte und stellt keinen Flaschenhals bei der Alltagsnutzung dar, wenngleich der interne Speicher naturgemäß schneller arbeitet.

Samsung-SoC bei Dauerlast im Throttle-Test

Auch mit dem Thema des Throttlings hat sich ComputerBase in CPU- und GPU-Messungen auseinandergesetzt, um festzustellen wie sich der Exynos 9820 bei mehreren Durchläufen desselben Benchmarks (Geekbench 4) verhält. Hier galt es zunächst, das Verhalten des Exynos M4 zu beobachten und wie sich dessen Leistung zum einem in jedem der drei Smartphones und zum anderen nach längerer Belastung entwickelt. Hier lässt sich zuerst festhalten, dass das Galaxy S10+ aufgrund des größeren Gehäuses einen leichten Vorteil gegenüber dem Galaxy S10 und S10e hat. Die Leistung fällt bei Dauerbelastung bis auf einen Durchlauf etwas höher aus.

Bis inklusive des fünften Benchmark-Durchlaufs hält sich der Leistungseinbruch in Grenzen, bevor zum siebten Durchgang das erste Mal ein Tal erreicht wird, wobei dies beim Galaxy S10+ erst einen Durchlauf später passiert. Darauf folgt schließlich ein Phase des Auf und Ab, in der sich die CPU immer wieder kurz erholen kann, um dann wieder eingebremst zu werden.

Unter Einbeziehung aller Kerne setzen sich Galaxy S10+ und S10e ein wenig vom S10 ab, außerdem kommt es erst ab dem achten Durchlauf zu einem Leistungsabfall, wobei dies im Diagramm schlimmer aussieht, als es ist. Auf den ersten Knick folgt ein Auf und Ab wie bei den Single-Core-Messungen.

In den Single-Core-Tests wird der Exynos M4 im Galaxy S10+ im schlechtesten Fall auf 64 Prozent seiner Anfangsleistung eingebremst. Beim Galaxy S10 sind es noch 52 Prozent und beim Galaxy S10e ebenfalls 52 Prozent. Das zeigt, dass im Galaxy S10+ unterm Strich die höchste Single-Core-Leistung bei Dauerlast abgerufen werden kann. Bei den Multi-Core-Messungen bricht die Leistung weniger stark ein. Hier werden beim Galaxy S10+ im schlechtesten Fall noch gute 89 Prozent der Ausgangsleistung erreicht, beim Galaxy S10 sind es 84 Prozent und beim Galaxy S10e 88 Prozent.

Hinsichtlich der GPU-Dauerbelastung schneiden alle drei Smartphones sehr gut ab. Zwar schafft auch hier das Galaxy S10+ einen Durchlauf mehr mit maximaler Leistung, ab dem vierten respektive fünften Durchlauf bleibt die Leistung allerdings konstant hoch. Von zunächst 69 FPS im GFXBench Manhattan 3.1 mit der Offscreen-Auflösung 1080p kommend liegen zum Schluss noch 55 FPS respektive 56 FPS an. Das sind im schlechtesten Fall somit noch 80 Prozent der Ausgangsleistung. Längeres Spielen ist mit den drei Galaxy S10 somit ohne spürbare Leistungseinbußen möglich. Als Spieler merkt man nur das ziemlich warme Gehäuse, das aber noch nicht unangenehm heiß wird.