33 Prozent schneller: Samsung bringt HBM2E an den Start

Zur GTC 2019 hat Samsung mit HBM2E „Flashbolt“ eine Erweiterung des bekannten Speicherstandards im Gepäck, der 33 Prozent schneller ist als bisherige HBM2-Lösungen. Als Ziel bieten sich neben Grafikkarten vor allem Supercomputer und Datenzentren an, die Künstliche Intelligenz und Maschinelles Lernen als Fokus haben.

3,2 anstatt bisher 2,4 Gbit/s beträgt die Datenrate von HBM2E. Die Speicherbandbreite für einen kompletten Speicherstack würde demnach von 307 auf 410 GB/s ansteigen. Da erstmals 16-Gigabit-Chips statt 8 Gbit zum Einsatz kommen, können durch die bisher bereits genutzte Technik der achtfachen Stapelung fortan maximal 16 GByte in einem HBM2E-Package realisiert werden.

Doppelte Kapazität und höhere Bandbreite

Unterm Strich heißt dies, dass die Speicherkapazität verdoppelt wurde. Ausgehend von aktuellen Grafiklösungen wie der AMD Radeon Instinct MI 60 und Nvidia Quadro GV100, die auf vier HBM2-Stacks setzen, würde dies in Zukunft verdoppelte 64 GByte mit einer Transferrate von 1,64 TByte pro Sekunde ermöglichen. Die JEDEC hatte kürzlich veranlasst, dass nicht nur acht Dies übereinander gestapelt werden können, sondern in Zukunft auch bis zu zwölf. Dies würde effektiv 24 GByte pro HBM-Package ermöglichen, bei vier Chips wären folglich 96 GByte möglich. In diesen Spezifikationen ist aber noch von maximal 2,4 Gbps die Rede, Samsung hat dies mit 3,2 Gbps nun erhöht. Es könnte demnach also noch einmal ein Update von der JEDEC geben.

Zwischenschritt auf dem Weg zu HBM3

Einen Termin bleibt Samsung aber schuldig. Da der Hersteller explizit von Next-Generation-Lösungen spricht, dürfte der neue Speicher gerade erst die Prototypenphase erreicht oder eventuell verlassen haben. HBM2E dürfte ein Zwischenschritt zu HBM3 und HBM4 markieren. Mit HBM3 wird aber frühestens ab 2022 gerechnet.