3D-NAND-Fabrik K1: Toshiba Memory und WDC investieren gemeinsam

Im Herbst soll das neue 3D-NAND-Werk K1 im japanischen Kitakami fertig sein. Die Partner Toshiba Memory und Western Digital haben sich auf die gemeinsame Finanzierung für den Ausbau geeinigt. Ab 2020 werde dort 96-Layer-NAND hergestellt.

Bei Baubeginn im vergangenen Sommer war noch unklar, ob Western Digital an der neuen Anlage von Toshiba Memory direkt beteiligt sein wird. Im März 2018 hatte Western Digital Investitionen in Höhe von 4,7 Milliarden US-Dollar für die folgenden drei Jahre in Aussicht gestellt, die zum Teil auch für Kitakami bestimmt waren.

Traute Einigkeit nach Zankerei

Western Digital hatte durch die Übernahme von SanDisk im Jahr 2016 die langjährige Partnerschaft zwischen Toshiba und SanDisk bei der Entwicklung und Produktion von NAND-Flash geerbt. Doch Streitigkeiten über den Verkauf der Speichersparte von Toshiba, die nun eigenständig als Toshiba Memory agiert, hatten das Verhältnis der Flash-Partner zueinander verschlechtert. Daher ist die Meldung, dass sich beide nun auf die gemeinsame Investition in Kitakami geeinigt haben, keine Selbstverständlichkeit mehr.

Die vierte Generation 3D-NAND (BiCS4) mit 96-Layer-Architektur gilt derzeit als führend bei der Speicherdichte. In der Fab 6 in Yokkaichi (ebenfalls Japan) wird dieser Speicher schon seit dem letzten Jahr in Serie produziert. Mit der K1 haben beide künftig noch größere Kapazitäten und werden den Druck auf Marktführer Samsung erhöhen, der zuletzt deutlich Marktanteil verloren hat.