SK Hynix: Konkrete PCIe-4.0-SSDs und 800-Layer-NAND-Vision

Neben Toshiba Memory hat auch SK Hynix erste PCIe-4.0-SSDs für den Server-Markt angekündigt. Die PE8000-Serie soll via PCIe 4.0 x4 bis zu 6.400 MB/s und 1 Million IOPS erreichen. Ferne Zukunftsmusik bleibt vorerst die Erwähnung von 800-Layer-3D-NAND bei SK Hynix.

SK Hynix: PE8000-SSDs mit PCIe 4.0 und bis zu 64 TB

Über beides hat SK Hynix auf dem Flash Memory Summit gesprochen, wie unter anderem heise berichtet. Die Enterprise-SSDs der PE8000-Familie sind in verschiedenen Varianten zu erwarten. Ein Foto zeigt die PE8030 im 2,5-Zoll-Format mit U.2-Anschluss. Sie wird mit 800 GB bis 6,4 TB Speicherplatz auf Basis des als „4D-NAND“ vermarkteten 3D-TLC-NAND der fünften Generation („4D V5 TLC“) von SK Hynix angegeben, der demzufolge noch 96 Layer besitzt. Das unscharfe Foto lässt die Leistungsangaben teils nicht klar erkennen, doch handelt es sich augenscheinlich nicht um das Flaggschiff mit den oben genannten Eckdaten.

Laut dem Bericht sollen auf Basis von 1-Terabit-Dies in der PE8000-Familie Speicherkapazitäten von bis zu 64 TB möglich sein. Dies gelte auch für die PE8111 im „Lineal“-Formfaktor E1.L, die aber nur über PCIe 3.0 x4 verfüge und darüber 3,2 GB/s erreiche.

128-Layer-NAND von SK Hynix nun doch erst im 4. Quartal

In dem Bericht heißt es weiter, dass der neue 128-Layer-3D-NAND alias „4D V6“ erst im vierten Quartal in die Massenfertigung gehen soll. Dieser Zeitplan wird durch einen Bericht der Website Blocks and Files gestützt, der folgende Roadmap auf Basis von Informationen von SK Hynix zum Flash Memory Summit 2019 skizziert:

• V4 – 72 layers – mass production now
• V5 – 96 layers – mass production now and taking over from V4
• V6 – 128 layers – mass production starts in Q4 2019
• V7 – 176 layers in 2020
• V? – 500 layers in 2025 and 30 per cent increase in TB/wafer
• V? – 800+ layers in 2030 and 50 per cent increase in TB/wafer to 150-200TB

NAND-Flash-Roadmap von SK Hynix zum FMS 2019, via Blocks and Files

Damit widerspricht sich SK Hynix im Grunde selbst, denn in der offiziellen Ankündigung aus dem Juni hieß es, dass SK Hynix bereits mit der Massenfertigung des ersten 128-Layer-TLC-NAND mit 1 Terabit pro Die beginne.

Seoul, June 26, 2019 – SK hynix Inc. (or ‘the Company,’ www.skhynix.com) announced today that it has developed and starts mass-producing the world’s first 128-Layer 1Tb (Terabit) TLC (Triple-Level Cell) 4D NAND Flash, only eight months after the Company announced the 96-Layer 4D NAND Flash last year.

SK Hynix

In der Pressemitteilung hatte SK Hynix zudem bereits die Auslieferung von 128-Layer-NAND für die zweite Jahreshälfte 2019 in Aussicht gestellt.

800 Layer schon einmal erwähnt

Eher Schlagzeilen als greifbare Information liefert die Äußerung des für die NAND-Flash-Entwicklung bei SK Hynix zuständigen Managers Hangsok Choi. Choi hat bereits mindestens 800 Layer als Fernziel formuliert, doch könne dies bis zum Jahr 2030 dauern. Zunächst arbeitet SK Hynix an der siebten Generation („4D V7“) mit 176 Speicherschichten, die für 2020 geplant ist. Etwa für 2025 rechnet der Hersteller laut Roadmap mit rund 500 Layern; Analysten hatten diese Marke im Vorfeld bereits für 2023 prognostiziert.

Samsung hat erst kürzlich die Massenfertigung der sechsten Generation 3D-NAND (V-NAND V6) mit 136 Layern bestätigt. Diese erreicht aber vorerst lediglich 256 Gbit pro Die, erst später sind 512 Gbit geplant und von 1 Terabit ist noch keine Rede. Den Blick in die Zukunft richtete Samsung zunächst auf 3D-NAND mit mehr als 300 Layern, ohne jedoch einen Zeitraum zu nennen.

Auch die Flash-Partner Western Digital und Toshiba Memory haben eine 128-Layer-Generation namens „BiCS5“ in den Startlöchern, bei der bisher unklar ist, ob diese noch in diesem oder im kommenden Jahr die Serienfertigung erreicht. Der BiCS5-NAND wird aber voraussichtlich in puncto Speicherdichte neue Maßstäbe setzen.