Flash-Speicher: YMTC soll nun 64-Layer-3D-NAND in Serie fertigen

Der chinesische NAND-Flash-Hersteller Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC) kündigt an, mit der Serienfertigung von 64-Layer-3D-NAND begonnen zu haben. Dabei soll es sich um TLC-Speicher mit 3 Bit pro Zelle und 256 Gigabit Speicherplatz pro Chip handeln.

Vor rund einem Jahr hatte YMTC seinen 64-Layer-3D-NAND auf Basis der sogenannten Xtacking-Architektur vorgestellt. Der neue Ansatz von YMTC ist, dass Chip-Logik (I/O) und Speicherbereich zunächst getrennt voneinander auf separaten Wafern gefertigt und erst später zu einem Speicherchip vereint werden. Obwohl somit zwei Wafer benötigt werden, sollen die Kosten insgesamt nicht steigen, da sich auf diesem Weg die Speicherdichte so weit optimieren lasse, dass sich der zusätzliche Wafer rentiert.

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Welches Niveau die Speicherdichte des YMTC-Flash erreicht, ist allerdings bisher nicht bekannt. SK Hynix fertigt inzwischen TLC-Speicherchips mit bis zu 1 Terabit und 128 Layern. Toshiba und Western Digital haben bereits QLC-NAND mit 1,33 Terabit im Programm.

Von 64 Layer direkt auf 128 Layer

Der aufstrebende Hersteller aus China habe seine Chipausbeute schrittweise verbessert, heißt es in einem Bericht. Im Jahr 2020 soll der Prozess soweit gereift sein, dass monatlich 100.000 bis 150.000 Wafer mit dem 64-Layer-Flash hergestellt werden können. Ebenfalls im kommenden Jahr sollen die ersten 128-Layer-Chips von YMTC hergestellt werden. Das erst 2016 gegründete Tochterunternehmen der staatlich geförderten Tsinghua Unigroup macht demnach große Fortschritte in kürzester Zeit. Wie konkurrenzfähig der 3D-NAND von YMTC letztlich ist, müssen aber finale Produkte erst noch zeigen.

YMTC gehört zur Speicheroffensive Chinas

YMTC ist nur ein Teil der großen Speicheroffensive Chinas, in die Investitionen von umgerechnet etwa 100 Milliarden US-Dollar fließen. Laut DigiTimes errichtet die Tsinghua Unigroup eine weitere Fabrik für 3D-NAND-Wafer in Chengdu, die voraussichtlich 2021 oder 2022 in Betrieb geht und dann 100.000 Wafer pro Monat herstellen soll. Parallel gebe es Pläne zur Erweiterung der Kapazitäten der bestehenden Anlage in Nanjing.

China will sich künftig von Importen von DRAM und NAND-Flash aus dem Ausland unabhängig machen. Der Aufbau der eigenen Speicherindustrie wird allerdings von Streitigkeiten um Patente mit den etablierten Herstellern sowie vom Handelsstreit mit den USA begleitet.