Neue Fertigungsstufe: 1z-nm-DRAM-Chips nun auch von SK Hynix
Als einer der drei größten Speicherhersteller auf dem Markt hat nun auch SK Hynix seinen nächsten Fertigungsschritt in der DRAM-Technologie fertiggestellt. Der in der Branche als „1z nm“ bezeichnete Schritt folgt auf die aktuellen Verfahren 1x und 1y und soll Boni in vielen Bereichen bieten.
SK Hynix verspricht in dem Zusammenhang eine Produktivitätssteigerung von 27 Prozent gegenüber der aktuellen 1y-Generation, wobei nicht genau erläutert ist, woraus sich diese Angabe zusammensetzt. Denn allein die Leistungsaufnahme soll gegenüber einem gleichen 8-Gigabit-Chip aus der Vorgängerfertigung 40 Prozent geringer ausfallen, während die Geschwindigkeit mit 3.200 MT/s nach wie vor dem schnellsten abgesegneten DDR4-Standard entspricht.
Doch was ist 1z?
Während Logic-Chips bei allen großen Herstellern in klassischen Angaben wie 28 nm, 14 nm und seit jüngerer Zeit auch 10 und 7 nm angegeben werden, wird bei DRAM-Fertigungstechnik anders verfahren. Dort war bis zum vorletzten Jahr die 1x-Fertigungsstufe an der Tagesordnung, sie markiert so etwas wie die erste Lösung in einem Bereich zwischen 10 und 20 nm, in der Regel sind es 18 oder 19 nm. Darauf folgt zunehmend 1y, wofür es keine feste Definition gibt. Vermutungen legen nahe, dass es im Vergleich zu Logic-Chips ungefähr 15 bis 16 nm sein dürften.
Wofür 1z im Bereich der Nanometer steht, ist ebenso nicht eindeutig. Wie bei 10 nm bei Halbleiterherstellern versteht jeder etwas anderes darunter – es sind primär Marketingbegriffe geworden. Die Einordnung entspricht in etwa: 1x deckt alles zwischen 16 nm und 19 nm ab, 1y zwischen 14 nm und 16 nm und der neue Schritt 1z von 12 nm bis 14 nm.
Noch ohne EUV
Wie auch Samsung und Micron wird SK Hynix klassische Lithografie für die Herstellung der Chips nutzen, was sich positiv auf die Kosten niederschlägt. EUV dürfte ab dem Nachfolger der 1z-Generation zum Einsatz kommen, kürzlich nannte ASML als Lieferant für EUV-Belichtungssysteme insbesondere Speicherhersteller als die größten Kunden, als binnen weniger Wochen 23 neue Bestellungen für EUV-Scanner verbucht wurden.
Ab dem kommenden Jahr wird SK Hynix die Massenproduktion für 1z-Chips hochfahren, vornehmlich bereits in einer Kapazität von 16 Gigabit. Sie sind für allen Arten von Speicher gedacht, der koreanische Hersteller nennt dabei neben klassischem DRAM und LPDDR5 als schnelle Lösung für mobile Begleiter auch HBM3 als the fastest DRAM to be. Doch bis dieser verfügbar wird, vergehen noch Jahre.