V1-Linie: Samsung produziert Chips mit EUV in Großserie

Mit der V1 hat Samsungs neue Chipfabrik im südkoreanischen Hwaseong mit der Massenproduktion begonnen. Zum Einsatz kommen Verfahren mit EUV und nominellen Strukturbreiten von 7 nm und 6 nm, die für „Mobile-Chips“ genutzt werden. Gegenüber 2019 soll die Fertigungskapazität bei 7 nm und darunter zum Jahresende verdreifacht werden.

Es ist nicht Samsungs erste Fertigungslinie mit EUV-Lithografie, aber jene mit dem größten Maßstab. Bis Ende 2020 soll sich mit der V1 Samsungs Kapazität bei 7 nm und noch feineren Verfahren gegenüber 2019 verdreifachen, erklärte Samsung. Bis dahin sollen die Investitionen in das Werk einen Rahmen von etwa 6 Milliarden US-Dollar erreicht haben. Der Spatenstich für die Fabrik erfolgte erst vor zwei Jahren im Februar 2018, im zweiten Halbjahr 2019 wurden die ersten Chips testweise hergestellt.

Für V1 plant Samsung schon bis 3 nm

Während die nun in Großserie produzierten Chips für den Mobile-Sektor die Fertigungsstufen 7 nm (7LPP) und 6 nm (6LPP) nutzen, plant Samsung langfristig damit in der V1 bis auf 3 nm (3GAE, 3GAP) herabzugehen. Auf Roadmaps waren Zwischenschritte von 5 nm (5LPE) und 4 nm (4LPE) abgebildet. Immer wieder zu bemerken ist dabei, dass die Prozesse inzwischen mit der eigentlichen Strukturbreite in Nanometern nicht mehr viel gemein haben und vor allem als Namen zur Unterscheidung der verschiedenen Generationen dienen.

Die EUV-Belichtung wird bei 7LPP nur für einige Schichten (Layer) des Chips verwendet. Gegenüber 10LPP (10 nm) hatte Samsung mit 7LPP bis zu 10 Prozent mehr Leistung oder bis zu 35 Prozent weniger Leistungsaufnahme versprochen. Noch geringer sind die Unterschiede zum 8LPP-Verfahren, das zu den letzten ohne EUV gehört. Zu den ersten Chips, die im 7LPP-Prozess von Samsung gefertigt wurden, gehört das Smartphone-SoC Exynos 9825, das im Galaxy Note 10 eingesetzt wird. Auch der Exynos 990 sowie mit dem Qualcomm Snapdragon 765 ein externes Produkt werden im 7LPP-Verfahren von Samsung produziert.