UFS 3.1 mit 512 GB: Samsungs Smartphone-Speicher schreibt mit 1,2 GB/s

Samsung hat die Serienproduktion von 512 GB großem eUFS 3.1 (embedded Universal Flash Storage) bekannt gegeben, der im weiteren Verlauf des Jahres in Flaggschiff-Smartphones zum Einsatz kommen soll. eUFS 3.1 bringt im konkreten Fall eine höhere Schreibrate, da die neuen Spezifikationen einen sogenannten Write Booster vorsehen.

Mit dem 512-GB-Chip nach UFS-3.1-Spezifikationen durchbricht Samsung nach eigener Angabe erstmals die Marke von 1 GB/s für das sequenzielle Schreiben. Genauer gesagt gibt Samsung eine Bruttodatenrate von 1.200 MB/s für das sequenzielle Schreiben an, was einer Verdreifachung der 410 MB/s des 512-GB-Chips nach UFS 3.0 entspricht.

Write Booster sorgt für 1.200 MB/s

Diese Verbesserung der Schreibrate dürfte Samsung auch, aber potenziell nicht ausschließlich, über den bei UFS 3.1 in den Spezifikationen vorgesehenen Write Booster erreichen. Dabei handelt es sich um einen SLC-Cache, wie er etwa bei SSDs häufig zum Einsatz kommt. Dabei wird ein Teil des NAND-Flash im SLC-Modus (Single Level Cell) mit nur einem Bit pro Speicherzelle betrieben, was insbesondere Schreibvorgänge deutlich beschleunigt. Erst in Leerlaufphasen werden die Daten in regulärer Weise dauerhaft im Speicher gesichert. Für den Anwender bedeutet das Zwischenspeichern spürbar mehr Leistung, solange die Daten in den begrenzten SLC-Puffer passen.

Neuerungen mit UFS 3.1 laut JEDEC

• Write Booster: a SLC non-volatile cache that amplifies write speed
• DeepSleep: a new UFS device low power state targeting lower cost systems that share UFS voltage regulators with other functions
• Performance Throttling Notification: allows the UFS device to notify the host when storage performance is throttled due to high temperature

Im Februar dieses Jahres hatte Western Digital mit dem iNAND EU521 eine technisch vergleichbare Lösung vorgestellt, die jedoch auf Module mit 128 GB und 256 GB Speicherkapazität beschränkt ist und in der Spitze bei Nutzung des schnellen Caches bis zu 800 MB/s beim Schreiben erreicht. Vor drei Wochen folgte Kioxia mit Bausteinen nach UFS 3.1, die bis zu 1 TB bieten und beim Schreiben ebenfalls vom SLC-Cache profitieren sollen. Beim sequenziellen Lesen könnten die Kioxia-Bausteine bis zu 2.600 MB/s leisten, sofern die angegebene Leistungssteigerung von 30 Prozent gegenüber dem Vorgänger mit UFS 3.0 zutrifft, der auf 2.000 MB/s kam.

Samsung wirbt beim 512 GB großen UFS 3.1 mit sequenziell lesend bis zu 2.100 MB/s. Bei wahlfreien Lese- und Schreibzugriffen sollen bis zu 100.000 IOPS respektive 70.000 IOPS erreicht werden. Vor allem beim Lesen ist dies eine deutliche Verbesserung um den Faktor 1,6x gegenüber dem UFS-3.0-Produkt mit gleicher Speicherkapazität.

Südkorea stellt auf 6th Gen V-NAND um

Die neuen Bausteine basieren auf Samsungs fünfter Generation V-NAND, deren Produktion diesen Monat im Werk Xi’an, China in der Fertigungsanlage X2 aufgenommen wurde. Im südkoreanischen Pyeongtaek will Samsung die Fertigungsanlage P1 in nächster Zeit von der Produktion der fünften Generation auf die sechste Generation V-NAND umstellen, um die wachsende Nachfrage am Markt bedienen zu können.