3-nm-Prozess: TSMC stößt auf mehr Probleme und Verzögerungen

Nach dem Lauf der letzten Jahre scheint TSMC bei den nächsten Prozess-Schritten vor Herausforderungen zu stehen, die Verzögerungen bedeuten. Nachdem zuletzt bereits bekannt wurde, dass sich 2 nm verspäten und infolge dessen ein 2,5-nm-Prozess dazwischen geschoben wird, ist auch der 3-nm-Prozess noch nicht in trockenen Tüchern.

Wie taiwanische Medien zum Jahresende berichten, wird sich nun auch TSMCs 3-nm-Prozess vermutlich verspäten. Der Prozess befindet sich noch immer in der Phase Forschung und Entwicklung, soll bekanntlich noch einmal auf klassische FinFETs setzen. Ursprünglich sollte Ende dieses Jahres eine erste minimale Testproduktion erfolgen, das blieb jedoch aus.

Auch bei Samsung wird der bisherige Zeitplan schwer einhaltbar, die Südkoreaner versuchen sich bereits bei 3 nm an Gate-all-around-FET. Nach einigen Verzögerungen wird dort nicht vor 2022 mit der Massenproduktion gerechnet. Die Auswirkungen bei den beiden Foundrys dürften im Jahr 2021 deutlicher werden.