Kioxia: Zwei 3D-NAND-Fabriken entstehen im Gleichschritt

Kioxia hat den Bau einer weiteren Produktionsstätte für 3D-NAND-Speicher angekündigt. Am Standort Kitakami in Japan soll neben der neuen K1- die K2-Fabrik entstehen und die Produktionskapazität des Unternehmens weiter erhöhen. Erst Ende Oktober hatte Kioxia den Bau der Fab7 im japanischen Yokkaichi bekannt gegeben.

Auf dem Gelände in der japanischen Iwate-Präfektur mit einer Fläche von 136.000 Quadratmetern sollen die Vorbereitungsarbeiten für den Bau der K2 im Frühjahr 2021 beginnen und bis Frühjahr 2022 abgeschlossen sein. Bis zur Fertigstellung, Ausrüstung und Inbetriebnahme wird dann noch einige Zeit vergehen. Bei der K1 dauerte es vom Baubeginn im Sommer 2018 bis zur Fertigstellung im Herbst 2019. Seit diesem Jahr wird dort 3D-NAND der 96-Layer-Generation (BiCS4) in Serie gefertigt.

Parallel wird die Fab7 errichtet

Dies ist die zweite Ankündigung einer Erweiterung der Produktionskapazitäten von Kioxia in kurzem Abstand. Denn erst Ende Oktober hatte Kioxia (ehemals Toshiba Memory) die Errichtung der Fab7 im Werk Yokkaichi in der japanische Mie-Präfektur angekündigt. Auch dort soll 3D-NAND der BiCS-Familie hergestellt werden. Die erste Bauphase soll bis Frühjahr 2022 abgeschlossen sein. Eine Beteiligung vom Flash-Partner Western Digital sei geplant.

Während in der K1 aktuell 96-Layer-NAND hergestellt wird, könnte in K2 und Fab7 schon die neue 128-Layer-Generation (BiCS5) vom Band laufen. Bei der Zahl der Speicherschichten haben inzwischen Micron und SK Hynix auf 176 Layer erhöht und streiten sich um den Titel des kompaktesten Chips mit entsprechend hoher Speicherdichte.

Aktuelle Statistiken sehen Kioxia mit 21,4 Prozent Marktanteil als zweitgrößten NAND-Hersteller hinter Marktführer Samsung (33,1 Prozent). SK Hynix könnte Kioxia diesen Platz bald streitig machen, denn das Unternehmen wird Intels-NAND-Geschäft schrittweise bis zum Jahr 2025 übernehmen.

Rüsten für den Speicherboom

Aufstrebende Technologien wie 5G, Künstliche Intelligenz und das Internet of Things (IoT) versprechen Wachstum und eine hohe Nachfrage nach Speicherprodukten wie NAND-Flash. Für das kommende Jahr erwartet Samsung ein Wachstum von bis zu 35 Prozent für NAND-Flash.