SK Hynix: Neuer 176-Layer-NAND wird bemustert

SK Hynix verschickt Muster seiner neuen 3D-NAND-Generation. Wie bei Micron sind 176 Zellschichten (Layer) übereinander gestapelt. Den Anfang macht TLC-Flash mit drei Bit pro Zelle und 512 Gigabit pro Die. Später will SK Hynix auf 1 Terabit verdoppeln. Neben der höheren Speicherdichte wird mehr Leistung versprochen.

Mehr Layer für günstigere Chips

Wie beim Wechsel von 96 auf 128 Layer bringt die neue Generation vor allem Kostenvorteile mit sich, denn die Speicherdichte steigt und mehr Bit pro Wafer können hergestellt werden. SK Hynix spricht von einer Verbesserung der „Bit Productivity“ um 35 Prozent gegenüber der vorherigen Generation und will bei der Anzahl von Chips pro Wafer führend sein, was bedeuten würde, dass die 176-Layer-Chips kleiner als bei Micron ausfallen. Wie beim Konkurrenten teilen sich die 176 Layer auf zwei gestapelte Speichertürme (string/array stacking) auf. Die I/O-Schaltkreise liegen nicht neben, sondern unter den Speicherschichten, was längst gängige Praxis ist und Fläche spart, SK Hynix aber als einzigen Hersteller dazu verleitet, von „4D NAND“ zu sprechen.

NAND-Interface auf 1.600 MT/s beschleunigt

Die NAND-Schnittstelle zum Controller wurde von 1.200 MT/s auf 1.600 MT/s, also um ein Drittel, beschleunigt, auch dies ist bei Microns 176-Layer-Pendant der Fall. SK Hynix spricht zudem von einer um 20 Prozent erhöhten Lesegeschwindigkeit auf Zellebene. Produkte für Mobilgeräte sollen Mitte 2021 den Anfang machen und in der Spitze 70 Prozent schneller lesen und 35 Prozent schneller schreiben als ihre Vorgänger. Danach sollen SSDs mit den neuen Chips bestückt werden.

Samples der 176-Layer-Generation werden laut SK Hynix seit dem vergangenen Monat an Hersteller von SSD-Controllern zur Bemusterung ausgeliefert. An Varianten mit verdoppelter Speicherkapazität von 1 Terabit wird noch gearbeitet. Micron fertigt nach eigenen Angaben seinen 176-Layer-NAND bereits in Serie.

SK Hynix kauft Intels NAND-Geschäft

Ende Oktober wurde bekannt, dass SK Hynix die NAND-Sparte von Intel übernehmen wird. Die schrittweise Übernahme soll bis März 2025 abgeschlossen sein und rund 9 Milliarden US-Dollar kosten. Intel wird sich künftig auf den mit Ex-Partner Micron entwickelten 3D-XPoint-Speicher in der Optane-Produktfamilie konzentrieren.