3D-NAND: Samsungs V-NAND V8 angeblich in den Startlöchern
Laut einem Bericht von Business Korea könnte Samsung noch in diesem Jahr mit der Produktion von 3D-NAND mit einem neuen 236-Layer-Design beginnen. Zudem soll in Kürze ein neues Zentrum für Forschung und Entwicklung kommender NAND-Generationen eröffnet werden.
Die Meldung aus Südkorea ist knapp und Samsungs darin formulierte Pläne bleiben vorerst unbestätigt. Dass Samsung seine inzwischen achte 3D-NAND-Generation alias V-NAND V8 mit mehr als 200 Layern bald einführen wird, ist aber zu erwarten. Auf seinem Tech Day im vergangenen November hatte Samsung den Start der Serienfertigung seiner V8-Generation für 2022 prognostiziert. Offiziell ist weiterhin nur von „200+ Layer“ die Rede, zudem hatte Samsung dabei TLC-NAND mit 1 Tbit in Aussicht gestellt und verraten, dass das NAND-Interface weiter auf 2,4 Gbit/s beschleunigt wird.
| Micron B58R | Kioxia/WD BiCS6 | Kioxia/WD BiCS5 | Samsung V8 | Samsung V7 | Samsung V6 | SK Hynix V7 | SK Hynix V6 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Typ (Bit/Zelle) | TLC (3 Bit) | |||||||
| Kapazität | 1 Tbit | 512 Gbit | 1 Tbit/512 Gbit | 512 Gbit | ||||
| Planes | 6 | 4 | ||||||
| Layer (WL) | 232 (2×116) | 162 (2×81) | 112 (2×56) | 200+ (?) | 176 (2×88) | 128 | 176 (2×88) | 128 (2×64) |
| Die-Fläche | ~70 mm² | 98 mm² | 66 mm² | ? | ~60 mm² | 101,58 mm² | ~47 mm² | ~66 mm² |
| Dichte | 14,6 Gb/mm² | 10,4 Gb/mm² | 7,8 Gb/mm² | ? | 8,5 Gb/mm² | 5,0 Gb/mm² | 10,8 Gb/mm² | 7,8 Gb/mm² |
| Read (tR) | ? | 50 µs | 56 µs | ? | 40 µs | 45 µs | 50 µs | 56 µs |
| Program | ? | 160 MB/s | 132 MB/s | 164 MB/s (?) | 184 MB/s | 82 MB/s | 168 MB/s | 132 MB/s |
| I/O | 2,4 Gb/s | 2,0 Gb/s | 1,066 Gb/s | 2,4 Gb/s | 2,0 Gb/s | 1,2 Gb/s | 1,6 Gb/s | 1,066 Gb/s |
Viel Rätselraten um Samsungs neue Generation
Zur Anzahl der Layer bei Samsungs V8-Generation gab es schon verschiedene Angaben. So hat Business Korea früher einmal von 228 Layern berichtet, schreibt aber jetzt von 236. Ein Analyst von Techinsights ging wiederum von 238 Layern aus. Letztlich kommt es aber weniger auf die Anzahl der Layer an, sondern welche Flächendichte, Leistung und Haltbarkeit der NAND erreicht.
Sofern die Prognose von Techinsights stimmt, würde Samsung nur ein relativ kleiner Sprung bei der Flächendichte gelingen und die Leistung teils sogar abnehmen. Ein 4-Plane-Design hatte Samsung bereits bestätigt.
Im Vergleich dazu wirkt der 232-Layer-NAND von Micron in vieler Hinsicht besser. Dieser erreicht die bisher mit Abstand höchste Flächendichte für TLC-NAND und nutzt erstmals ein 6-Plane-Design für noch mehr Leistung.
SK Hynix hat erst kürzlich seinen 238-Layer-NAND fertig entwickelt und will diesen im ersten Halbjahr 2023 in Serie fertigen.