Chip-Fertigung: Samsung baut die 4-nm-Kapazitäten deutlich aus

Die bisher von großen Problemen geplagte „4-nm-Fertigung“ soll bei Samsung ausgebaut werden. Eine Alternative hat der Hersteller nicht, vor allem wenn es um größere Stückzahlen und Liefermengen geht, denn der erste Gate-All-Around-Prozess steckt noch in den Kinderschuhen – mit unbekannter Ausbeute und Produktionsmenge.

Bis zu 20.000 mehr Wafer pro Monat

Zum vierten Quartal dieses Jahres hin soll die Produktionskapazität um 15.000 bis 20.000 Wafer pro Monat gesteigert werden, laute das ausgegebene Ziel koreanischen Medien zufolge. Zusammen mit einer gesteigerten Ausbeute (Yield) sollen so Produktionsziele erreicht werden, die eigentlich längst hätten erreicht werden sollen.

Die Yield-Rate ist gestiegen

Für die Yield-Rate werden aktuell inoffiziell 60 Prozent gehandelt, sechs von zehn gefertigten Chips in dem Produktionsprozess entsprechen den Vorgaben und können genutzt werden. Das ist immer noch nicht wirklich gut, allerdings deutlich mehr, als die vor einigen Monaten genannten Zahlen von rund 35 Prozent.

Samsungs GAA-Prozess muss sich erst beweisen

In den Medien präsent war Samsung zuletzt wiederum mit dem ersten eigenen Prozess nach neuer Machart: 3 nm mit Gate All Around (GAA). Die Vorteile sind auf dem Papier sehr groß, doch die Ankündigungen bleiben vage, die Liefermengen zu Beginn ziemlich klein.

Ob die versprochenen Vorteile am Ende deshalb wirklich den Tatsachen entsprechen, werden erst final ausgelieferte und unabhängig analysierte Chips offenbaren. Samsung erklärte dabei auch selbst, mit GAA nicht auf ein Mal alle Märkte bedienen zu können, gerade den 4-nm-Lösungen auf Basis klassischer FinFETs sind wohl noch ein paar Jahre gegönnt. Denn auf den ersten und so problematischen Prozess 4LPE soll ja noch ein verbesserter 4LPP folgen.

Der FinFET-Prozess wird zusammen mit 3GAE und dem später deutlich verbesserten 3GAP die Brücke bilden zur echten zweiten Generation mit Gate All Around. Der bei Samsung bereits als 2GAP (2 nm Gate-All-Around Plus) geführte Prozess wird für das Jahr 2025 angepeilt und könnte in einen direkten Schlagabtausch mit TSMC und Intel führen, die alle einen ziemlich ähnlichen Zeitraum für Gate All Around und die im Marketing „2 nm“ genannte Bezeichnung anpeilen. Wer am Ende die Nase vorn haben wird, lässt sich aktuell nicht abschätzen, denn jeder der drei Hersteller hat seine eigenen kleinen oder auch größeren Probleme.