DRAM-Fertigung: Micron fertigt ohne EUV-Lithografie als erster 1β-Chips

Micron vermeldet den Start der Sampling-Phase für ersten Speicher der neuen 1-Beta-Generation. Los geht es in Smartphones, denn die größten Boni kommen zum Tragen, wenn die Lösungen in gestapelten Chips zum Einsatz kommen. Doch über die exakten Eigenschaften schweigt Micron, einige Details sind jedoch interessant.

Auf alpha folgt beta, gamma und delta

1β folgt auf 1α, der Nachfolger darauf wird in spätestens zwei Jahren als 1γ (1-gamma) und dann 1-delta (1δ) folgen. Dass Micron diesen heute schon derart konkret benennt, liegt an der Fertigung der Chips. Denn erst bei 1γ wird Micron auf die EUV-Lithografie setzen; die neue 1β-Produktion hingegen wird noch einmal ganz klassisch mit Immersionslithografie und dem sogenannten Multi-Patterning vollzogen. Die Technik hat ebenfalls ihre Grenzen, bei Logic Chips war diese bei 7 nm erreicht. Bei DRAM nennen die Hersteller wie üblich keine Zahl, die sich vergleichen lässt. Allgemein wird aber auch bei 1β angenommen, dass es noch nicht ganz dieses Niveau erreicht hat.

Kein EUV ist keine Überraschung

Der Schritt überrascht nur auf den ersten Blick, passt aber letztlich in Microns langfristige Planung. Erst vor gut zwei Jahren wurden überhaupt Aufträge für EUV-Systeme bei ASML erteilt und schon Mitte des letzten Jahres erklärte der Hersteller, dass erst bei 1-gamma im Jahr 2024 einige Layer mit EUV belichtet werden und dies dann bei 1-delta ausgebaut wird. Micron ist damit der letzte der drei großen DRAM-Fertiger, der auf diesen Zug springt; erklärt aber, dass eigentlich auch so noch alles ganz gut funktioniere. Samsung und SK Hynix nutzen EUV-Lithografie bereits für einige Layer seit der 1α-Produktion im vergangenen Jahr.

Obgleich der Fortschritte und Möglichkeiten durch EUV-Lithografie, die neue Technik ist zu Beginn zunächst einmal auch ein massiver Kostentreiber. Gerade in der aktuellen Phase des wirtschaftlichen und Nachfrage-Abschwungs explodieren die Kosten ohnehin. Micron sieht sich zwar gut positioniert, kommt aber auch nicht um Einschnitte herum. Diese treffen ironischerweise auch den heute enthüllten 1-beta-Fertigungsschritt, wie der Hersteller bereits vor vier Wochen erklärte, der erst zum Ende des kommenden Jahres so richtig von der Leine gelassen wird. Insofern ist die Ankündigung heute zwar groß, aber letztlich doch ziemlich klein gehalten.

Startschuss bei LPDDR5X-8500

Dank der neuen Fertigungstechnik kann der Chip kleiner ausfallen als zuvor; alternativ werden die Daten auf gleicher Fläche dichter gepackt sein. An der Kapazität setzt Micron erst einmal nicht an, mit 16 Gbit erfolgt der Startschuss.

Ein weiterer Vorteil der neuen Fertigungstechnik ist der geringere Energiebedarf, weshalb Micron die Lösungen zuerst im mobilen Umfeld platziert. Und dort primär im Bereich der übereinander gestapelten Lösungen, Smartphone-SoCs setzten heutzutage beispielsweise häufig den DRAM direkt obendrauf. Schon der bisherige 1-alpha-Prozess konnte hier seinen größten Erfolg feiern, erklärte Micron.

Die Fabrik in Hiroshima, Japan, übernimmt die Pilotproduktion der Chips. Später sollen auch die Fabriken in Taiwan folgen, wenn die Serienproduktion hochgefahren und später alle Bereiche in den Genuss der neuen Technologie kommen. Denn auf das Smartphone sollen nicht nur klassische U-DIMMs folgen, sondern jeder andere Bereich im Speichergeschäft.

ComputerBase hat die Informationen zum Teil von Micron vorab unter NDA erhalten. Die einzige Vorgabe war der frühestmögliche Veröffentlichungszeitpunkt.