Regierungsauftrag: Intel erforscht schnellen Speicher für Nuklearbehörde

Aus dem Geschäft mit DRAM, NAND-Flash und zuletzt 3D XPoint hat sich Intel bereits verabschiedet. Dennoch will das Unternehmen im Auftrag der US-Energiebehörde eine neue Speichertechnologie erforschen, die weitaus schneller als DRAM arbeitet. Der Speicher soll die Simulation von Nuklearwaffen beschleunigen.

Speicherforschung für die Energiebehörde

Wie The Register berichtet, wurde Intel im Rahmen des sogenannten Advanced Memory Technology Program (AMT) von der US-Energiebehörde respektive dessen Forschungszweig Sandia National Laboratories damit beauftragt, eine neue Speichertechnologie zu entwickeln. Diese soll primär Supercomputer für die Simulation von Nuklearwaffen und deren Wirkung beschleunigen. Daher sorge die National Nuclear Security Administration (NNSA) für das finanzielle Grundgerüst. Weitere US-Forschungseinrichtungen seien neben Sandia an dem mehrjährigen Projekt beteiligt.

In der Ankündigung der Sandia Labs heißt es, dass bereits mehrere Speichertechnologien auserwählt wurden, die „das Potenzial haben, mehr als das 40-fache der Anwendungsleistung unserer kommenden NNSA-Exascale-Systeme zu liefern“.

Technische Details sind noch nicht bekannt, doch spricht Intel davon, dass man „grundlegende Aspekte, wie DRAM organisiert und mit Rechenplattformen gekoppelt ist“, überdenken wolle, „um eine bahnbrechende Leistung zu erzielen“.

Ziel sei es, dass die neue Technik nicht nur für das Nuklearprogramm, sondern für alle Bereiche des Hochleistungsrechnens zum Einsatz kommt. „Wir hoffen, dass diese Innovationen in Industriestandards umgesetzt werden, um das gesamte Ökosystem zu verbessern“, wird Intel Fellow Josh Fryman zitiert. Allerdings wird in der Mitteilung mit Simulationen für Hyperschallraketen erneut ein potenzielles Waffensegment als Beispiel genannt.

Kommerziell liegt Intel Speicher nicht

Intel als Forschungspartner erscheint angesichts der vielen gescheiterten Versuche des Unternehmens im Speichergeschäft zunächst überraschend. Vom DRAM-Geschäft hatte sich Intel bereits 1984 verabschiedet. Der nichtflüchtige Massenspeicher NAND-Flash sowie das dazugehörige SSD-Geschäft wurden im vergangenen Jahr an SK Hynix verkauft. Und erst diesen Sommer hat sich Intel auch von den Optane-Produkten auf Basis des Phasenwechselspeichers 3D XPoint verabschiedet, da diese Sparte hohe Verluste einfuhr. 3D-NAND und 3D XPoint hatte Intel früher gemeinsam mit dem Forschungspartner Micron entwickelt und produziert, doch gehen beide schon länger getrennte Wege. Micron erschiene auf den ersten Blick als viel besserer Ansprechpartner für das US-Projekt, denn der Hersteller verdient weiterhin mit DRAM und NAND-Flash sein Geld.

Intel war DRAM-Pionier

Doch darf nicht vergessen werden, dass Intel der Pionier bei der Entwicklung von Dynamic Random Access Memory (DRAM) gewesen ist. Der erste kommerziell erhältliche DRAM-Chip war der Intel 1103 mit 1 KiBit Speicherkapazität. Als Erfinder der DRAM-Speicherzelle gilt wiederum der IBM-Forscher Robert H. Dennard.

Dass Intel keine Speicherprodukte mehr produziert und vertreibt heißt zudem nicht, dass nicht weiterhin an neuen Techniken in diesem Segment geforscht wird. In puncto besonders schnellem DRAM-Speicher hat Intel jüngst Prozessoren mit High Bandwidth Memory (HBM) bestückt. Doch selbst dessen Leistung genügt lange nicht, um den Ansprüchen des Projekts gerecht zu werden.

SOT-MRAM ist schneller als DRAM

Für die Lücke zwischen extrem schnellem SRAM mit winziger Bitdichte und entsprechend hohen Kosten sowie langsamerem DRAM wird schon lange nach Lösungen gesucht. Ein zuletzt heißer Kandidat ist SOT-MRAM (Spin Orbit Transfer Magnetoresistive Random Access Memory), der allerdings von der französischen Firma Antaios entwickelt wird. In welche technische Richtung Intel im Rahmen des Projekts forscht, ist aber noch völlig unbekannt.