Micron-Roadmap: 32 Gbit DDR5, GDDR7, HBM3 und sein Nachfolger

Parallel zur Vorstellung des ersten High Bandwidth Memory (HBM) hat Micron eine Roadmap inklusive weiterer Speicherneuheiten veröffentlicht. Demnach plant der Hersteller, nächstes Jahr den ersten DDR5-RAM mit 32 Gbit herauszubringen. GDDR7 und HBM3 mit 36 GB sollen Ende 2024 folgen.

DDR5 mit 32 Gbit pro Die

Aktuell sind 16 Gigabit (2 GB) pro Die das übliche Maß für DRAM-Chips. Micron hat aber schon Produkte mit 24-Gbit-Chips im Programm, zu denen etwa DDR5-DIMMs mit 24 GB und 48 GB zählen. Auch das HBM-Debüt von Micron basiert auf 24-Gbit-Chips: Acht der je 3 GB fassenden DRAM-Chips werden übereinander gestapelt und schaffen einen HBM3 Gen2 Stack mit 24 GB. Ende 2024 will Micron dann auf 12 Schichten erhöhen und somit 36 GB pro Stapel bieten.

Nächstes Jahr will Micron die DRAM-Speicherkapazität auf 32 Gbit (4 GB) pro Die erhöhen. Auf dieser Basis sollen im zweiten Halbjahr 2024 dann RAM-Module für Server (RDIMM) mit 128 GB Speicherkapazität erscheinen. Für 2025 prognostiziert Micron Module mit 192 GB und 2026 mit 256 GB und mehr.

GDDR7 kommt Ende 2024

Gegen Ende des nächsten Jahres will Micron die neue Generation Grafikkartenspeicher namens GDDR7 herausbringen. Der Durchsatz soll von aktuell bis zu 24 Gbps bei GDDR6X auf 32 Gbps bei GDDR7 steigen. Dabei kommen Speicherchips mit 16 Gbit und 24 Gbit zum Einsatz.

Samsung hat kürzlich bereits die Entwicklung von GDDR7 mit 32 Gbps abgeschlossen und könnte Micron zuvorkommen. Doch ist mit der Verfügbarkeit erst im kommenden Jahr zu rechnen. Micron will wiederum im ersten Halbjahr 2024 seinen GDDR7 zunächst vorstellen und wird die Serienfertigung voraussichtlich später als Samsung beginnen.

Samsung hatte im Oktober 2022 außerdem noch schnelleren GDDR7 mit 36 Gbit/s in Aussicht gestellt, dabei aber noch keinen Termin genannt.

HBM3 und der Nachfolger

Auf den kürzlich vorgestellten HBM3 Gen2 mit 24 GB und 1,2 TB/s will Micron Ende 2024 oder Anfang 2025 die bereits erwähnte Variante mit 36 GB auf Basis von 12 DRAM-Schichten folgen lassen. Für das Jahr 2026 plant Micron mit einer noch höheren Geschwindigkeit von 1,5 TB/s bis 2 TB/s und mehr. Dabei spricht Micron von „HBM Next“, nimmt also den Begriff HBM4 vorerst nicht in den Mund. Ein Stapel soll dann bis zu 64 GB aufweisen.