32 Gbit DDR5: Samsung ebnet den Weg für 1-TB-RAM-Module

Es ist soweit: Samsung verkündet als erster DRAM-Hersteller die vollendete Entwicklung von DRAM-Speicherchips mit 32 Gbit. Damit wird die bisher gängige Speicherkapazität verdoppelt, sodass künftig theoretisch RAM-Riegel mit 1 Terabyte Speichervolumen möglich werden.

Stellten bislang 16 Gbit (2 GByte) pro Die die übliche Größe dar, speichert einer der neuen Samsung-Chips mit 32 Gbit respektive 4 GByte die doppelte Datenmenge. Das bedeutet, dass mit der gleichen Anzahl Chips Speichermodule mit doppeltem Speichervolumen möglich oder eben für die gleiche Speicherkapazität nur noch halb so viele Chips benötigt werden.

Mit den 24-Gbit-Chips gibt es noch eine Zwischenlösung, die aber insbesondere bei Samsung selten ist.

Design komplett, Serienfertigung später

Samsung verkündet heute die Fertigstellung des Entwicklungsprozesses für den branchenweit ersten 32-Gbit-DRAM. Bis die Chips den Markt erreichen, könnte es aber noch bis 2024 dauern, denn der Beginn der Massenfertigung ist für Ende 2023 geplant.

Damit hätte der Marktführer aus Südkorea aber voraussichtlich gut ein halbes Jahr Vorsprung vor Micron aus den USA. Das US-Unternehmen hat kürzlich eine Roadmap veröffentlicht, laut der 32-Gbit-Chips erst im zweiten Halbjahr 2024 erscheinen sollen. Unklar ist, wie der aktuelle Stand bei SK Hynix lautet.

Die Basis für RAM-Module mit 1 TByte

Vor gut zwei Jahren präsentierte Samsung das erste DDR5-Modul mit 512 GByte. Die Basis waren die seinerzeit neuen 16-Gbit-Chips. Künftig könnten mit den 32-Gbit-Chips also die ersten RAM-Riegel mit 1 TByte realisiert werden.

Solche Speichergrößen sind für High-End-Server relevant, während bei Consumer-Systemen noch eher Modulgrößen von 8 GByte und 16 GByte, seltener 32 GByte gängig sind. RAM-Anbieter haben aber schon DIMMs für PCs mit 48 GByte in ihrem Programm.

Sparsamere 128-GB-Module

Doch selbst im Serversegment sind 512 GB noch eine Seltenheit. Hier sind 128-GB-Module doch noch weitaus häufiger anzutreffen und diese sollen laut Samsung mit Hilfe der neuen Chips etwa 10 Prozent weniger Energie benötigen. Auf TSV könne zudem verzichtet werden. Die 32-Gbit-Chips werden in einem Prozess der 12-nm-Klasse hergestellt.

Previously, DDR5 128GB DRAM modules manufactured using 16Gb DRAM required the Through Silicon Via (TSV) process. However, by using Samsung’s 32Gb DRAM, the 128GB module can now be produced without using the TSV process, while reducing power consumption by approximately 10% compared to 128GB modules with 16Gb DRAM.