Micron-Roadmap: Pläne für HBM4, MRDIMMs, CXL3 und LPCAMM dargelegt

Micron hat eine neue Roadmap mit kommenden Speicherprodukten veröffentlicht. HBM4 soll demnach früher kommen als erwartet. Erstmals werden auch schnelle Multi-Rank-DIMMs sowie der neue Low-Power-Formfaktor LPCAMM erwähnt.

Micron plant schon mit HBM4

Die neue Roadmap reicht weiter als jene, die Micron im Sommer veröffentlicht hatte. Zudem gibt es Änderungen im Zeitplan für neue Generationen des High Bandwidth Memory (HBM). So soll HBM4 (zuvor nur als „HBM Next“ bezeichnet) bereits im zweiten Halbjahr 2025 fertig sein. Der gestapelte DRAM soll 36 GB mit 12 Schichten oder 48 GB mit 16 Schichten sowie einen Durchsatz von über 1,5 TB/s pro Stapel erreichen. Für Ende 2027 oder Anfang 2028 wird HBM4E mit 48 GB bis 64 GB und mehr als 2 TB/s geplant.

Unverändert soll GDDR7 Ende 2024 mit bis zu 32 Gbit/s sein Debüt geben. Zwei Jahre später soll auf 36 Gbit/s und über 24 Gbit (3 GB) pro Chip erhöht werden.

32 Gbit DRAM und MRDIMMs bis 12.800 MT/s

Beim DRAM stehen bald die neuen 32-Gbit-Chips an, die also 4 GB Speicherplatz pro Die bieten. Die im sogenannten 1-beta-Verfahren hergestellten Speicherchips sollen unter anderem in neuen Speicherriegeln für Server unterkommen. Auch wenn diese erst nächstes Jahr erscheinen, hat Micron schon jetzt sein Flaggschiff in Form eines 128 GB fassenden DDR5-RDIMMs mit 8.000 MT/s im Detail vorgestellt.

Passende Plattformen mit Unterstützung für diese Geschwindigkeitsklasse müssen aber ebenfalls erst erscheinen. Daher sind auch langsamere Varianten mit 4.800 MT/s, 5.600 MT/s und 6.400 MT/s geplant.

Noch deutlich schneller sollen die MRDIMMs werden, für die laut Roadmap sogar 12.800 MT/s vorgesehen sind. MRDIMM steht für Multi-Rank-DIMMs, die praktisch zwei Module zu einem vereinen und damit den Durchsatz verdoppeln.

RAM-Erweiterung via CXL3

Für Großrechner, denen der Arbeitsspeicher in den klassischen Steckplätzen nicht ausreicht, hat Micron wie auch Samsung Erweiterungsmodule für den Compute Express Link (CXL) vorgesehen. Auf die bisherige Ausführung mit bis zu 256 GB und 36 GB/s via CXL 2.0 sollen 2026 Varianten mit doppelt so viel Durchsatz dank CXL 3 und mehr Speicherkapazität folgen.

LPCAMM als modularer Low-Power-Speicher

Insbesondere für kompakte Mobilcomputer dient der auf niedrige Leistungsaufnahme getrimmte Low-Power-RAM. Neben der fest verlöteten Ausführung von LPDDR5X ist ein neuer, modularer Formfaktor geplant, der Low Power Compression Attached Memory Module (LPCAMM) genannt wird.

Der potenzielle Nachfolger des SO-DIMM-Formats in Notebooks, der aber auch für Desktop- und Serversysteme erwartet wird, findet sich in der neuen Micron-Roadmap als LPCAMM2 wieder. Die mit LPDDR-Speicher bestückten Module sollen zunächst 16 GB bis 128 GB und 8.533 MT/s erreichen. Voraussichtlich 2026 sollen dann Module mit 192 GB und mehr sowie 9.600 MT/s folgen.