Infineon baut in Dresden: Grünes Licht für letzten Bauabschnitt der Smart Power Fab

Der Deutsche Halbleiterhersteller Infineon baut derzeit ein 5 Milliarden Euro teures Werk für 300-mm-Wafer an seinem Standort in Dresden. Vor knapp einem Jahr erfolgte der Spatenstich, Ende der Woche übergab Sachsens Ministerpräsident Michael Kretschmer bei einem Besuch offiziell die Baugenehmigung für den finalen Bauabschnitt.

Bauarbeiten im Zeitplan

Laut Infineon liegt der Bau der Fab voll im Zeitplan. Die Tiefbaumaßnahmen sind abgeschlossen. Seit Beginn der Arbeiten wurden täglich rund 8.000 Tonnen Erde abgetragen und abtransportiert, um ein bis zu 190 cm dickes Fundament legen zu können. Durch diese Bodenplatte sollen Vibrationen, unter anderem durch eine in der Nähe verlaufende Straßenbahnstrecke, auf ein Minimum reduziert und so die empfindliche Fertigungsstraße geschützt werden.

In einem nächsten Schritt sollen Roh- und Hochbau des Werks folgen, das sich nahtlos an die bereits bestehenden Produktionsstraßen anschließen wird. Der Reinraum wird auf derselben Höhe wie die derzeit eingesetzten Produktionsräume errichtet, wodurch sich Infineon eine optimierte integrierte Fertigung verspricht.

Halbleiter für Automobilindustrie und Erneuerbare Energien

In der neuen Fab sollen künftig Analog/Mixed-Signal-Halbleiter auf 300-mm-Wafern gefertigt werden. Abnehmer sollen unter anderem Unternehmen aus dem Bereich der Erneuerbaren Energien sein. Diese sollen von besonders energieeffizienten Produkten profitieren, deshalb auch der Name Smart Power Fab. Infineon hebt in der Pressemitteilung die Förderung von Dekarbonisierung gesondert hervor. Allerdings wird auch die Automobilindustrie zu den Kunden gehören, die Halbleiter in der Smart Power Fab fertigen lassen werden.

Beitrag zu Europäischer Chip-Resilienz

Gerade vor diesem Hintergrund – die Auto-Industrie war während der Corona-Pandemie stark von der Chipkrise durch kollabierende Lieferketten betroffen – wird auch der Beitrag des neuen Werks zur Steigerung der Chipfertigung innerhalb der EU hervorgehoben. Die EU-Kommission strebt an, bis 2030 den Anteil auf dem globalen Halbleitermarkt auf 20 Prozent zu erhöhen.

Der Bau der Smart Power Fab ist für Dresden, Sachsen, Deutschland und Europa ein großer Gewinn. Das vierte Fertigungsmodul von Infineon in Dresden ist ein weiterer wichtiger Baustein, um Europas Resilienz im Bereich der Mikroelektronik zu stärken

Michael Kretschmer

Um dieses Ziel zu erreichen, soll Infineon öffentliche Fördermittel im Rahmen des EU Chips Act erhalten. Bereits in der Planungsphase des Projekts forderte der Chiphersteller „eine angemessene öffentliche Förderung“. Es wird eine Fördersumme von ca. einer Milliarde Euro angestrebt. Die Fertigung von Halbleitern im neuen Werk soll 2026 beginnen.