V-NAND V9 QLC: Samsungs hochdichter SSD-Speicher geht in Serie
Samsung hat mit der Massenfertigung seiner neuen Generation QLC-NAND begonnen. Der Flash-Speicher der Generation V9 besitzt die bis dato größte Bitdichte der Branche, die 86 Prozent höher als beim Vorgänger ausfällt. Ferner wurde die Schreibleistung verdoppelt.
Die höchste Bitdichte der Branche
Samsung nennt seinen 3D-NAND stets V-NAND (Vertical NAND) und hatte im April zunächst die TLC-Version mit 3 Bit pro Speicherzelle in die Serienfertigung geschickt. Kommt diese bereits auf eine Flächendichte von rund 17 Gbit/mm², geht es beim V-NAND V9 mit 4 Bit pro Zelle (QLC) nun auf den Rekordwert von 28,5 Gbit/mm² hinauf.
Hier hatte Samsung im Vorfeld auf der ISSCC schon Details verraten und von „A 280-Layer 1Tb 4b/cell 3D-NAND Flash Memory with a 28.5Gb/mm² Areal Density and a 3.2GB/s High-Speed IO Rate“ gesprochen. Mit 28,5 Gbit/mm² werden sämtliche (serienreifen) Konkurrenzprodukte um Längen geschlagen. Der 232-Layer-QLC-NAND von YMTC erreichte mit 19,8 Gbit/mm² das vorherige Maximum.
Verbesserungen bei Leistung, Effizienz und Datenerhalt
Samsung hatte schon Ende 2022 den V9 QLC mit deutlichen Verbesserungen bei Dichte, Lesedurchsatz und I/O-Geschwindigkeit angekündigt. Nicht alle der seinerzeit genannten Werte stimmen heute noch. Die anvisierten +8x % bei der Bitdichte werden aber gehalten, und so soll der Vorgänger, der V7 QLC, in diesem Punkt um 86 Prozent übertroffen werden.
Die große QLC-Schwäche, nämlich die langsame Schreibrate, wird ebenfalls angegangen. Nicht weniger als eine Verdoppelung der Schreibleistung stellt Samsung jetzt in Aussicht. Die I/O-Geschwindigkeit soll um 60 Prozent steigen. Ferner soll beim Lesen 30 Prozent weniger Energie und beim Schreiben 50 Prozent weniger Energie benötigt werden.
This 9th generation QLC has improved write performance by 100% and data input/output speed by 60% compared to the previous generation QLC product through the innovation of 'Predictive Program technology' that predicts changes in the cell's status and minimizes unnecessary operations.
In addition, the power consumption for reading and writing data was reduced by approximately 30% and 50%, respectively, through the 'low-power design technology' that minimizes power consumption by lowering the voltage driving the NAND cell and sensing only the necessary BL (Bit Line).
Samsung
Samsung spricht außerdem von einer Verbesserung der Fähigkeit zum Beibehalten der gespeicherten Daten (Data Retention) um etwa 20 Prozent. Wie viele Schreibzyklen der QLC-Flash überdauert, wird nicht genannt.
Erste Produkte
Samsung will zunächst Markenprodukte für Verbraucher mit dem neuen QLC-Speicher bestücken. Später sollen auch PCs und Server-SSDs sowie Smartphones (UFS) damit versorgt werden. Konkrete Produktankündigungen liegen aber noch nicht vor.
QLC wird immer besser
Zumindest die große Schreibschwäche bei SSDs mit QLC-Speicher könnte bald Vergangenheit sein. Neue Modelle wie die WD Blue SN5000 (Test) mit BiCS6 QLC oder die Crucial P310 (Test) mit Microns 232L QLC schreiben nach dem SLC-Modus schon so flott wie manche TLC-SSD der Mainstream-Klasse.
ComputerBase hat erst kürzlich einen Rückblick auf sechs Jahre QLC-Speicher gewagt und blickt angesichts der neuen Generation positiv in die Zukunft.