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NewsSamsung Foundry: eMRAM feiert Tape-Out im 28FDS-Prozess
Neues von Samsung als Auftragsfertiger: Der Herstellungsprozess 28nm FD-SOI (28FDS) steht künftig auch für Hochfrequenz-Chips (RF) und Embedded MRAM (eMRAM) zur Verfügung. In Kooperation mit NXP wurde ein eMRAM-Test-Chip entwickelt, der jetzt sein Tape-out feierte.
Bei so geringen Temperaturen dürfte er besser als NAND sein, denn dessen Isolierschicht wird umso wenig durchlässig, je kälter es ist. Damit werden die Daten im NAND zwar sehr, sehr lang erhalten bleiben, aber beim Schreiben und Löschen leidet die Isolierschicht dann extrem und wird nur sehr wenige P/E Zyklen aushalten, wenn überhaupt.
