Wir hatten ja schon immer wieder mal das Thema der Strukturbreiten und wie weit diese noch sinken können. Diesem Artikel zur Folge werden wir ab dem nächsten Jahr 20nm SSD bekommen (viellleicht verbaut ja auch die eine oder andere Firma schon vorher die NANDs der frühen Produktion, wie OCZ es bei den 25nm NANDs auch getan hat). Dann gibt es noch einen Schritt darunter, was wohl erstmal das Ende der Fahnenstange bedeuten wird, denn danach wird in die Höhe gebaut.
20nm IMFT NAND 2012 in SSDs erwartet
- Ersteller Holt
- Erstellt am
S
SmartSirius
Gast
@ Holt: Die Info ist schon länger bekannt. Vergiss aber nicht. In die Höhe bauen verkürzt genauso die Lebensdauer und die Anzahl der möglichen Schreibzyklen. Solche Dinger werden nämlich in USB-Sticks schon lange eingesetzt. Heißt dann also: So eine SSD wird dann die Qualität der Speicherzellen von USB-Sticks haben. Traurig. Als weitere Maßnahme für Verbilligung gibts noch TLC-Zellen genannt (statt 2 einfach z.b. 3 Bit pro Zelle). Triple-Level-Cells. Na, warten wir erstmal das Ende dieses Jahres ab. Vielleicht kommt es auch ganz anders...
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(Habe den Fehler korrigiert.)
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FreeYourMind
Gast
Interessant, dass die Tri-Gate- bzw. 3D-Technologie auch bei NAND zum Einsatz kommt.
Mich wundert nur, dass man von den GPU-Herstellern nichts zum Thema Tri-Gate/3D hört.
Mich wundert nur, dass man von den GPU-Herstellern nichts zum Thema Tri-Gate/3D hört.
S
SmartSirius
Gast
@ FreeyourMind: Die Technik ist nicht neu! In USB-Sticks stecken schon seit längerem Triple-Level-Cells und Stacked Dies von NAND-Speicher drinnen 
Z.b. ein 16 GB Stick. Was glaubst du, wie ist der aufgebaut? Meist sind es einfach 4 Dies á je 4 Gbyte (32 Gbit) übereiner gestapelt. Gestacked eben. Ganz normal und Alltag, weil sonst hätte man auch keine Möglichkeit, kleine 128 GB Sticks zu bauen oder noch größere! Nachteil des Ganzen ist aber wie so oft die Lebensdauer, die durch sowas massiv schrumpft. Vorteil ist natürlich, dass alles erheblich günstiger ist. Das liegt daran, dass je kleiner die Kapazität eines Dies ist, umso höher deren Herstellungsquote. Soll heißen, es gibt einfach mehr 4 Gbyte Chips derzeit, als 8 Gbyte. Deshalb sind 8 Gbyte-Dies teurer als 2 zusammengeschlossene 4 Gbyte Teile. Und so spart man eben.
Z.b. ein 16 GB Stick. Was glaubst du, wie ist der aufgebaut? Meist sind es einfach 4 Dies á je 4 Gbyte (32 Gbit) übereiner gestapelt. Gestacked eben. Ganz normal und Alltag, weil sonst hätte man auch keine Möglichkeit, kleine 128 GB Sticks zu bauen oder noch größere! Nachteil des Ganzen ist aber wie so oft die Lebensdauer, die durch sowas massiv schrumpft. Vorteil ist natürlich, dass alles erheblich günstiger ist. Das liegt daran, dass je kleiner die Kapazität eines Dies ist, umso höher deren Herstellungsquote. Soll heißen, es gibt einfach mehr 4 Gbyte Chips derzeit, als 8 Gbyte. Deshalb sind 8 Gbyte-Dies teurer als 2 zusammengeschlossene 4 Gbyte Teile. Und so spart man eben.SmartSirius, es geht nicht um TLC, das ist ganz normales MLC NAND, bei dem man nur statt zwischen 4 verschiedenen Laduungsunterschieden 8 voneinander unterscheidet, was eben nicht so lange funktioniert wie die Unterscheidung von nur 4. Bei SLC sind eben nur zwei Ladungszustände zu unterscheiden, was eben sehr viel einfacher ist und deshalb auch viel länger funktioniert.
