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3D-NAND mit gestapelten Speicherzellen gibt es schon lange, an 3D DRAM forscht die Branche wiederum immer noch. Laut einem Bericht aus Südkorea rechnet Samsung mit dem Jahr 2030 für einen kommerziellen Start. Der Hersteller wolle 3D DRAM mit bis zu 16 Ebenen (Layer) schaffen. Micron versuche sich bisher an der Hälfte.
Irgendwie selbst erklärend, dass es um mehr Speicherplatz geht. Man baut ja keine grösseren Riegel mit höheren Platzverbrauch bei gleichbleibenden Speicher. Zumindes wäre die Forschung auf dieses Ziel ziemlich fragwürdig 😂
Für den Fall dass es dir nicht klar ist: Doping bezeichnet in der Halbleiterherstellung die gezielte Verunreinigung des Substrats mit extrem geringer Dosis an Fremdatomen, um die Eigenschaften des Halbleiters einzustellen. So werden erst die p- und n-leitenden Inseln im isolierenden Reinsilizium hergestellt.
(Falls dir das bewusst war: Never mind )
@Cabranium
Es kommt drauf an. Es kann ja auch genauso gut der Fall sein, dass man kompaktere Chips anstrebt. Das würde den Yield pro Wafer erhöhen.
@jusaca
Sicher? Ich dachte immer, das wird als "Doting" bezeichnet.
Edit: Ist das gleiche, nur zwei unterschiedliche Begriffe dafür. Irgendjemand hat mal den deutschen Begriff "Dotieren" (= Doping) verdenglischt und dann kam "Doting" dabei heraus.
Ich meine dazu mal hier bei CB was gelesen zu haben: CPU Kerne benötigen einen direkten Wärmeaustausch, da sie sehr schnell sehr heiß werden. Würde man zwei stapeln, würde der untere den oberen sofort aufheizen und entsprechend würde die Leistung einbrechen. Zumindest diese Art von Stapeln macht keinen Sinn.
Würde man zwei stapeln, würde der untere den oberen sofort aufheizen und entsprechend würde die Leistung einbrechen. Zumindest diese Art von Stapeln macht keinen Sinn.
Bei CPUs ist das große Problem, dass sie schon quasi mehrere Lagen haben (Transistor-schicht + viele Schichten Kupferverdrahtung) Transistoren vertikal anzuordnen, wie in diesem Artikel erwähnt, wird natürlich die Transistordichte enorm erhöhen. Die Verdrahtung von diesen Transistoren im Vergleich zu NAND und RAM ist aber sehr chaotisch und deshalb nicht so einfach herzustellen.
Ich meine dazu mal hier bei CB was gelesen zu haben: CPU Kerne benötigen einen direkten Wärmeaustausch, da sie sehr schnell sehr heiß werden. Würde man zwei stapeln, würde der untere den oberen sofort aufheizen und entsprechend würde die Leistung einbrechen. Zumindest diese Art von Stapeln macht keinen Sinn.
Damit das in die Gänge kommt, bräuchte man eine Trägermaterial das Wärme deutlich besser ableitet als Silizium und auch etwas besseres als Kupfer damit weniger Wärme entsteht.
Der letzte große Sprung in der CPU Entwicklung war, als man von Alu auf Cu umgestiegen ist. Danach wurde es nur noch kleiner.
Naja Stoffe gibt es, ich denke das Siliziumcarbid (~500 W/mK) wird hier nicht ganz uninteressant in absehbarer Zukunft sein, wenn auch "nur" um ca. Faktor 3 besser als monokristallines (~160 W/mK) Silizium.
Es gäbe da noch theoretisch Diamanten mit >2.000 W/mK oder den "Wunderstoff" Graphene mit ~5.000 W/mK aber wie das in der praktischen Umsetzung funktionieren sollte, wüsste ich jetzt auch nicht. Und Günstig dürfte das auch nicht werden, trotz industrieller Synthese.
beim 3D-Cache bei AMD ist das schon der Fall. Wegen der Wärmeentwicklung, hat dieser auch weniger Takt/Verbrauch bei den normalen 120-150 Watt, geht der Chips kaputt.
Also werden wir spätestens in 10 Jahren einen vollumfänglich wassergekühlten PC brauchen, oder direkt einen in Mineralöl getauchten
Und bevor jetzt wieder jemand klugscheißt wie neulich beim RAM: Mir ist durchaus bewusst, dass es das schon gibt...
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beim 3D-Cache bei AMD ist das schon der Fall. Wegen der Wärmeentwicklung, hat dieser auch weniger Takt/Verbrauch bei den normalen 120-150 Watt, geht der Chips kaputt.
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