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Im Zusammenhang mit der 90 nm Fertigungstechnologie mussten wir in der Vergangenheit häufig über Probleme allgemein oder Intels Probleme mit dem neuen Pentium 4 Prozessorkern "Prescott" im Speziellen berichten. Zur Abwechslung versprüht AMD jedoch etwas Euphorie und das an allen Fronten.
Wenn Intel das Design 1:1 übernommen hätte, dann wäre der Prescott auch kühler. Aber da sind immernoch 30 Millionen Transistoren von denen man nicht weiß, was genau sie eigentlich machen. Dazu kommt natürlich noch, dass die Produktion bei Intel im Moment alles andere als Serienreif ist.
Bei AMD denke ich, dass ein Athlon64 mit 2Ghz und einer TDP von 40W zum greifen nahe ist
Ich rate bei solchen Ankündigungen immer zur Vorsicht. Is zwar nett, dass da irgendwelche Si-Kochkünste gezeigt werden, aber ideologiefrei sind solche "uneigennützigen" Ankündigungen selten.
Ganz besonders bei Veranstaltunge für Annallüsten, bislang waren technische Fakten eher selten bis nie ein Grund für Kurssteigerungen.
Entscheidend ist, dass solche Ankündigungen auch eingehalten werden, wer sich zu weit aus dem Fenszter lehnt macht irgendwann "plums",da die eigene Dummheit dann die Schwerkraft verleitet den Körper aus dem Fenster zu ziehen.
Wenn die harte Realität nach einem halben Jahr immer noch die Erwartungen befriedigt ... ja erst dann kann von einem gelungenen Technologieschritt gesprochen werden.
"mal wieder so eine böswillig-einseitige tatsachenverdrehungsmitteilung unserer amd-hauspostille", würde man sagen, wenn man es nicht besser wüsste. die quelle scheint ja ganz gut zu sein,
ganz sachlich:
1. der prescott 2,8 läuft gut. und läßt sich auf anhieb ca. 30% übertakten.
2. dass der prescott insgesamt etwas langsam ist, liegt nicht an problemen mit 90nm, sondern an der sinnvollerweise verlängerten pipeline. (anfangsfragen - u. steppings gibt es immer: s.u.)
3. grundsätzlich wird amd mit soi einen technologischen vorteil haben gegenüber intel.
4. ich würde an amd's stelle vorsichtig sein (ist man auch): herr rivet bestimmt absolut aller ehren wert. "man möchte ihn bloß etwas heftig zitieren", so mein eindruck.
5. im zweifelsfallle machte ich demnächst den advocatus diaboli: kaufte einen a64 90nm der ersten generation und benchte und oc'te und beurteilte den mit gerade den augen und maßstäben, welche hier anscheinend die (einseitig?) allgemeinen sind.
so, jetzt ins schwimmbad. und in die sauna. und ohne laptop dabei. dafür mit tochter. und glück.
Aussagen von Senior Vice President und Chief Financial Officer Robert Rivet
sind nicht wirklich Spekulationen. Das sind Quellen nach dem man sich in etwa richten kann.
(@ graka0815)
gut geschrieben entlich denken hier mal leute mit.
SOI hat nicht nur vorteile. Klingt zwar alles erstmal toll, doch der größte nachteil der vergrabenen Siliziumoxidschicht ist das sie sehr schlecht wärme leitet. und gerade bei einem shriking macht diese tatsache probleme.
Das gestreckte Silizium hat den vorteil das mach die kernspannung weiter senken kann. Rein theoretisch zumindest.
Das ideale wäre eine kombination von beiden. doch leider ist es im moment nur sehr schwer möglich. Da sich beide herstellungsverfahren sich im moment ausschließen.
@ 12
IBM produziert mit SSDOI Scheinbar haben die keine Probleme und AMD hat 2003 auch schon gesagt, dass es nicht allzuschwer sei, SS in den aktuellen SOI-Fertigungsprozess einzubinden.
@ 8
Das schafft AMD bestimmt nicht, da sie kein Strained Silicon verwenden und das bringt zusammen mit SOI schon einen großen Vorteil.
Den 90nm Prozess hat AMD übrigens mit Motorola entwickelt. AMD hat zwar IBM sicherlich bei SSDOI im 90nm Prozess geholfen, aber ob diese AMD-Ingenieure nun schon AMD helfen, diese Informationen einzubinden ist fraglich. Ich schätze AMD wird mit dem Toledo auf SSDOI umsteigen.
@ 7
Muss man irgendwas von dem gebrochenem Deutsch verstehen? Anfangs sind zwar paar Sätze die man versteht, aber sonst?
Klar kann IBM auf beide herstellen, IBM baut ja auch seine eigenden "test"Wafer. Und richtiges SS ist das dann auch nicht, sondern es ist Si mit Ge gemischt. Durch eine epitaxy aus der Gasphase kann man auf eine SiO2 schicht bestimmt eine monokristalline SiGe schicht raufbringen. Das ganze ist nur extrem schwierig um nicht zu sagen unmöglich auf wafer größer 8" zu hinzubekommen, da sich durch den wärmeabtransport über die oberfläche dann eine kristallgranze ausbildet. das ist das ganze zu nichts mehr zu gebrauchen. doch für schlechte solarzellen vieleicht. (die sind dann aber SAU teuer)
gucke doch einfach mal im internet ob du einen anbieter für Wafer findest der beides in seinen wafern kombiniert. gucke mal unter Wacker die stellen viele wafer für AMD her.
Und das argument mit der Wärme hast du wohl nicht gelesen oder? wenn jetzt die oberfläche immer kleiner wird, steigt die wärmetransportdichte, das sorgt dann dafür das der temperaturgradient über der SiO2 schicht steigt. Das ist dann schlecht für die CPU, kühlkörper 25°C, PN-übergang 160°C.
das ganze dauert zugegebener weise noch eine weile aber bei 45nm wird dieser punkt erreicht sein.
IBM produziert doch bereits mit SSDOI, scheinbar gibt es also auch Waferhersteller, die dies anbieten. Wie das gestreckte Silizium hergestellt wird, ist doch egal. IBM hat ja schon von Anfang an gesagt, dass man dies nicht wie Intel macht, da man angeblich eine bessere Alternative hat.
Das mit der Wärme hab ich schon gelesen. Das ist aber eigentlich kein Problem, wenn man gleichzeitig die Leistungsaufnahme senken kann und das hat IBM ja ganz klar bewiesen!
wenn man jetzt aber die fläche halbiert, dann sinkt nicht der wärmetransport pro fläche. und durch steigende taktfrequenz steigt dann auch ganz sicher der wärmetransport durch die SiO2 schicht. Es geht um die Leistung pro Fläche.
@16
Smart-cut ist Stufe 2 und spart den zweiten Wafer, bzw. dessen Zerstörung ein.
Dürfte ab 2005 auch schon bei 90 nm von Bedeutung sein.
Die spezifische Wärmeentwicklung ist zu beachten aber wohl nicht so kritisch.
Einerseits sinkt der Gesamtverbrauch des DIE ab, sodaß (lt. AMD Info Nov.) die 90 nm rechnerisch die gleichen spezifischen Wärmewerte wie die 130 nm Produkte haben.
Weiterhin ist z.B. SSDOI bis 110 Grad stabil, sodaß hier wiederum 'Luft' entsteht.
Die Fertigungstechnik von AMD wird 2006 in einen 1:1 Status bzgl. IBM münden.
Realistisch erscheint dann für die Fab36:
- 65 nm 2006
- SSDOI
- Smart-cut
Ob und wann AMD die Fab30 mit SSDOI oder Smart-cut nutzt, bleibt abzuwarten.
Bem: Nicht übersehen, AMD beginnt die Serienproduktion in der Fab30.
Prototypen fertigen die schon seit ewig vielen Monaten und haben so wohl das Datenblatt längst zusammen (und die Dinger wohl auch schon mal aufs Maximum hochgetaktet)
Ab Juli wird etwa 1/2 bis 2/3 der Fab30 in 90nm fertigen;
nur so kann AMD in Q4 den cross over = ca. 4-5 Millionen A64/XP erreichen.
Die Zeit der Fertigungsexperimente ist also praktisch vorbei.
