ich denke auch das man die Isolierungsstärke nicht mehr deutlich verringern kann, da die Atome zwar in einem Gitter schwingen dennoch kann es gelegendlich vorkommen das diese sich kurzzeitig weiter als normal von Ihrem Primärenaufenthaltsort entfernen, dies würde bei geringerer isolierungsdicke zunehmend warscheinlicher und würde zu einem exponentiellem anstieg der Leckströme führen, weiterhin besteht dann noch die gefahr das die Transistoren sich kurzschließen und nicht richtig funktionieren
deshalb hat Intel ja auch einen neuen Fertigungsprozess P1265 dazwischengeschoben, welcher wahrscheinlich beim Merom, Conroe, etc. zum Einsatz kommt und bei dem die Isolationsstärke größer ist bzw. die Isolationsschichten stärker gefertigt werden..