News CeBIT: IBM hat 90 nm im Griff

[Tommy]

Als einer der wenigen Halbleiterhersteller neben Intel, scheint IBM den 90 nm Fertigungsprozess im Griff zu haben. Die Massenproduktion des PowerPC 970FX unter Verwendung von Silicon on Insulator (SOI), ist bereits angelaufen und scheint die Erwartungen IBMs voll zu Erfüllen.

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[Shadow86]

Wenigstens einer der die 90 nm Technologie im Griff hat!

Von Intel kann man das ja nicht sagen!

 

[CoolerMaster]

Als einer der wenigen Halbleiterhersteller neben Intel, scheint IBM den 90 nm Fertigungsprozess im Griff zu haben

Intel...gehts euch noch gut

 

[blabla]

Wusste noch garnicht, dass Intel den 90nm Prozess im Griff hat

Ausserdem läuft die Massenproduktion des PowerPC 970FX nicht mit SOI, sondern mit SSDOI

Setzt nVidia überhaupt noch auf IBM? Dachte das hätte sich vorerst erledigt ?

 

[Tommy]

Laut dem nVidia Pressesprecher fertigt man derzeit noch bei IBM und wird auch die zukünftigen Produkte dort vom Band laufen lassen.

 

[rkinet]

... Ebenso soll AMD Gerüchten zufolge für seine zukünftigen Athlon 64-Prozessoren auf Basis dieser Strukturbreite die Fertigungsstraßen bei IBM beanspruchen ...

Gerüchte haben immer einen wahren Kern.
AMD hat IBM gut 200 Millionen Dollar gezahlt, daß SOI in 130-45 nm läuft. In Fishkill/NY, dort laufen die PowerPC 970 vom Band, sitzen in Rufweite auch AMD-Ingenieure um an der SOI Fertigung gemeinsam mit IBM zu arbeiten.

Nur, die Fab30 wird auf 90 nm (ca. 1/2 bis 2/3 Gesamtkapazität) umgerüstet und Mitte April beginnt in kleinem Umfang die Serienproduktion in DD. 'Serie', nicht Prototypen ! Letztere hat AMD schon Mitte 2003 am Laufen und die Erstlinge im Nov. auch vorgestellt. Jetzt gehen die 100mm2 (erste Protypen 115mm2) DIEs mit 1 MB L2 in die Produktion. Die leistungsdaten von SSDOI liegen über SOI 90 nm, aber wohl nicht 'die Welt'.

Bem: Intels 90 nm ist schlecht, aber nicht so miserabel, wie es der Prescott vermuten läßt. Mit Northwood-Design, optimierten Signallaufzeiten und selbst auf 1 MB L2 wäre eine CPU feinster Daten entstanden, nur etwas stromhungrig im IDLE-Mode. Aber 70-80 W max. wären drin. NUR, der Prescott wurde ja geradezu mit Zusatz-Transistoren gemästet und kann jetzt vor lauter Stromberverauch kaum hochtakten.
Fazit: 90 nm ansich als Problemtechnologie ist ein reines Märchen.

 

[blabla]

@ rkinet

Forscht man bei IBM überhaupt noch rein an SOI? Denke da wird doch gleich an einer passenden Verbindung von SS und SOI geforscht, oder ?

 

[rkinet]

sorry, Computerbase, eure Anmerkungen zu SOI sind ein Ggriff in die Kloschüssel.

a) AMDs 64 Bit Linie arbeitet mit SOI, bisher in 130 nm
b) ebenso einige der PowerPC CPUs
c) Strained Silicium bei Intel verwendet ein Silicium mit Germanium; die verbleibt im ferigen DIE
d) IBM nutzt einen 'toten' Wafer mit SiO2 Überzug. Bei einem zweiten Wafer wird benfalls mit Germanium zunächst die Oberfläche gestreckt, das Germanium aber wieder entfernt. Dadurch bleiben die positiven Eigenschaften des gestreckten Siliciumgitters erhalten, ohne daß statt reine Silicium nun Misch(Silicium/Germanium) Transistoren entstehen.
e) Strained Silicium ist nicht die Ursache für Intels-Leckströme, sondern ein Versuch das Problem zu mildern.

 

[blabla]

@ rkinet

Strained Silicium ist ein Begriff der halb Deutsch, halb Englisch ist. Sag doch einfach Strained Silicon oder gestrecktes Silicium
Intel verwendet übrigens kein Germanium, bzw. behaupten sie das

 

[xLoMx]

Die Leckströme können auch durch andere sachen kommen. Zum beispiel kann die packungsdichte ein hauptgrund sein.

Die Gateisolierung könnte schon zu klein werden. desweiteren ist es auch günstiger wenn die Source-Drain-Strecke schon etwas leitet dann schalten die schneller und die verstärkung ist höher. außerdem ist die schaltspannung niedriger.

Es gibt keine standart-transistoren. der Kanal wird leicht vordotiert. jenachdem wie stark er dotiert wird steigt auch der leckstrom, aber die schaltspannung sinkt.