Wobei man sagen muss, dass die Datendichte von 0,92 Gbit/mm² bei Toshibas/SanDisks 15nm 2D-Flash für MLC gilt, damit wohl für die 2bpc und die Datendichte bei TLC (3bpc), welches ja auch in dem 15nm Prozess kommen wird, dann noch einmal steigt. Ebenso wird auch die Datendichte bei Samsung TLC V-NAND nochmal höher sein als beim bisher verwendeten MLC V-NAND.
Übrigens sind die bei Anand genannten 0,96 Gbit/mm² für das 24 Layer V-NANDs, die NANDs der 850 Pro haben aber 32 Layer und daher auch die seltsame Kapazität von 86Gbit pro Die, weil man eben den eigentlich 64 Gbit 24 Layer NANDs nur die Anzahl der Layer erhöht hat, nicht aber die Dimensionierung in X und Y. Die Diesize drüfte als die gleiche sein, die Datendichte damit dann 1,28 Gbit/mm² und wenn man dann auf 48 Layer geht, hat man bei sonst gleicher Auslegung dann 128 GBit pro Die und 1,92 Gbit/mm². Natürlich kostet jeder Layer auch Geld in der Fertigung, aber die Grundfläche dürfte immer noch den größten Einfluss auf die Kosten haben, es ist also weiteres Potential für Preissenkungen vorhanden.