TRixxY
Lieutenant
- Registriert
- Nov. 2005
- Beiträge
- 686
Hallo zusammen,
nab mir o.g. Rams gekauft und auf meinem Fatal!ty laufen.
Wenn ich das aktuelle BIOS draufmach, dann laufen se
229, CL2.5-3-3-5, bei 2.6V.....top Speicher
Blöderweise hab ich nen 144 Opti, der nur mit dem BetaBios von TicTac sauber mit 2700 und mehr läuft.
Dann bekomm ich den Speicher aber nicht mehr stabil, d.h. er läuft mit unter 200 nicht mal mehr mit CL2.5-3-3-6 bei 2.6V....mehr Spannung bringt nix, lahmere Latenzen auch nciht.
Ich muss dazu sagen, dass ich ein Speicher-NooB bin, beim SockelA gabs nicht so viele Einstellmöglichkeiten.
Hat jemand ne Idee, was ich noch ändern sollte?
Everest sagt:
--------[ CPU ]---------------------------------------------------------------------------------------------------------
CPU-Eigenschaften:
CPU Typ AMD Opteron, 2433 MHz (9 x 270)
CPU stepping SH-E4
Befehlssatz x86, x86-64, MMX, 3DNow!, SSE, SSE2, SSE3
Min / Max CPU Multiplier 4x / 9x
L1 Code Cache 64 KB (Parity)
L1 Datencache 64 KB (ECC)
L2 Cache 1 MB (On-Die, ECC, Full-Speed)
CPU Technische Informationen:
Gehäusetyp 939 Pin uOPGA
Gehäusegröße 4.00 cm x 4.00 cm
Transistoren 114 Mio.
Fertigungstechnologie 11Mi, 90 nm, CMOS, Cu, SOI
Gehäusefläche 112.9 mm2
Core Spannung 1.550 - 1.450 V
I/O Spannung 1.2 V + 2.5 V
Maximale Leistung 89 W
CPU Hersteller:
Firmenname Advanced Micro Devices, Inc.
Produktinformation http://www.amd.com/us-en/Processors/ProductInformation/0,,30_118,00.html
CPU Auslastung:
CPU #1 0 %
--------[ SPD ]---------------------------------------------------------------------------------------------------------
[ DIMM1: G Skill NS ]
Arbeitsspeicher Eigenschaften:
Modulname G Skill NS
Seriennummer Keine
Modulgröße 1024 MB (2 ranks, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC3200 (200 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Speicher Timings:
@ 200 MHz 2.5-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)
Speichermodulbesonderheiten:
Early RAS# Precharge Nicht unterstützt
Auto-Precharge Nicht unterstützt
Precharge All Nicht unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt
Speichermodulhersteller:
Firmenname GSkill International Enterprise
Produktinformation http://www.gskill.com/products.html
[ DIMM2: G Skill NS ]
Arbeitsspeicher Eigenschaften:
Modulname G Skill NS
Seriennummer Keine
Modulgröße 1024 MB (2 ranks, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC3200 (200 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Speicher Timings:
@ 200 MHz 2.5-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)
Speichermodulbesonderheiten:
Early RAS# Precharge Nicht unterstützt
Auto-Precharge Nicht unterstützt
Precharge All Nicht unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------
[ North Bridge: AMD Hammer IMC ]
North Bridge Eigenschaften:
North Bridge AMD Hammer IMC
Revision 00
In-Order Queue Depth 8
Speichercontroller:
Typ Dual Channel (128 Bit)
Aktiv-Modus Dual Channel (128 Bit)
Speicher Timings:
CAS Latency (CL) 2.5T
RAS To CAS Delay (tRCD) 3T
RAS Precharge (tRP) 3T
RAS Active Time (tRAS) 5T
Row Cycle Time (tRC) 10T
Row Refresh Cycle Time (tRFC) 12T
Command Rate (CR) 1T
RAS To RAS Delay (tRRD) 2T
Write Recovery Time (tWR) 3T
Read To Write Delay (tRTW) 4T
Write To Read Delay (tWTR) 1T
Write CAS Latency (tWCL) 1T
Refresh Period (tREF) 200 MHz 3.9 us
DQS Skew Control Increase Skew
DQS Skew Value 255
DRAM Drive Strength Weak
DRAM Data Drive Strength 4 (No Reduction)
Max Async Latency 7 ns
Read Preamble Time 6.0 ns
Idle Cycle Limit 16
Dynamic Idle Cycle Counter Aktiviert
Read/Write Queue Bypass 8
Bypass Max 4
32-byte Granularity Deaktiviert
Fehlerkorrektur:
ECC Unterstützt, Deaktiviert
ChipKill ECC Unterstützt, Deaktiviert
RAID Nicht unterstützt
DRAM Scrub Rate Deaktiviert
L1 Data Cache Scrub Rate Deaktiviert
L2 Cache Scrub Rate Deaktiviert
Speichersteckplätze:
DRAM Steckplatz #1 1024 MB (PC3200 DDR SDRAM)
DRAM Steckplatz #2 1024 MB (PC3200 DDR SDRAM)
WAS KANN ICH NOCH TUN???
Danke
nab mir o.g. Rams gekauft und auf meinem Fatal!ty laufen.
Wenn ich das aktuelle BIOS draufmach, dann laufen se
229, CL2.5-3-3-5, bei 2.6V.....top Speicher
Blöderweise hab ich nen 144 Opti, der nur mit dem BetaBios von TicTac sauber mit 2700 und mehr läuft.
Dann bekomm ich den Speicher aber nicht mehr stabil, d.h. er läuft mit unter 200 nicht mal mehr mit CL2.5-3-3-6 bei 2.6V....mehr Spannung bringt nix, lahmere Latenzen auch nciht.
Ich muss dazu sagen, dass ich ein Speicher-NooB bin, beim SockelA gabs nicht so viele Einstellmöglichkeiten.
Hat jemand ne Idee, was ich noch ändern sollte?
Everest sagt:
--------[ CPU ]---------------------------------------------------------------------------------------------------------
CPU-Eigenschaften:
CPU Typ AMD Opteron, 2433 MHz (9 x 270)
CPU stepping SH-E4
Befehlssatz x86, x86-64, MMX, 3DNow!, SSE, SSE2, SSE3
Min / Max CPU Multiplier 4x / 9x
L1 Code Cache 64 KB (Parity)
L1 Datencache 64 KB (ECC)
L2 Cache 1 MB (On-Die, ECC, Full-Speed)
CPU Technische Informationen:
Gehäusetyp 939 Pin uOPGA
Gehäusegröße 4.00 cm x 4.00 cm
Transistoren 114 Mio.
Fertigungstechnologie 11Mi, 90 nm, CMOS, Cu, SOI
Gehäusefläche 112.9 mm2
Core Spannung 1.550 - 1.450 V
I/O Spannung 1.2 V + 2.5 V
Maximale Leistung 89 W
CPU Hersteller:
Firmenname Advanced Micro Devices, Inc.
Produktinformation http://www.amd.com/us-en/Processors/ProductInformation/0,,30_118,00.html
CPU Auslastung:
CPU #1 0 %
--------[ SPD ]---------------------------------------------------------------------------------------------------------
[ DIMM1: G Skill NS ]
Arbeitsspeicher Eigenschaften:
Modulname G Skill NS
Seriennummer Keine
Modulgröße 1024 MB (2 ranks, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC3200 (200 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Speicher Timings:
@ 200 MHz 2.5-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)
Speichermodulbesonderheiten:
Early RAS# Precharge Nicht unterstützt
Auto-Precharge Nicht unterstützt
Precharge All Nicht unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt
Speichermodulhersteller:
Firmenname GSkill International Enterprise
Produktinformation http://www.gskill.com/products.html
[ DIMM2: G Skill NS ]
Arbeitsspeicher Eigenschaften:
Modulname G Skill NS
Seriennummer Keine
Modulgröße 1024 MB (2 ranks, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC3200 (200 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Speicher Timings:
@ 200 MHz 2.5-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)
Speichermodulbesonderheiten:
Early RAS# Precharge Nicht unterstützt
Auto-Precharge Nicht unterstützt
Precharge All Nicht unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt
-------------------------------------------------------------------------------------------------------------
[ North Bridge: AMD Hammer IMC ]
North Bridge Eigenschaften:
North Bridge AMD Hammer IMC
Revision 00
In-Order Queue Depth 8
Speichercontroller:
Typ Dual Channel (128 Bit)
Aktiv-Modus Dual Channel (128 Bit)
Speicher Timings:
CAS Latency (CL) 2.5T
RAS To CAS Delay (tRCD) 3T
RAS Precharge (tRP) 3T
RAS Active Time (tRAS) 5T
Row Cycle Time (tRC) 10T
Row Refresh Cycle Time (tRFC) 12T
Command Rate (CR) 1T
RAS To RAS Delay (tRRD) 2T
Write Recovery Time (tWR) 3T
Read To Write Delay (tRTW) 4T
Write To Read Delay (tWTR) 1T
Write CAS Latency (tWCL) 1T
Refresh Period (tREF) 200 MHz 3.9 us
DQS Skew Control Increase Skew
DQS Skew Value 255
DRAM Drive Strength Weak
DRAM Data Drive Strength 4 (No Reduction)
Max Async Latency 7 ns
Read Preamble Time 6.0 ns
Idle Cycle Limit 16
Dynamic Idle Cycle Counter Aktiviert
Read/Write Queue Bypass 8
Bypass Max 4
32-byte Granularity Deaktiviert
Fehlerkorrektur:
ECC Unterstützt, Deaktiviert
ChipKill ECC Unterstützt, Deaktiviert
RAID Nicht unterstützt
DRAM Scrub Rate Deaktiviert
L1 Data Cache Scrub Rate Deaktiviert
L2 Cache Scrub Rate Deaktiviert
Speichersteckplätze:
DRAM Steckplatz #1 1024 MB (PC3200 DDR SDRAM)
DRAM Steckplatz #2 1024 MB (PC3200 DDR SDRAM)
WAS KANN ICH NOCH TUN???
Danke