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NewsISSCC 2025: Samsung bereitet 4xx Layer V10 TLC-NAND mit 5,6 Gb/s vor
Im Februar startet die International Solid-State Circuits Conference, kurz ISSCC 2025. Hier sind technische Details zu neuen Halbleiterprodukten zu erwarten. So auch für 3D-NAND der nächsten Generation. Was Samsung, SK Hynix und Kioxia so planen, liest sich zumindest eindrucksvoll.
Obwohl somit zwei Wafer benötigt werden, sollen die Kosten insgesamt nicht steigen, da sich auf diesem Weg die Speicherdichte erheblich steigern lässt, sodass es sich rentiert
Das heißt aber auch, dass diese Chips nicht günstiger als die Vorgänger werden. Vereinfacht gesagt, scheint man ja nur zwei Chips aufeinander zu pappen und fertig.
Das heißt aber auch, dass diese Chips nicht günstiger als die Vorgänger werden. Vereinfacht gesagt, scheint man ja nur zwei Chips aufeinander zu pappen und fertig.
Das ist zu einfach gedacht. Der Rohwafer macht ja nicht die Hauptkosten. Wenn man jeden Wafer viel schneller bearbeiten kann, hat man insgesamt einen höheren Durchsatz.
@bensen
Kann man denn durch diese Technik einen Wafer schneller bearbeiten? Für mich klingt das so, ja würde man da das "Übliche" machen und am Ende zwei Wafer aufeinander kleben. Man hat dann hinterher eine 8 TB SSD statt zwei 4 TB SSDs.
Ich sehe hier nicht, wo man Geld spart. Der Arbeitsaufwand pro TB bleibt doch gleich.
Das stacking von NAND layer strings ist ein alter Hut , auch für Samsung.
Dies geschieht vor allem, da man nicht beliebig tief in einem Schritt ätzen kann. Mann ist also bei der Anzahl Layer limitiert.
Hier wird ja jetzt Logik und Speicher auf verschiedenen Wafer gefertigt.
Die haben ja ganz unterschiedliche Anforderungen.
Zudem ist die Yield höher wenn ich weniger Arbeitsschritte habe.
Hier noch ein Bild von YMTC. Wird bei Samsung nicht so anders aussehen.
Die Fragen aller Fragen. Für den Consumer Bereicht endlich mehr 8TB + Modelle und was werden die dann kosten? Was aktuell für 8 TB verlangt wird, ist schon jenseits von Gut und Böse. Da hilft auch die Black Week nicht.
