MDT 1GB DDR-400 mit EPoX EP-9NPA+ Ultra macht Probs

[Grieser]

Hallo!


Heute sind meine neuen beiden 1024er MDT RAM's angekommen.
Gleich eingebaut und neugestartet gab mein Mainboard erstmal 2 lange Piepser von sich.
Alles klar, denke ich: Fehlercode ablesen (unterstützt mein EPoX =) ) und im Handbuch nachschauen, was los is.
Dann die Ernüchterung:

Fehlercode: C1
1. Memory module inserted incorrectly
2. Memory compatibility problem
3. Memory module damaged


1. und 3. scheidet eigentlich aus, denn ich hab dann die Command Rate auf 1T umgestellt und neugestartet, dann hat alles hervorragend geklappt.

Nun, wäre ja alles schön und gut, aber beim Neustart fiel mir auf, dass meine schönen RAM's nur 400@166 MHz waren, seit ich die CR auf 1T umgestellt hatte.

Wenn ich nun aber 2T einstelle, piepst mein Mainboard wieder.
(Es kam übrigens noch die Meldung, ich solle die CPU Frequency resetten, an welcher ich aber nichts umgestellt hatte)

Also:
RAM's @ 1T => nur 166MHz
RAM's @ 2T => 200Mhz aber immer Fehler


Hier noch die Everest - Ergebnisse:
(Ich hab, wie ihr seht [FETT], die Settings (CL usw.) schon so umgestellt, wie er es für 200Mhz haben will...
trotzdem sieht man auch [FETT], dass der Speicherbus nur mit 158MHz tatsächlichem Takt angesprochen wird.... was soll ich denn noch machen?)

Motherboard Eigenschaften
Motherboard Name Epox EP-9NPAJ / 9NPA+ / 9NPA+ Ultra

Front Side Bus Eigenschaften
Bustyp AMD Hammer
Tatsächlicher Takt 200 MHz
Effektiver Takt 200 MHz
HyperTransport Clock 1000 MHz

Speicherbus-Eigenschaften
Bustyp Dual DDR SDRAM
Busbreite 128 Bit
Tatsächlicher Takt 158 MHz (DDR)
Effektiver Takt 316 MHz
Bandbreite 5051 MB/s



Arbeitsspeicher Eigenschaften
Modulname MCI Computer MDT 1GB PC400 CL2.
Seriennummer 26432009h
Modulgröße 1024 MB (2 ranks, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC3200 (200 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh

Speicher Timings
@ 200 MHz 2.5-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 166 MHz 2.0-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)

Speichermodulbesonderheiten
Early RAS# Precharge Nicht unterstützt
Auto-Precharge Nicht unterstützt
Precharge All Nicht unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt




North Bridge Eigenschaften
North Bridge AMD Hammer IMC
Revision 00
In-Order Queue Depth 8

Speichercontroller
Typ Dual Channel (128 Bit)
Aktiv-Modus Dual Channel (128 Bit)

Speicher Timings
CAS Latency (CL) 2.5T
RAS To CAS Delay (tRCD) 3T
RAS Precharge (tRP) 3T
RAS Active Time (tRAS) 8T
Row Cycle Time (tRC) 10T
Row Refresh Cycle Time (tRFC) 11T
Command Rate (CR) 1T
RAS To RAS Delay (tRRD) 2T
Write Recovery Time (tWR) 3T
Read To Write Delay (tRTW) 4T
Write To Read Delay (tWTR) 1T
Write CAS Latency (tWCL) 1T
Refresh Period (tREF) 166 MHz 7.8 us
DQS Skew Control Deaktiviert
DRAM Drive Strength Normal
DRAM Data Drive Strength 4 (No Reduction)
Max Async Latency 7 ns
Read Preamble Time 6.0 ns
Idle Cycle Limit 16
Dynamic Idle Cycle Counter Aktiviert
Read/Write Queue Bypass 8
Bypass Max 4
32-byte Granularity Deaktiviert

Fehlerkorrektur
ECC Unterstützt, Deaktiviert
ChipKill ECC Unterstützt, Deaktiviert
RAID Nicht unterstützt
DRAM Scrub Rate Deaktiviert
L1 Data Cache Scrub Rate Deaktiviert
L2 Cache Scrub Rate Deaktiviert

Speichersteckplätze
DRAM Steckplatz #1 1024 MB (PC3200 DDR SDRAM)
DRAM Steckplatz #2 1024 MB (PC3200 DDR SDRAM)

Kann mir jemand weiterhelfen?




SORRY! Hatte nur vergessen den Takt manuell auf 200Mhz zu stellen. Hatte die Einstellung im BIOS nicht gefunden!

Thema erledigt =)

mfg