Micron E Dies gut zum Übertakten?

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Hallo zusammen. Ich habe Corsair Vengeance LPX 3600mhz cl 16 Ram. 2*16 Gb Dual Ranked . Die Dies sind Micron E Dies habe die mit Taiphoon Burner ausgelesen. Sind die gut zum Übertakten ? Wie z.b. Samsung B-Dies ? Und wie gehe ich dann am besten dabei vor ? Danke für eure antworten und l.g.
 
Bei deinem 5800x3D kannst du dir die Mühe sparen, schnellerer Ram bringt bei der CPU nicht viel.
 
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lass es so… bringt nix.

konnte meine Samsung 3600er mit 3800 laufen lassen und hätte sicherlich die Timings noch straffen können.

Zeitaufwand vs Nutzen ist nicht ansatzweise der Rede wert.
 
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Wenn es M8E sind, dann lassen diese sich sehr schön übertakten, der Kosename lautet auch "easy dies"


Xero261286 schrieb:
Bei deinem 5800x3D kannst du dir die Mühe sparen, schnellerer Ram bringt bei der CPU nicht viel.
Blödsinn. Wieso hält sich dieses falsche Gerücht so hartnäckig?!

Bin vor 3 Wochen selbst auf den 58x3D gewechselt und habe dazu sogar einen Lesertest mit RAM OC veröffentlicht. Inkl Tests in 720p, UHD und mit Framelimit. Einfach nur um diese Gerüchte zu zerschlagen.

https://extreme.pcgameshardware.de/threads/ram-oc-anhand-eines-5800x3d-was-bringt-es.650650/

Wer danach immernoch behauptet, dass RAM OC beim 5800x3D nichts bringt, der kann nicht ernst genommen werden.

btw, der CPU Fachredakteur von PCGH hat mit Hilfe der Ryzen RAM OC Community auch einen 12-seitigen RAM OC Artikel zum 7800x3D veröffentlicht. Steigerungen von bis zu 33% AVG und 38% P1 FPS gegenüber stock/jedec waren das Ergebnis.

Sinatra81 schrieb:
Zeitaufwand vs Nutzen ist nicht ansatzweise der Rede wert.
Zeitaufwand? Kaum vorhanden.
Da man XMP, genauso wie manuelle Timings, immer auf stabilität testen sollte, gibt sich das nicht viel. Wenn man sich ein bisschen auskennt reichen da 5 bis 10 minuten im BIOS für Timings/Spannungen und dann testen. Da das Testen den großteil der Zeit beantsprucht, gibt sich das zu XMP auch nicht viel.

Kosten zu Nutzen ist also extrem hoch.

Was anderes ist es natürlich wenn man auf das letzte 0,1% gehen und die individuellen ICs maximal ausreizen will. Das dauert länger und da ist der Kosten zu Nutzen Faktor kaum vorhanden. Aber ein leichtes, IC basiertes tuning ist schnell gemacht und bringt einen deutlichen boost.

Drewkev schrieb:
Zumal man mit dem Timings insgesamt deutlich mehr rausholen kann als mit der reinen Taktfrequenz.
Das ist richtig.
Habe ich auch gestestet, zwecks übersichtlichkeit aber nicht in den Test mit aufgenommen. Aber ein manuelles 3000er Setting schlägt bei S8B ein 3600er XMP Setting in allen Fällen, da die Timings den Löwenanteil ausmachen.
 
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@Jaffech danke dir für deine ausführliche Antwort . Und ja ich denke ich habe die M8E. Easy Dies^^.

Das steht bei Taiphoon Burner: Ich hoffe du kannst was damit anfangen. Und ich hoffe das sind die richigen.


Manufacturer
Corsair
Series
Vengeance LPX
Part Number
CMK32GX4M2D3600C16
Serial Number
Undefined
JEDEC DIMM Label
16GB 2Rx8 PC4-2133P-UB0-10
Architecture
DDR4 SDRAM UDIMM
Speed Grade
DDR4-2133P downbin
Capacity
16 GB (16 components)
Organization
2048M x64 (2 ranks)
Register Model
N/A
Manufacturing Date
Undefined
Manufacturing Location
Taiwan
Revision / Raw Card
0000h / B0 (8 layers)



DRAM COMPONENTS
Manufacturer
Micron Technology
Part Number
D9VPP (MT40A1G8SA-075:E)
Package
Standard Monolithic 78-ball FBGA
Die Density / Count
8 Gb E-die (Z11B / 19 nm) / 1 die
Composition
1024Mb x8 (64Mb x8 x 16 banks)
Input Clock Frequency
1067 MHz (0,938 ns)
Minimum Timing Delays
15-15-15-36-50
Read Latencies Supported
24T, 23T, 22T, 21T, 20T, 19T, 18T...
Supply Voltage
1,20 V
XMP Certified
1799 MHz / 16-19-19-36-55 / 1,35 V
XMP Extreme
Not programmed
SPD Revision
1.0 / January 2014
XMP Revision
2.0 / December 2013


FREQUENCYCASRCDRPRASRCFAWRRDSRRDLCCDL
1067 MHz241515365023466
1067 MHz231515365023466
1067 MHz221515365023466
1067 MHz211515365023466
1067 MHz201515365023466
1067 MHz191515365023466
1067 MHz181515365023466
1067 MHz171515365023466
1067 MHz161515365023466
1067 MHz151515365023466
933 MHz141313314420455
933 MHz131313314420455
800 MHz121111273817355
800 MHz111111273817355
667 MHz1099223114344
667 MHz999223114344
667 MHz899223114344
667 MHz799223114344

XMP FREQUENCYCASRCDRPRASRCFAWRRDSRRDL
1799 MHz161919365540710
Module Manufacturer:Corsair
Module Part Number:CMK32GX4M2D3600C16
Module Series:Vengeance LPX
DRAM Manufacturer:Micron Technology
DRAM Components:D9VPP (MT40A1G8SA-075:E)
Component Design ID:Z11B
DRAM Die Revision / Process Node:E / 19 nm
Module Manufacturing Date:Undefined
Module Manufacturing Location:Taiwan
Module Serial Number:00000000h
Module PCB Revision:00h

Physical & Logical Attributes
Fundamental Memory Class:DDR4 SDRAM
Module Speed Grade:DDR4-2133P downbin
Base Module Type:UDIMM (133,35 mm)
Module Capacity:16 GB
Reference Raw Card:B0 (8 layers)
JEDEC Raw Card Designer:Micron Technology
Module Nominal Height:31 < H <= 32 mm
Module Thickness Maximum, Front:1 < T <= 2 mm
Module Thickness Maximum, Back:1 < T <= 2 mm
Number of DIMM Ranks:2
Address Mapping from Edge Connector to DRAM:Mirrored
DRAM Device Package:Standard Monolithic
DRAM Device Package Type:78-ball FBGA
DRAM Device Die Count:Single die
Signal Loading:Not specified
DRAM I/O Width:8 bits
Column Addressing:10 bits
Row Addressing:16 bits
Bank Addressing:2 bits (4 banks)
Bank Group Addressing:2 bits (4 groups)
Programmed DRAM Density:8 Gb
Calculated DRAM Density:8 Gb
Number of DRAM components:16
DRAM Page Size:1 KB
Primary Memory Bus Width:64 bits
Memory Bus Width Extension:0 bits
DRAM Post Package Repair:Not supported
Soft Post Package Repair:Not supported

DRAM Timing Parameters
Fine Timebase:0,001 ns
Medium Timebase:0,125 ns
CAS Latencies Supported:7T, 8T, 9T, 10T,
11T, 12T, 13T, 14T,
15T, 16T, 17T, 18T, 19T, 20T, 21T, 22T, 23T, 24T
Minimum Clock Cycle Time (tCK min):0,938 ns (1066,10 MHz)
Maximum Clock Cycle Time (tCK max):1,500 ns (666,67 MHz)
CAS# Latency Time (tAA min):13,500 ns
RAS# to CAS# Delay Time (tRCD min):13,500 ns
Row Precharge Delay Time (tRP min):13,500 ns
Active to Precharge Delay Time (tRAS min):33,000 ns
Act to Act/Refresh Delay Time (tRC min):46,500 ns
Normal Refresh Recovery Delay Time (tRFC1 min):350,000 ns
2x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC2 min):260,000 ns
4x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC4 min):160,000 ns
Short Row Active to Row Active Delay (tRRD_S min):3,700 ns
Long Row Active to Row Active Delay (tRRD_L min):5,300 ns
Long CAS to CAS Delay Time (tCCD_L min):5,356 ns
Four Active Windows Delay (tFAW min):21,000 ns
Maximum Active Window (tMAW):8192*tREFI
Maximum Activate Count (MAC):Unlimited MAC
DRAM VDD 1,20 V operable/endurant:Yes/Yes
Supply Voltage (VDD), Min / Typical / Max:1,16V / 1,20V / 1,26V
Activation Supply Voltage (VPP), Min / Typical / Max:2,41V / 2,50V / 2,75V
Termination Voltage (VTT), Min / Typical / Max:0,565V / 0,605V / 0,640V

Thermal Parameters
Module Thermal Sensor:Not Incorporated

SPD Protocol
SPD Revision:1.0
SPD Bytes Total:512
SPD Bytes Used:384
SPD Checksum (Bytes 00h-7Dh):E0AFh (OK)
SPD Checksum (Bytes 80h-FDh):27DEh (OK)

Part number details
JEDEC DIMM Label:16GB 2Rx8 PC4-2133P-UB0-10


FrequencyCASRCDRPRASRCRRDSRRDLCCDLFAW
1067 MHz241515365046623
1067 MHz231515365046623
1067 MHz221515365046623
1067 MHz211515365046623
1067 MHz201515365046623
1067 MHz191515365046623
1067 MHz181515365046623
1067 MHz171515365046623
1067 MHz161515365046623
1067 MHz151515365046623
933 MHz141313314445520
933 MHz131313314445520
800 MHz121111273835517
800 MHz111111273835517
667 MHz1099223134414
667 MHz999223134414
667 MHz899223134414
667 MHz799223134414

Intel Extreme Memory Profiles
XMP ParameterProfile 1Profile 2
Profiles Revision: 2.0
Profile 1 (Certified) Enabled: Yes
Profile 2 (Extreme) Enabled: No
Profile 1 Channel Config: 1 DIMM/channel
Speed Grade:DDR4-3598N/A
DRAM Clock Frequency:1799 MHzN/A
Module VDD Voltage Level:1,35 VN/A
Minimum DRAM Cycle Time (tCK):0,556 nsN/A
CAS Latencies Supported:24T,23T,22T,21T,
20T,19T,18T,17T,
16T,15T,14T,13T,
12T,11T,10T,9T,8T,7T
N/A
CAS Latency Time (tAA):16TN/A
RAS# to CAS# Delay Time (tRCD):19TN/A
Row Precharge Delay Time (tRP):19TN/A
Active to Precharge Delay Time (tRAS):36TN/A
Active to Active/Refresh Delay Time (tRC):55TN/A
Four Activate Window Delay Time (tFAW):40TN/A
Short Activate to Activate Delay Time (tRRD_S):7TN/A
Long Activate to Activate Delay Time (tRRD_L):10TN/A
Normal Refresh Recovery Delay Time (tRFC1):630TN/A
2x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC2):468TN/A
4x mode Refresh Recovery Delay Time (tRFC4):288TN/A

Ergänzung ()

@Jaffech P.s. ahja Xmp läuft einwandfrei und CO- 30 beim 5800x3d auch alles Stabil getestet mit Y- Cruncher und Aida 64 Stress Test und Prime 95 und CB R23. Und natürlich mehrere Games gezockt^^
Ergänzung ()

Wenn das die richtigen Rams sind wie gehe ich dann am besten vor?
 
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Aida64, CB und Prime95 (zumindest allcore) sind keine (guten) RAM/CO Tests^^

RAM ehr mit Karhu oder TM5 (anta absolute config) und CO am besten mit CoreCycler (config richtig einstellen, nicht Default! Wobei nahezu alle 58x3Ds -30 schaffen). Games sind immer gut zu testen, aber im Idealfall erst nach den Synthetischen Tests.

Was den RAM selbst angeht: Taiphoon Burner ist leider nicht zuverlässig.
Schick einfach mal den Sticker auf deinem RAM rein. Geh dazu am besten in den Ryzen RAM OC Thread :)
 
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