@Flo89
10^5 Schreibzyklen ist sehr wenig und nicht sehr gut.
DRAM liegt bei 10^16
FeRAM liegt bei 10^15
Flash liegt bei 10^5 (also auch 100000).
Das Problem bei diesen Speicher mit geringer Anzahl von Schreib- Lesezyklen ist ja gerade, dass man nicht dauernd auf die gleiche Zelle schreiben kann, sonst ist die ziemlich schnell kaputt. Dafür braucht man extra Controller, die Versuche, die Zellen einigermaßen gleichmäßig ausnutzen.
Nicht umsonst gibt es auch unter Linux eine spezielle Formatierungsoption für SSD-Festplatten.
Und solche Speicher sollte man nie komplett vollschreiben, denn sonst bleibt kein Platz zum Auslagern von Dateien, die nicht wieder auf den gleichen Platz geschrieben werden sollen mit Hilfe des Controllers.
Meiner Meinung nach liegt die Zukunft bei MRAM (STTRAM-Ausführung). Der bietet technisch die Besten aussichten.
Zugriffzeit liegt bei 10ns (W/R). Lebensdauer 10^15. Non-Volatile. Die Energie zum Programmieren einer Zelle liegt bei nur 0.02pJ. Bei DRAM liegt die Schreibenergie bei 2pJ. PCRAM benötigt gar 100pJ, also nicht so gut für mobile Geräte geeignet.
Wer sich für mehr Details interessiert sollte sich "After Hard Drives—What Comes Next? (Mark H. Kryder and Chang Soo Kim)" durchlesen.
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