Leli196 schrieb:
Also 16-nm-TLC-NAND sollte doch durch die kleinere Struktur tatsächlich ein wenig effizienter sein als Samsungs 40-nm-TLC-NAND, oder irre ich mich?
Da irrst Du Dich, denn NAND ist was ganz anderes als CPUs oder GPUs bei denen es sich um Logikschaltungen handelt. Davon hat NAND auch etwas, aber der Teil verbraucht nicht viel Leistung, beim Schreiben ist da eher entscheidend wie lange die Spannung anliegen muss um die Elektronen durch die Isolierschicht in die Zellen zu bekommen. Kennst Du noch das Bild mit den Erbsen im Glas mit denen vor Jahren die Funktion einer NAND Zelle beschrieben wurde? Dort sind die Erbsen die Elektronen und die Zelle ist das Glas, die Isolierschicht ist der Deckel und die Spannung ist die Kraft mit der dieser Deckel aufgehalten werden muss. Bei den 16nm NANDs passen nur etwa zwei Dutzend Elektronen in eine Zelle, bei TLC muss man 8 Ladungszustände unterschieden und damit macht der Unterschied zwischen zwei Zuständen nur extrem wenige Elektronen aus, man muss also sehr genau dosieren und dies geht nicht so schnell, entsprechend lange muss der Deckel offen gehalten werden. Bei Samsung 3D TLC NANDs (und wohl auch den anderen 3D NANDs) sind die Zellen im Vergleich riesig und da passen um Zehnerpotenzen mehr Elektronen rein, man kann sie also schnell reinschütten und muss sie dabei nicht so genau abzählen, weshalb man den Deckel schnell wieder zufallen lassen kann und daher weniger Energie beim Schreiben braucht.
Leli196 schrieb:
Wenn ich dich richtig verstanden habe würde der USB-Port den Strom abstellen, wenn die SSD zu viel "Saft" zieht. Wie kritisch ist es, wenn die SSD keinen Strom mehr erhält - Google sagt Datenverlust. Heißt das, die SSD an sich wird nicht beschädigt und allenfalls Daten werden korrumpiert?
Richtig, die USB Ports schalten die Spannungsversorgung ab, wenn mehr Strom gezogen wird als sie erlauben. Die Auswirkungen können im schlimmsten Fall sogar so sein, dass die SSD sich danach gar nicht mehr meldet, denn dies passiert ja ausgerechnet während der Schreibvorgänge, da ja die meisten SSDs beim Schreiben den meisten Strom ziehen! Werden dann die Verwaltungsdaten korrupt, so kann dies eben bei SSDs dazu führen, dass diese sich nicht mehr melden, wobei es von der SSD abhängt wie hoch die Gefahr ist. Bei der Crucial C300 und m4 ware es relativ oft der Fall, weshalb es auch die
m4 Power Cycle Wiederbelebungsmethode gibt und die Nachfolger mit Marvell Controllern (m500, m500, MX100, MX200, MX300) alle Stützkondensatoren bekommen haben, nur leider scheinen die auch nicht immer auszureichen dieses Problem zu vermeiden, weil auch bei denen zuweilen diese
m4 Power Cycle Wiederbelebungsmethode nötig war und funktioniert hat, was klar auf vorher korrupte Verwaltungsdaten hindeutet. Enterprise SSDs haben daher auch eine Full Power Loss Protection, die zeichnet sich gegenüber der Client Lösung der Crucial SSDs dann durch Kondensatoren mit weit mehr Kapazität aus und kann auch die Userdaten im Schreibcache noch sicher schützen. Die Samsung SSDs sind aber nicht als besonders ausfallfreudig bekannt, da hat man offenbar in der FW aufgepasst, dass auch bei einem Spannungsabfall die Verwaltungsdaten (vor allem die Mappingtabelle) nicht korrupt werden kann, was bei einigen anderen Herstellern dann auch so ist und als Power Loss Protection beworben wird, obwohl es keine nennenswerten Kondensatoren auf der Platine gibt.4
Recht sicher ist aber Datenverlust, einmal bei den Daten die gerade geschrieben wurden, es kann aber auch wegen der Low-Page Corruption auch andere Daten treffen, dies hängt aber auch wieder davon ab wie die FW genau funktioniert. Vor allem SSDs mit einem Pseudo-SLC Schreibmodus sind da gefährdet wenn diese schon voll ist, was dummerweise dann auch ein höhere Leistungsaufnahme beim Schreiben mit sich bringt. Das erste Bit ist bei MLC und TLC NAND nämlich nicht nur schneller beschreibbar als die weiteren Bit der Zelle, es wird dafür auch weniger Leistung benötigt (was die Ergebnisse der Leistungsaufnahme in den Reviews dann auch gerne mal verfälscht). Nur steht dann eben im ersten Bit (der Low Page) etwas was schon vorher geschrieben wurde und dies wird dann auch korrupt. SSDs wie die 850 Evo mit einem festen Pseudo-SLC Schreibcache in dem alle Zellen immer nur mit einem Bit beschrieben werden, sind davor solange sicher, wie nur in diesem geschrieben wird.
Außerdem können unerwartete Spannungsabfälle während Schreib- und vor allem Löschvorgängen zum Verlust des betroffenen NAND Blöcks führen. Bei SSDs mit vielen unerwarteten Spannungsabfällen sind daher auch öfter mal ausrangierte NAND Blöcke zu sehen, diese sind dann auch nicht wirklich ein Beleg für eine schlechte NAND Qualität.
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