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foofoobar schrieb:Hat jemand zum Vergleich die Flächen der Intel-SRAM-Zellen zur Hand?
Intel 22nm: 0,108µm²
Intel 14nm; 0,0588µm²
TSMC 16nm: 0,0700µm²
Samsung 14nm: 0,0645µm²
Samsung 10nm: 0,0400µm²
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foofoobar schrieb:Hat jemand zum Vergleich die Flächen der Intel-SRAM-Zellen zur Hand?
Piak schrieb:Falsche Rechnung.
Du musst mit Flächen Rechnen, dann geht die Schere noch weiter auseinander. Zwischen den Zahlen und der Realität.
The characterization of process density has shifted over the years and nodes have become less reflective of actual feature sizes and density. A more recent metric that Intel has been using is Gate Pitch (GP) multiplied by Metal 1 Pitch (M1P). This same metric has also shown up in a recent paper by the common platform partners disclosing their 10nm process work. GP x M1P will be the metric used for comparison in this paper.
Matzegr schrieb:Intel 22nm: 0,108µm²
Intel 14nm; 0,0588µm²
TSMC 16nm: 0,0700µm²
Samsung 14nm: 0,0645µm²
Samsung 10nm: 0,0400µm²
Hat Intel kommuniziert, warum sie auf diesen Schritt verzichten?Holt schrieb:und der 7-nm-Schritt soll ganz übersprungen werden
teurorist schrieb:und jetzt bitte ein artikel wiso ist das iphone mit tsmc chip effizenter als mit samsung
obwohl samsung so stichelt
ja ich weiß das verfahren der 14nm ff hat sich seit dem a9 nochmal entwickelt aber genaue gründe zu recherchieren wäre mal ein cooler artikel
Simon schrieb:Momentan sehe ich Intel noch ein Stück vorn. 14 nm FitFET-Transistoren @ 4 GHz in massenhafter Serienproduktion hat sonst niemand im Programm. Der Rest sind alles Low-Power-Designs.
Diablokiller999 schrieb:Na wenigstens ist da alles andere als Stillstand und auch Intel scheint durch Samsung in der Fertigung langsam den Vorsprung zu verlieren. Bin mal gespannt ob beide auch schon mit Graphen rum experimentieren, nicht das man zu viel bei IBM lizenzieren muss...
Genau, die Fertigung, nicht die Forschungfoofoobar schrieb:Die IBM Fertingung wurde von GloFo gekauft.
Simon schrieb:D. Kanter ist in der Vergangenheit nicht gerade für absoluten Bullshit bekannt gewesen. Sofern seine Theorien stimmen, sind wir mittlerweile an einen Punkt angelangt, wo einfaches Shrinken durch Verfeinerung der Belichtung einfach nicht mehr ausreicht (war es in der Vergangenheit auch schon nicht, siehe Strained Silicon, HKMG oder FinFET). Jetzt kommt so langsam auch die Grundlagenforschung neuer Materialien abseits von Silizium wieder mehr in den Fokus, was vermutlich ziemlich zeitintensiv ist.
Unabhängig davon stellt sich irgendwann umso mehr die Frage, ob Samsung 10 nm, TSMC 10 nm und Intel 10 nm (und irgendwann auch die Folgeprozesse) technisch wirklich Apfel:Apfel vergleichbar ist. Abwarten.
Diablokiller999 schrieb:Genau, die Fertigung, nicht die Forschung
IBM forscht weiterhin in dem Bereich, auch mit Graphen.
Matzegr schrieb:Intel 22nm: 0,108µm²
Intel 14nm; 0,0588µm²
TSMC 16nm: 0,0700µm²
Samsung 14nm: 0,0645µm²
Samsung 10nm: 0,0400µm²
Volker schrieb:Dies ist erneut eine kleine Stichelei gegen TSMC, deren 16-nm-Fertigung im Grunde genommen einfach eine Fertigung mit bereits zuvor genutzten 20-nm-Interconnects zuzüglich neuen FinFETs ist.
Möglich, aber willst Du ernsthaft auf jemanden verweisen, der die Ticks und Tocks in seiner Tabelle durcheinander bringt:Volker schrieb:Die THG-Quelle ist irgendwas bei Guru3D und die haben es irgendwo von ner asiatischen Seite geklaut ohne die richtig lesen zu können. Auf anderen Seiten liest sich das dementsprechend auch anders: http://vrworld.com/2016/01/21/bye-moores-law-intels-tick-tock-tock-to-continue-with-7nm/
Intel sagt doch klar es ein Tick (Shrink) und was ein Tock (bessere Architektur) ist:
Daher wäre die Tabelle korrekt:
Das ist doch jetzt schon nicht der Fall, die Angaben sind mehr Werbung als Realität, denn wenn man es einfach so könnte, würde man am Zollstock die angegeben nm kaum irgendwo so ablesen können.Simon schrieb:Unabhängig davon stellt sich irgendwann umso mehr die Frage, ob Samsung 10 nm, TSMC 10 nm und Intel 10 nm (und irgendwann auch die Folgeprozesse) technisch wirklich Apfel:Apfel vergleichbar ist.
Das ist richtig und was Samsung aus AMD Zen so zaubern kann, wird man erst in knapp einem Jahr sehen, bis dahin werden aus dem Prozess keine mit den Intel CPUs vergleichbaren Chips kommen.Simon schrieb:Momentan sehe ich Intel noch ein Stück vorn. 14 nm FitFET-Transistoren @ 4 GHz in massenhafter Serienproduktion hat sonst niemand im Programm.
http://wccftech.com/amd-patent-zen-apu-integrated-fpga-hbm2/Bei Intel wird man künftig FPGA-Funktionsblöcke (Altera) auf dem Chip vorfinden (1-2 Jahre).
Die integrierten FPGAs können im Nachhinein
mit einer von der Anwendung oder vom Kunden geforderten Funktion belegen werden.
pipip schrieb:http://wccftech.com/amd-patent-zen-apu-integrated-fpga-hbm2/
Bei AMD hat man ebenso Patente mit FPGA-Einheiten entdeckt.
Eigentlich sind das aber Blöcke für spezielle Anwendungen, sprich bastle dein eigenes SIMD zur Beschleunigung.
Also da bei FPGA-Blöcke groß sind, spricht das nicht gerade dafür, dass wir das als normale Konsumenten so schnell sehen werden, weil sich bisher, "zugeschnittene" kleine Chips auf Masse produziert, eher durchgesetzt hat.
AMD hat aber damals schon bekannt gegeben, dass Architektur immer wichtiger wird und dass AMD Chip-Design entwickeln wird, die sogar etwas mehr in die Breite geht.
Naja, ich denke, man darf gespannt sein. Persönlich sehe ich mehr Nachholbedarf in der Software. Wäre ja nicht so, als ob aktuelle AMD und Intel Prozessoren nicht bereits SIMD-Funktionen unterstützten, die bisher noch nicht wirklich verwendet werden.