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NewsSK Hynix: MLC-3D-NAND mit 36 Ebenen im dritten Quartal
SK Hynix hat den Start der Serienfertigung von 3D-NAND für das dritte Quartal angekündigt. Der Flash-Speicher verfügt den Angaben zufolge über 36 übereinander liegende Zellschichten. Zunächst soll die Serienfertigung aber nur „in kleinem Maßstab“ erfolgen.
Solange durch diese Entwicklungen nicht das Preis/GB Verhältnis sinkt, sind SSDs mit größeren Kapazitäten als Datengrab für mich noch nicht interessant. Da bleibe ich vorerst bei HDDs - der einzige Kritikpunkt an denen ist die Lautstärke. Und zum Preis einer 1 TB SSD bekomme ich schon ein komplettes NAS mit Festplatten, womit die Betriebslautstärke auch kein Argument mehr für eine SSD ist.
Aber wer weiß? Vielleicht rutschen SSDs 2016 ja endlich unter 30 Cent/GB?
Tekpoint, die Fertigungsstrukuturen sind aber auch größer, Samsung liegt bei etwa 40nm und Intel hat ähnliches angekündigt, daher steigt die Datendichte weit weniger als es bei 36 Schichten übereinander zunächst klingt. Dazu sind sehr, sehr viele Fertigungsschritte nötig, was die Fertigung sehr verteuert, auch weil sich das Risiko Ausschuß zu produzieren massiv erhöht.
Ich frage mich immer beim Thema TLC wie die Ladungen der einzelnen Zustände gehalten werden.
Der Hauptkritikpunkt ist die Erhöhung der Fehlerkorrektur und wenn ich da jetzt noch ein paar Schichten übereinander lege wird das sicher nicht besser!
Der Markt ist jedoch da, mehr Daten auf immer kleinen Chips zu packen, gerade für NAND im mobilen Bereich.
Neben der Größe ist jedoch auch der Energieverbrauch eine nicht zu unterschätzende Komponente.
Genau wie bei MlC auch, es werden nur mehr Ladungszustände unterschieden.
68000 schrieb:
Der Hauptkritikpunkt ist die Erhöhung der Fehlerkorrektur und wenn ich da jetzt noch ein paar Schichten übereinander lege wird das sicher nicht besser!
Doch, weil bei 3D NANDs die Zellen ganz anders aussehen und viel größer sind, die halten um Zehnerpotenzen mehr Elektronen pro Zelle und beim 15nm palnar NAND von Toshiba ist schon von nur noch 20 Elektronen pro Zelle die Rede, das sind dann bei 4 Ladungsunterscheiden (MLC) so etwa 5 Elektronen mehr oder weniger von einem zum anderen, bei TLC (8 Ladungszustände) dann keine 3 mehr. Geht man nur eine Zehnerpotenz höher, hat man 200 Elektronen, also macht der Unterschied zwischen zwei Zuständen bei MLC 50 und bei TLC 25 Elektronen in der Zelle aus, mehr als die kleine planare Zelle überhaupt enthalten kann. Daher hat TLC bei 3D NAND auch mehr Haltbarkeit als diese aktuellen 2D MLC in 15nm oder 16nm.
68000 schrieb:
Neben der Größe ist jedoch auch der Energieverbrauch eine nicht zu unterschätzende Komponente.
Und auch da spart 3D NAND, denn Energie wird verbraucht um die hohen Spannungen zu Überwindung der Isolierschichten zu erzeugen und die Elektronen möglichst einzeln genau gezählt einzubringen, was bei den großen Zellen von 3D NANDs eben nicht so genau sein muss, da nimmt man gleich eine ganze Schippe und gut.
@h00bi: Schau mal selbst, hier das aktuelle Datenblatt. Auf Seite drei findest du unten den 3D-NAND. Da gibt es nur 128 Gb als SDP (Single Die Package) und 256 Gb als DDP (Double Die Package). Bei dem 2D-NAND findest du aber auch Varianten mit vier oder acht Dies pro Package. (glaub sogar eins mit 16)
Das ist eben noch Vorserienfertigung, die Chips die man wirklich massenhaft kaufen und in SSDs verbauen kann weil sie auch die nötige Kapazität haben, kommen dann erst später.
Das wird ein Jahr 2016 
