News Speicherforschung: Kioxia spricht über OCTRAM, 64-Gbit-MRAM und neuen 3D-Flash

MichaG

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Am spannendsten finde ich den 64-GBit-MRAM-Chip.
 
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Zur Erklärung von 4F2:
Die für eine gegebene Technologie (Fertigungsknoten) kleinste herstellbare 2D Struktur wird als "F2" (Feature quadrat) bezeichnet.
Ein Speicherelement, dass 4F2 belegt, braucht also die 4-fache Fläche der kleinsten Strukturbreiten.
Ein Speicherelement, dass 2F2 belegt, brauch nur noch die 2-fache Fläche der kleinsten Stukturbreiten.

Nur, falls sich das noch jemand anderes beim Lesen gefragt hat :D
 
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Sehr spannende Produkte aber wahrscheinlich werden wir davon nie was im großen Stil sehen.
Die Platzhirsche DRAM ect.. sind einfach viel zu ausgereift und entsprechend weit vorne.

Am ehesten sehe ich dann Chancen, wenn die bestehenden Technologien am ihren Grenzen sind und von hinten überholt werden.
 
Tatsächlich könnten sie das beste vom besten Releasen. Aufgrund des fehlenden Support für Linux Systemen und damit der nicht vorhandenen Möglichkeiten, die Firmware zu aktualisieren, werde ich um diesen Hersteller einen großen Bogen machen.

Der Support hat dazu auch offiziell kommuniziert, das sie keine Updatemöglichkeiten für nicht Windows Geräte aktuell und auch in absehbarer Zukunft anbieten weden. Insbesondere ärgerlich, da mein Proxmox Server mit deren M2 arbeitet. Zum Glück gibts Backups da ich bereits fest mit einem zeitnahen Ausfall rechne. Angeblich soll die letzte Firmware essenziell für deren Langlebigkeit gewesen sein.
 
Weyoun schrieb:
Am spannendsten finde ich den 64-GBit-MRAM-Chip.
Ich bin gespannt, ob das Marktreife erreicht. Dann gibt es bestimmt wieder Mainboards mit verschiedenen RAM-Slots so wie früher bei SD und DDR :D.
 
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MRAM wäre, wenn der die gleiche Kapazität und Taktraten wie DRAM erreicht, sehr sehr interessant.

Denn dann wäre er schneller als DRAM, da Ladzyklen weggelassen werden können und damit der Datendurchsatz stark steigt.
Auch ein extrem schneller Hypernate und aufwachen ohne Datenträgerbeteiligung und nahtloses fortsetzen einer Session wäre damit problemlos möglich.

Allerdings hat MRAM damit auch ein Sicherheitsproblem, wenn da Speicherinhalte erhalten bleiben und theoretisch ausgelesen werden können. Sprich nicht benötigter Speicher muss aktiv gelöscht werden und der Speicherinhalt grundverschlüsselt sein.
 
Weyoun schrieb:
Am spannendsten finde ich den 64-GBit-MRAM-Chip.
Es ist halt die Frage was Kioxia und Hynix hier vorführen. Technologie Studie oder frühen Prototypen.

Letztes Jahr hat Micron in einer Technologie Studie einen 32 MBit FeRAM Chip vorgestellt.

Eine deutlich kompaktere Speicherzelle für NAND ist ebensfalls sehr interessant.
BAR86 schrieb:
Jööö MRAM. Oder eben wie im Artikel beschrieben "„Cross-Point MRAM" Cross Point schreibt man übrigens auch gerne als X-Point. Und dann sind wir wieder bei einem sehr ähnlichen Thema, das schon vor ein paar Jahren mal "cool" war: 3D XPoint https://en.wikipedia.org/wiki/3D_XPoint
Cross Point beschreibt ein geometrisches Feature, den Punkt an dem sich zwei Linien bzw. Drähte kreuzen.

Das Milliardengrab von Intel und Micron war Phase Change Speicher. Hier ist die Rede von MRAM.
Da MRAM ein vollkommen anderes Speicherprinzip als Phase Change ist, kann ich kein ähnliches Thema erkennen.

radoxx schrieb:
Am ehesten sehe ich dann Chancen, wenn die bestehenden Technologien am ihren Grenzen sind und von hinten überholt werden.
NOR skaliert nicht mehr und wird momentan durch MRAM und ReRAM abgelöst.
NAND skaliert nicht mehr und ging in die 3. Dimension
SRAM ist an der Grenze und skaliert kaum noch.
DRAM macht nur noch ziemlich kleine Schritte. Dank der riesigen Kondensatoren wird es mir 3D DRAM nicht so einfach wie bei NAND werden.

Aktuell ist die Ablösung von NOR als non volativer On Chip-Speicher ein entscheidender Treiber für MRAM und ReRAM. Dabei werden MRAM und ReRAM nach und nach für immer kleinere Nodes qualifiziert. Sobald sie die aktuellen Nodes einholen, werden sie AFAIU eine alternative für SRAM.

Sebbi schrieb:
MRAM wäre, wenn der die gleiche Kapazität und Taktraten wie DRAM erreicht, sehr sehr interessant.
Der angekündigte Chip hat eine größere Kapazität wie die aktuellen DRAM Chips.

AFAIU hat MRAM keine Limitierungen, die es daran hindern die Taktfrequenzen von DRAM zu übertreffen.

Sebbi schrieb:
Denn dann wäre er schneller als DRAM, da Ladzyklen weggelassen werden können und damit der Datendurchsatz stark steigt.
Der Energieverbrauch sinkt ebenfalls. Und die Schaltungen zum ein und auslesen ebenfalls.
Sebbi schrieb:
Auch ein extrem schneller Hypernate und aufwachen ohne Datenträgerbeteiligung und nahtloses fortsetzen einer Session wäre damit problemlos möglich.

Allerdings hat MRAM damit auch ein Sicherheitsproblem, wenn da Speicherinhalte erhalten bleiben und theoretisch ausgelesen werden können. Sprich nicht benötigter Speicher muss aktiv gelöscht werden und der Speicherinhalt grundverschlüsselt sein.
Die Vorteile überwiegen die Nachteile bei weitem. Also wird es daran nicht scheitern.
Allerdings sollten die Betriebssysteme sich schon Mal auf die schöne neue Welt persistenter Register, Chaches und Hauptspeicher einstellen.
 
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ETI1120 schrieb:
Das Milliardengrab von Intel und Micron war Phase Change Speicher. Hier ist die Rede von MRAM.
Da MRAM ein vollkommen anderes Speicherprinzip als Phase Change ist, kann ich kein ähnliches Thema erkennen.
Das macht nix, ich sehe schon gewisse Ähnlichkeiten von der Grundidee her.

Ich find das immer wieder lieb an dir zu beobachten.
Du hast Tage, da schreibst du ja sogar vergleichsweise konstruktiv und freundlich, an anderen Tagen einfach nur besserwisserisch und herablassend.

Dass es ein anderes Speicherprinzip ist, ist mir nicht entgangen. Dass es dem Prinzip des nichtlüchtigen Speichers folgt, das auch ein ähnliches "geometrisches Feature" hat wie du es nennst verwendet ebenso. Also ein Nichtflüchtiger Speicher der geometrische Features ähnlich von Intels "Milliardengrab" besitzt hat also keinerlei parallelen, nur weil die Speicherung anders ist. Ok. Jeder mag Oberlehrer.
Dann solltest du auch gleich Wikipedia editieren, da wird zu 3D Xpoint als alternative MRAM erwähnt.
Aber stimmt schon "alternativen" sind meist völlig andere Dinge.
 
BAR86 schrieb:
Ich find das immer wieder lieb an dir zu beobachten.
Du hast Tage, da schreibst du ja sogar vergleichsweise konstruktiv und freundlich, an anderen Tagen einfach nur besserwisserisch und herablassend.
Es kommt eben auch darauf an, auf was ich antworte.

BAR86 schrieb:
Dann solltest du auch gleich Wikipedia editieren, da wird zu 3D Xpoint als alternative MRAM erwähnt.
Aber stimmt schon "alternativen" sind meist völlig andere Dinge.
Beides sind Technologien für nicht flüchtige Halbleiterspeicher. In diesem Sinne kann man es unter Alternativen aufführen.

Aber beides war nie eine Alternative in dem Sinne für diese Anwendung nehme ich das eine oder das andere.
 
🙄🤨👎
 
Hmm, es wird viel announced, aber wenig davon kommt im Consumer Markt an.

Flaggschiff ist immer noch die Exceria Pro mit 112-Layer NAND, und das schon eine Weile.

Gibt doch mittlerweile genug neue Controller, um mal was neues zu basteln.
Ich mag Kioxia / Toshiba, aber das finde ich etwas öde.

Progress hier und da, aber es kommt einfach nichts.

Immer nur Enterprise Gedöns.
 
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