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Was ist eigentlich der technische Unterschied zwischen echtem SLC NAND und solcher (TLC/QLC), der nur im SLC-Modus beschrieben wird (also mit 1Bit) und der ja meist auf den SSDs als Cache genutzt wird? Wäre TLC-NAND, den man komplett auf 1 Bit schaltet, z.B. genauso haltbar wie SLC? etc...
Man kann von LTT halten, was man will, aber ich finde, dass dieses Video das eigentlich ganz gut erklärt:
YouTube
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Naja, nicht wirklich, weil die 660p ein paar Besonderheiten hat. Das Drive schreibt zwangsweise immer über den Cache und nie direkt auf den NAND, was dann mitunter zu dem kuriosen verhalten führt - laut Anandtech
Mir gehts aber gar nicht um die Praxis, sondern um die elektronischen Feinheiten anhand der Zellen.
Sprich was eine als SLC-Cache geschaltete Zelle elektronisch von einer echten SLC-Zelle unterscheidet.
Mir gehts aber gar nicht um die Praxis, sondern um die elektronischen Feinheiten anhand der Zellen.
Sprich was eine als SLC-Cache geschaltete Zelle elektronisch von einer echten SLC-Zelle unterscheidet.
Das da eben erstmal weniger Voltage Level geschaltet werden und erst ab einem bestimmten Füllstand wird die Zelle dann im MLC- oder TLC-Modus betrieben. Aber das kann den Endnutzer meiner Meinung nach nicht beeinflussen, ab wann und wie stark diese Änderung stattfindet
Ergänzung ()
Also so wie ich das verstanden habe und wie es mMn die meisten Herstelller mit ihren MLC/TLC/QLC Platten handhaben, ist es so, dass die Platten häufig in relativ leerem Zustand zunächst im SLC-Modus betrieben werden und dann nach und nach mit steigender Füllmenge die Zellen in den anderen Modus geschaltet werden.
Wie die Hersteller das handhaben, ist natürlich unterschiedlich
m die elektronischen Feinheiten anhand der Zellen.
Sprich was eine als SLC-Cache geschaltete Zelle elektronisch von einer echten SLC-Zelle unterscheidet.
Für die Zellen macht dies keinen Unterschied, den gibt es nur bei der Elektronik. Da bei SLC weniger Ladungszustände zu unterscheiden sind, können die Zellen aber im Prinzip auch kleiner sein als solche von MLC NAND.
kingjongun1 schrieb:
dass die Platten häufig in relativ leerem Zustand zunächst im SLC-Modus betrieben werden und dann nach und nach mit steigender Füllmenge die Zellen in den anderen Modus geschaltet werden.
So ist es ja nicht ganz, die meisten Pseudo-SLC Schreibcaches haben eine festen NAND Bereich der nur im Pseudo-SLC Modus als Cache verwendet wird und entsprechend immer wieder geleert wird. Dann haben immer mehr SSDs auch einen dynamischen Cache, also einen Bereich der normalen NANDs die nur dann im Pseudo-SLC Modus erstmal nur mit einem Bit beschrieben werden, wenn genau Kapazität frei ist. Wie die Controller dann umgehen wenn sie dann soviele Daten schreiben müssen das sie auch die volle Kapazität diese Zellen brauchen, also ob sie dann die Daten von dort noch mal in andere Zelle kopieren oder einfach die anderen Bits dann mit ganz anderen Daten beschreiben, dürfte unterschied gehandhabt werden.