Arbeitsspeicher
RAM bzw. Arbeitsspeicher ist flüchtiger aber besonders schneller Speicher, in den die CPU das Betriebssystem sowie gestartete Apps und Games lädt.
Dass RAM („Random Access Memory“) flüchtig ist bedeutet, dass darin gespeicherte Daten bei Stromausfall verloren gehen. Er dient der CPU daher als enorm schnelles Kurzzeitgedächtnis: RAM ist um rund drei Größenordnungen bzw. Faktor 1.000 schneller als nichtflüchtige (permanente) Datenspeicher wie SSD oder HDD.
Während Stabilitätsprobleme aufgrund minderwertigem Arbeitsspeicher heute der Vergangenheit angehören, gilt weiterhin, dass schnelle RAM-Module die Performance von Anwendungen und Spielen etwas verbessern können. Wir fühlen dieser Möglichkeit in unseren Tests regelmäßig auf den Zahn.
Aktuelle Arbeitsspeicher-News
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MacBook Air M2 & M3 Apple spendiert 16 GB RAM zum alten 8-GB-Preis
Neue MacBook Air hat Apple heute zwar nicht vorgestellt, ab sofort bietet aber jedes Modell in der Basiskonfiguration 16 GB Arbeitsspeicher.
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DDR5-12000+ CUDIMM von Kingston und G.Skill überschreitet 12.000 MT/s
DDR5 als „Clocked UDIMM“ („CUDIMM“) verspricht noch höhere Taktraten möglich zu machen: Übertakter haben erste Fakten geschaffen.
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Speicherforschung Kioxia spricht über OCTRAM, 64-Gbit-MRAM und neuen 3D-Flash
Auf dem diesjährigen IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) will Kioxia neue Speichertechnologien vorstellen.
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Schnellster JEDEC-RAM Crucial bringt erste CUDIMM und CSODIMM mit Clock Driver
Auch Crucial stellt die ersten DDR5-Module mit Signalverstärker (Clock Driver) vor. Die CUDIMMs und CSODIMMs gehen mit 6.400 MT/s zu Werke.
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Was ist CUDIMM? Das steckt hinter den neuen DDR5-Modulen für Arrow Lake-S
Intels Core Ultra 200 alias Arrow Lake-S unterstützt neben DDR5 als UDIMM auch CUDIMM. Was steckt hinter dem neuen Arbeitsspeicher-Standard?
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Neuer Auftritt Update Micron präsentiert kurviges Firmenlogo
Micron präsentiert ein völlig verändertes Firmenlogo, das unter dem Motto „immer einen Schritt voraus“ entstand.
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Micron „Wir starten in das Geschäftsjahr 2025 mit der besten Wettbewerbsposition“
Bei Micron läuft es rund und zwar in allen Bereichen. Das sorgt für Umsatzrekorde und einen mehr als rosigen Ausblick.
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Schnellerer Speicher für AI Rambus liefert Spezifikationen für neue HBM4-Controller
Rambus liefert die erste „IP“ für HBM4-Controller an Kundschaft aus. Diese können nun starten, ihre Chips damit zu entwerfen.
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DRAM von SK Hynix DDR5-Chips der Generation 1c sind fertig entwickelt
SK Hynix schreibt sich den Sieg um das Wettrennen beim sogenannten „1c“ DRAM auf die Fahne. Die neuen DDR5-Chips sollen bald in Serie gehen.
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Snapdragon Digital Chassis Samsungs LPDDR4X kommt in Autos mit Qualcomm-Chips
Der für das Automotive-Segment konzipierte LPDDR4X-RAM von Samsung erfüllt die Anforderungen für das Qualcomm Snapdragon Digital Chassis.
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SK Hynix 3D DRAM soll Kosten der EUV-Fertigung halbieren
Die DRAM-Fertigung mit EUV-Lithografie ist kostspielig. Der kommende 3D DRAM mit mehreren Speicherebenen soll die Kosten senken.
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LPDDR5X mit 0,65 mm Samsung will den flachsten Smartphone-Speicher haben
Samsung hat den nach eigenen Angaben dünnsten LPDDR5X-Speicher der Branche vorgestellt; zumindest für Packages mit 12 GB und mehr.
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Quartalszahlen Samsung gelingt dank Speichersparte großer Gewinnsprung
Bei SK Hynix hatte es sich angedeutet, bei Samsung wird es noch klarer: Für Gewinn sorgen RAM-Verkäufe, die viel besser liefen als zuletzt.
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Quartalszahlen von SK Hynix Umsatz steigt um 125%, Gewinn um 5,1 Mrd. USD, Aktie fällt
SK Hynix meldet sehr gute Zahlen für das zweite Quartal, dennoch stürzt die Aktie im Handel heute um 9 Prozent ab.
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G.Skill Trident Z5 Royal Neo Königliche RAM-Kits mit AMD EXPO und bis zu DDR5-8000
Zum Release von Ryzen 9000 erweitert G.Skill die Royal-Serie um Kits mit Fokus auf AM5-Systeme. Geboten werden bis zu 8.000 MT/s bei CL38.
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JEDEC Spezifikationen von HBM4 rücken näher
Die für Speicherstandards zuständige Organisation JEDEC hat mitgeteilt, dass sich die Finalisierung des HBM4-Standards nähert.
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Intel-Lunar-Lake-Modelle Neun CPUs unterscheiden Takt, GPU, NPU, RAM und vPro
Neun Prozessoren werden für Intels Lunar Lake benannt. Das sieht viel aus, richtet sich effektiv aber nach Takt, RAM und vPro-Features aus.
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RAM-Hersteller GeIL Zur Computex gibt es DDR5-10200 und (LP)CAMM2
Während Team Group DDR5-RAM mit 10.000 MT/s für die Computex angekündigt hat, will GeIL das noch toppen und verspricht DDR5 mit 10.200 MT/s.
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Computex 2024 Team Group lockt mit DDR5-10000 und LPCAMM2
Zur Computex legt Team Group die Messlatte für den DDR5-Durchsatz noch höher. Bis zu 10.000 MT/s sollen die neuen Speicherriegel erreichen.
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Kapazitätsausbau Microns DRAM-Fab in Japan wird teurer und kommt später
Microns neue/aufgerüstete DRAM-Fabrik in Japan wird mit EUV-Belichtern ausgestattet, geht nun aber erst 2027 in die Massenproduktion.
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Neues RAM-Format MSI und Kingston bringen CAMM2 in den Desktop-PC
Nicht nur im Notebook könnte sich CAMM2 durchsetzen. Zumindest zeigen MSI und Kingston schon jetzt eine Umsetzung für Desktop-PCs.
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3D DRAM Samsung plant mit 16 Layern für 2030
Laut einem Bericht aus Südkorea rechnet Samsung mit dem Jahr 2030 für einen kommerziellen Start von 3D DRAM mit 16 Layern.
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LPDDR6 CAMM2 Die Zukunft bringt wechselbaren Speicher mit bis zu 14,4 GT/s
Im Zuge des JEDEC-Workshops und der Möglichkeiten bei DDR6 und LPDDR6 war auch CAMM2 ein Thema. Dort geht es weiter hoch hinaus.
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Arbeitsspeicher DDR6 und LPDDR6 werden noch schneller als gedacht
Die Vorbereitungen für die nächste Speichergeneration laufen. Für DDR6 und LPDDR6 werden jetzt noch höhere Durchsatzraten anvisiert.
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LPCAMM2 im Handel Update 64 GB LPCAMM2 LPDDR5X-7500 kosten bei Crucial 330 USD
LPCAMM2 als wechselbarer Notebook-RAM der Zukunft kommt in den Handel. Zum Start ist dieser erwartungsgemäß nicht günstig, aber einzigartig.
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White Build by Accident Von einem, der durch Zufall einen fast weißen PC baute
Weiße PC-Builds sind zwar weiterhin etwas Besonderes, dennoch sind sie heutzutage einfacher zu bauen als je zuvor. Ein Erfahrungsbericht.
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Neuer Phase Change Memory Mit Nano-Filament statt Elektrode soll es diesmal klappen
Südkoreanische Forscher haben einen neuen Ansatz für Phasenwechselspeicher vorgestellt, der deutlich sparsamer und zugleich günstiger sei.
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LPDDR5X-10666 in 32-GB-Chips Samsungs Speicher für Next-Gen-SoCs, Smartphones und AI
Der schnellste LPDDR5X kommt wieder von Samsung, und größer wird er auch: 32 GByte LPDDR5X-10666 sind das neue Aushängeschild.
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Advanced Packaging SK Hynix bestätigt neue US-Fab für HBM in Indiana
Gefertigt werden soll am neuen Standort von SK Hynix unter anderem die nächste Generation High Bandwidth Memory (HBM) für neue AI-Systeme.
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Erster HBM3E in Serie? SK Hynix ignoriert Micron einfach mal komplett
Wer ist denn nun erster bei der neuen Speichergeneration HBM3E? SK Hynix will das heute sein, doch war Microns Ankündigung schneller.
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DRAM-Produktion Bald laufen 250.000 HBM-Wafer pro Monat vom Band
Die globale KI-Welle sorgt für Bedarf an schnellem High Bandwidth Memory (HBM), dessen Anteile an der DRAM-Produktion massiv steigen.
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4 × 64 GB DDR5 per BIOS-Update ASRock, Asus und MSI bieten 256 GB RAM für Intel und AMD
ASRock, MSI und Asus haben neue BIOS-Versionen veröffentlicht, mit denen Mainboards mit Intels Sockel LGA 1700 256 GB DDR5 unterstützen.
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Arbeitsspeicher Crucial bringt erste DDR5-Module mit 12 GB
Auf Arbeitsspeicherriegel mit ungewöhnlichen Speicherkapazitäten von 24 GB und 48 GB lässt Crucial die ersten mit 12 GB folgen.
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LPDDR6 Neue Generation des Mobile-RAM im 3. Quartal abgesegnet
Die JEDEC hat angekündigt, dass die Spezifikationen für LPDDR6, die nächste Stufe des Low-Power-DRAM, im 3. Quartal erscheinen.
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T-Force Xtreem ARGB DDR5 leuchtet bei Teamgroup weniger aufdringlich als DDR4
Schon zur Computex Ende Mai 2023 gezeigt, rückt Teamgroups DDR5 der Serie T-Force Xtreem ARGB jetzt dem Handel näher.
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Neue Beschichtung Adata verspricht geringere DDR5-Temperaturen (ohne Kühler)
Ein neues „Thermal Coating“ soll besonders hoch taktenden DDR5-Arbeitsspeicher von Adata in Zukunft kühler laufen lassen.
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GDDR7 jetzt JEDEC-Standard Neuer Grafikspeicher mit bis zu 48 Gbit/s verabschiedet
Freie Fahrt für eine neue Generation Grafikspeicher: Die JEDEC hat die Spezifikationen für GDDR7 verabschiedet und veröffentlicht.
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30 Prozent mehr Umsatz DRAM-Hersteller profitieren von stark gestiegenen Preisen
Angeführt von Samsung freuen sich die DRAM-Hersteller über deutlich gestiegene Umsätze im vergangenen Quartal.
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Schneller Speicher für AI 12-fach gestapelter HBM3E hat auch bei Samsung 36 GByte
Einen Tag nach Microns Ankündigung zur Serienfertigung von HBM3E schießt Samsung zurück: Der Wettlauf bei HBM geht nun erst richtig los.
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Serienfertigung gestartet Micron bestückt Nvidias H200 mit 144 GB HBM3E
Micron hat die Serienfertigung seines schnellen HBM3E-Speichers gestartet, der schon bald in Nvidias H200 eingesetzt wird.
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„Pro Overclocking“ Crucial stellt seinen bisher schnellsten DDR5-RAM vor
Im Schatten der schnellsten PCIe-5.0-SSD nach sequenziellem Durchsatz, der T705, hat Crucial heute auch neuen Arbeitsspeicher vorgestellt.
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Arbeitsspeicher GDDR7, HBM3E und LPDDR5X werden weiter beschleunigt
Zu den Themen der diesjährigen ISSCC gehören Neuheiten aus dem DRAM-Bereich. Bei GDDR7, LPDDR5 und HBM3E gibt es Fortschritte.
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Neues Konzept Der Flash Memory Summit dreht sich nicht mehr nur um Flash
Die Fachkonferenz Flash Memory Summit (FMS) startet dieses Jahr ein neues Konzept, das auch andere Speichertypen umfasst.
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Speicher-Comeback SK Hynix meldet Gewinn und Fokus auf „AI Memory“
Nach vier Quartalen in den roten Zahlen meldet SK Hynix zum Jahresabschluss überraschend bereits einen Gewinn. Der Start in die neue Phase.
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TrendForce-Analyse Preise für RAM und NAND-Flash steigen das gesamte Jahr 2024
Marktforscher gehen davon aus, dass die Preise für DRAM und NAND-Flash nicht nur im ersten Halbjahr steigen werden.
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Flüssiger RAM Forscher entwickeln Liquid Metal Memory
Inspiriert von Vorgängen im menschlichen Gehirn haben Forscher einen Flüssigmetallspeicher entwickelt.
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SOT-MRAM TSMC hilft bei Entwicklung des möglichen SRAM-Nachfolgers
Bei der Entwicklung der nichtflüchtigen Speichertechnik SOT-MRAM will TSMC in Taiwan mitmischen. Auch in Europa wird daran geforscht.
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HBM-Kapazitätsausbau Samsung will Investitionen um zwei Mal Faktor 2,5 steigern
Samsung entwickelt zwar schon länger HBM, aber nicht so fokussiert wie SK Hynix. Nun dreht der Branchenriese die Investitionshahn auf.
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Neues RAM-Format Micron liefert potenziellen SO-DIMM-Nachfolger LPCAMM2 aus
Nach über einem Vierteljahrhundert der Ära des SO-DIMM-Formats für mobilen Arbeitsspeicher kommt 2024 die potenzielle Ablösung.
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Krise vorbei Micron ist mit DRAM und HBM zurück im Geschäft
DRAM und HBM ziehen Micron aus dem Loch. Letztere Technologie ist bereits für das ganze Jahr 2024 ausverkauft. Bei NAND dauert es noch.
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Starke Preissteigerungen Mobiler DRAM und NAND soll 2024 deutlich teurer werden
Bereits seit einiger Zeit ist es sichtbar: Die Talsohle der Preise für DRAM und NAND ist durchschritten. Nun geht es steil bergauf.
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CAMM2 Neuer RAM-Standard ist nicht verlötet und dennoch flach
Die JEDEC hat die Spezifikation JESD 318 veröffentlicht, die den neuen Arbeitsspeicherstandard CAMM2 definiert. Ein Überblick.
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Micron-Roadmap Pläne für HBM4, MRDIMMs, CXL3 und LPCAMM dargelegt
Micron hat eine neue Roadmap mit kommenden Speicherprodukten veröffentlicht. Darunter sind HBM4(e), MRDIMMs und LPCAMM2.
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ChangXin Xinqiao China stampft neuen DRAM-Hersteller mit 20-Mrd.-Fab aus dem Boden
China braucht weiterhin eine eigene moderne Chip-Fertigung und wagt sich deshalb an ein weiteres DRAM-Projekt – mit viel Geld.
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RAM-Preise steigen wieder DDR5- und DDR4-Chips erreichen Halbjahreshoch
Arbeitsspeicher wird teurer, das haben die letzten Wochen bereits gezeigt. Jetzt wurde die Mai-Marke übertroffen.
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HBM-Speicherchips Das große Rennen um das hoffentlich lukrative Geschäft
Fast 60 Prozent Wachstum in diesem Jahr und 2024 noch einmal 30 Prozent: HBM liegt hoch im Kurs, aber was bringt es den Herstellern?
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SK Hynix Quartalszahlen Ausverkauft bei HBM3e bis 2025 und dennoch hohe Verluste
HBM3e bekommt man als Kunde von SK Hynix frühestens 2025 wieder, doch diese Marktnische rettet den Konzern nicht über die Linie.
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LPDDR5T-9600 SK Hynix und Micron treiben Snapdragon 8 Gen 3 an
Der Snapdragon 8 Gen 3 ist für die nächste Generation von Flaggschiff-Smartphones mit Next-Gen-Speicher von SK Hynix und Micron ausgelegt.
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Overclocking-Rekorde Core i9-14900K bei 9.043,92 MHz mit flüssigem Helium
Der schwedische Übertakter elmor hat mit seinem Team einen neuen Weltrekord beim CPU-Takt aufgestellt.
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High Bandwidth Memory (HBM) Update Samsung bemustert HBM3E in Kürze, bis 2025 kommt HBM4
Schneller Speicher wie HBM gewinnt immer mehr an Bedeutung. Samsung weist nun auf die neuen Generationen hin.
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RAM 20 Prozent teurer Preise für DDR4 und DDR5 steigen im deutschen Handel
Seit 3 Monaten in Aussicht gestellt, ist es nun eingetreten: Die Preise für RAM steigen wieder. Noch fällt der Anstieg nicht dramatisch aus.
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DRAM-Produktion ab 2025 Nach 20 Jahren baut Micron wieder eine US-Speicherfabrik
Es ist die „erste neue Speicherfabrik seit 20 Jahren“ in den USA, erklärt Micron und verkündet heute die Grundsteinlegung in Boise, Idaho.
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LPCAMM als SO-DIMM-Nachfolger LPDDR-basierte Module für Notebooks, Desktops und Server
Der neue Standard „Low Power Compression Attached Memory Module“ (LPCAMM) setzt auf LPDDR auf und soll 2024 erscheinen.
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MCR-DIMMs Schnellere RAM-Module zollen dem Netzteil Tribut
Schnelle MCR-DIMMs sind zur Innovation allgegenwärtig, aber immer nur zusammen mit Granite Rapids zu sehen. Das könnte am Verbrauch liegen.
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In-Memory Processing SK Hynix demonstriert seinen GDDR6-AiM-Beschleuniger
SK Hynix hat den Prototypen seines AiM-Beschleunigers vorgeführt. Dabei werden bestimmte Berechnungen direkt im GDDR6-Speicher durchgeführt.
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Talsohle überwunden? Samsung plant angeblich Preiserhöhung bei RAM und NAND
Zum Ende dieses Quartals soll der Speichermarkt in Balance stehen, im nächsten Quartal könnte es schon knapper werden.
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32 Gbit DDR5 Samsung ebnet den Weg für 1-TB-RAM-Module
Es ist soweit: Samsung verkündet als erster DRAM-Hersteller die vollendete Entwicklung von DRAM-Speicherchips mit 32 Gbit.
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HBM3E SK Hynix folgt Micron mit schnellerem HBM
SK Hynix nennt die nächste Stufe seines HBM3-Speichers HBM3E. Der gestapelte DRAM soll es auf 1,15 TB/s pro Stapel bringen.
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UltraRAM Entwickler erhalten Innovations-Award
Nicht nur aus Sicht der Erfinder ist die neue Speichertechnik UltraRAM vielversprechend. Auf der Speichermesse FMS 2023 gab es einen Award.
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SK Hynix 24 GB LPDDR5X fürs Smartphone gehen in Serie
Nachdem bereits die ersten Smartphones mit 24 GB RAM in Aussicht gestellt wurden, liefert SK Hynix nun den passenden Speicher in Serie.
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Compute Express Link Micron erweitert mit CXL-2.0-Modulen den RAM-Horizont
Nach Samsung und SK Hynix begibt sich Micron auf den Pfad der Arbeitsspeicherweiterung von Servern via Compute Express Link (CXL).
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Micron-Roadmap 32 Gbit DDR5, GDDR7, HBM3 und sein Nachfolger
Parallel zur Vorstellung des ersten High Bandwidth Memory (HBM) hat Micron eine Roadmap inklusive weiterer Speicherneuheiten veröffentlicht.
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HBM3 Gen2 Microns erster High Bandwidth Memory ist am schnellsten
Deutlich nach Samsung und SK Hynix steigt Micron in den Markt mit High Bandwidth Memory (HBM) ein, legt beim Durchsatz aber gleich vor.
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Tiefpunkt überwunden SK Hynix klettert mit tiefroten Zahlen aus dem Speicherloch
44 Prozent mehr Umsatz als im ersten Quartal interpretiert SK Hynix als das Herausklettern der Speicherbranche aus dem tiefen Loch.
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High-End-Speicher SK Hynix will HBM4 mit 32 GB pro Chip schon ab 2026 liefern
SK Hynix hat das Produktionsziel für HBM4 erneut auf das Jahr 2026 festgelegt. Im kommenden Jahr wird HBM3E an den Start gehen.
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DRAM-Preise erreichen Talsohle RAM-Module könnten bald wieder teurer werden
Darauf haben Hersteller, aber nicht Kunden gewartet: Der Preisverfall bei DRAM kommt zum Erliegen, RAM könnte bald wieder teurer werden.
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Technologiediebstahl Foxconn plante 20-nm-DRAM-Fab mit Geheimnissen von Samsung
Es klingt wie ein Spionageroman und kommt dem wohl auch ganz nahe: Foxconn plante eine 20-nm-DRAM-Fab mit Geheimnissen von Samsung.
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Smartphones Nubia und OnePlus erhöhen bald auf 24 GB RAM
Schon bald wird die Messlatte für den größten Arbeitsspeicher in Smartphones weiter angehoben und zwar von 18 GB auf 24 GB.
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Kapazitätsausbau Update 2 Indien zahlt 70 Prozent für Microns Packaging-Fab
Über chinesische Social-Media-Kanäle hat Micron den Ausbau in China angekündigt. Indien fördert Microns erstes Werk im Land massiv.
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Hohe Nachfrage dank AI SK Hynix will HBM3-Produktion verdoppeln
Die neuen Beschleuniger von Nvidia und AMD brauchen HBM-Speicher, den modernsten seiner Art. SK Hynix will die Produktionslinien verdoppeln.
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Team Group auf der Computex Update Kühlung für SSDs, RAM und CPUs steht im Fokus
Das Thema Kühlung steht beim Speicheranbieter Team Group auf der Computex im Fokus. Für SSDs werden gleich drei neue Lösungen gezeigt.
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Corsair Dominator Titanium DDR5 mit bis zu 8000 MT/s wirft auf Wunsch RGB über Bord
Corsairs Dominator Titanium sind die bis dato schnellsten DDR5-Module des Herstellers. Sie kommen mit RGB, aber das lässt sich ändern.
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Next-Gen-DRAM-Fertigung Japan investiert in Microns EUV-RAM-Herstellung
Ein interessanter Schritt der Zusammenarbeit: Japan investiert in ein Micron-Werk in Hiroshima, in dem der EUV-1γ-Prozess entwickelt wird.
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Samsung und AMD Update 12-nm-DDR5-DRAM für Zen mit bis zu 7.200 MT/s
Samsung schickt für das Jahr 2023 die nächste Speichergeneration auf Basis von DDR5 ins Rennen und wählt auch AMD als Partner.
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Level Up – Gaming Sale bei NBB Bis zu 60 Prozent Rabatt auf PC-Komponenten [Anzeige]
Bei notebooksbilliger.de startet die Aktion Level Up – Gaming Sale mit bis zu 60 Prozent Rabatt auf PC-Komponenten.
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Samsung CXL 2.0 Memory Expander Die zweite Generation bietet erst einmal 128 statt 512 GByte
Bereits vor zwei Jahren das erste Mal mit CXL 1.1 und 512 GB angekündigt nähert sich nun der erste CXL 2.0 DRAM mit 128 GB der Serienreife.
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Speicherbranche im freien Fall DRAM-Preise geben noch einmal um bis zu 23 Prozent nach
Das Ende des Preisverfalls bei DRAM und NAND ist noch nicht erreicht, im aktuellen Quartal geht es weiterhin steil bergab.
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3D-DRAM Konzepte für gestapelte Speicherzellen wie bei 3D-NAND
Wie bei 3D-NAND könnten bald auch die Speicherzellen von DRAM-Chips in mehreren Ebenen übereinander gestapelt werden.
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Raspberry Pi 4 mit mehr RAM 16-GB-Arbeitsspeicher-Mod scheitert an der Software
Der Raspberry Pi 4 ist nur mit 1 bis 8 GB RAM erhältlich. Einem Modder war das zu wenig: 16 GB RAM sein Ziel. Doch so einfach ist das nicht.
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SK Hynix HBM3 12 DRAM-Stapel liefern 24 GB in einem Package
Der auf schnelle Datentransfers ausgelegte High Bandwidth Memory (HBM) liefert bei SK Hynix jetzt noch mehr Speicherplatz.
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Firmament Steampunk-Abenteuer der Myst-Entwickler will 32 GB RAM
Am 18. Mai erscheint mit Firmament ein neues Rätsel-Abenteuer und ein weiteres Spiel, das am liebsten 32 GB Arbeitsspeicher sehen will.
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DDR5-6400 & DDR5-7000 Corsair bringt schnellere 24-GB-Module
Corsair bietet seine DDR5-Speicherkits mit der ungewöhnlichen Modulgröße von 24 GB jetzt auch als DDR5-6400 mit CL36 an.
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Speicherkrise Update 4 Samsung verliert Milliarden im DRAM-Geschäft
Nun zieht es auch den Marktführer in den Abwärtsstrudel des Speichermarktes. Laut Insidern in Südkorea wird das erste Quartal vernichtend.
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DDR5-Arbeitsspeicher G.Skills neue 24- und 48-GB-Modul-Kits gehen bis DDR5-8200
G.Skill hat neue Arbeitsspeicher-Kits mit Modulgrößen von 24 GB und 48 GB sowie einer Frequenz von bis zu DDR5-8200 angekündigt.
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Quartalszahlen Micron schreibt größten Verlust der Firmengeschichte
Aus 2,3 Milliarden US-Dollar Gewinn vor einem Jahr wurden nun binnen 3 Monaten 2,3 Milliarden US-Dollar Verlust und markieren die Misere.
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Speicherpreise 20 bis 40 Prozent Nachlass im ersten Halbjahr 2023 anvisiert
In einem abgekühlten Markt kollabieren die Preise für DDR4, DDR5 und Grafikspeicher weiter. Der prozentuale Rückgang ist deutlich.
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Corsair Vengeance (RGB) Update DDR5-RAM in Kits mit 48 GB, 96 GB und 192 GB
Noch vor Crucial bringt Corsair die ersten DDR5-RAM-Module mit 24 GB und 48 GB in den Endkundenhandel.
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Absatz im freien Fall Update DRAM-Verkäufe geben um über 30 Prozent nach
Viele Zahlen deuteten es bereits an, nun gibt es die Bestätigung: Der DRAM-Markt ist im letzten Quartal um über 30 Prozent eingebrochen.
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TrendForce 2023 wird mehr DRAM für Server als für Mobile produziert
Es wird immer mehr DRAM für Server produziert, denn die Nachfrage ist hoch. Dafür sinkt sie im Mobile-Segment.
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Höhere Plattformkosten Eine neue Xeon-Workstation kann teuer werden
Eine neue Workstation auf Basis der kürzlich eingeführten Intel Xeon W-3400 und W-2400 kann ganz schön teuer werden.